申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117525157B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本申请提供了一种双沟道沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该双沟道沟槽器件包括第一掺杂类型衬底、第一掺杂类型外延层、第二掺杂类型屏蔽层、第一掺杂区以及第一掺杂类型拓展层，位于所述第二掺杂类型屏蔽层表面的第二掺杂区，位于所述第一掺杂类型拓展层表面的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区表面的第四掺杂区，所述第三掺杂区为第二掺杂类型，所述第四掺杂区为第一掺杂类型；栅氧层，第二掺杂区包裹栅氧层的底部拐角处，第一掺杂区包裹第二掺杂区的拐角处；与栅氧层接触的栅极多晶硅；源极金属以及漏极金属。本申请具有提升了器件电性能与可靠性的优点。

主权项：1.一种双沟道沟槽器件，其特征在于，所述双沟道沟槽器件包括：第一掺杂类型衬底；位于所述衬底表面的第一掺杂类型外延层；位于所述外延层一侧的第二掺杂类型屏蔽层、第一掺杂区以及第一掺杂类型拓展层，其中，所述第一掺杂区分别与所述第二掺杂类型屏蔽层、所述第一掺杂类型拓展层接触，所述第一掺杂区为第二掺杂类型，且所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂类型屏蔽层的掺杂浓度；位于所述第二掺杂类型屏蔽层表面的第二掺杂区，所述第二掺杂区为第一掺杂类型，且所述第二掺杂区与所述第一掺杂区接触；位于所述第一掺杂类型拓展层表面的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区表面的第四掺杂区，所述第三掺杂区为第二掺杂类型，所述第四掺杂区为第一掺杂类型；栅氧层，所述栅氧层分别与所述第二掺杂区、第一掺杂区、第一掺杂类型拓展层以及所述第三掺杂区接触；其中，所述第一掺杂区、所述第三掺杂区与所述栅氧层接触区域的宽度相等，且所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂浓度相等；所述第二掺杂区包裹所述栅氧层的底部拐角处，所述第一掺杂区包裹所述第二掺杂区的拐角处；与所述栅氧层接触的栅极多晶硅；与所述第四掺杂区、第二掺杂区以及第二掺杂类型屏蔽层接触的源极金属；位于所述衬底背面的漏极金属；所述双沟道沟槽器件还包括第二介质层，所述第二介质层位于所述栅极多晶硅的侧边且远离所述栅氧层的一侧，所述栅极多晶硅的表面设置有ILD层，所述第二介质层的热膨胀系数小于所述ILD层的热膨胀系数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通威微电子有限公司 一种双沟道沟槽器件及其制作方法

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