申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司

申请日：2023-10-13

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894839A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336

优先权：["20221013 EP 22201457.3"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本公开涉及半导体装置和在沟槽中产生腔的方法。在实施例中，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体衬底，具有第一主表面；一个或多个沟槽，被形成在第一主表面中，并且具有底基和侧壁，所述侧壁从底基延伸到第一主表面；锚定层；和导电构件，被布置在沟槽中，并且通过形成在沟槽中的腔而与沟槽的侧壁分隔开。锚定层从半导体衬底的第一主表面在腔上方延伸到导电构件的上表面上。

主权项：1.一种半导体装置，包括：半导体衬底，具有第一主表面；一个或多个沟槽，被形成在所述第一主表面中，并且具有底基和侧壁，所述侧壁从所述底基延伸到所述第一主表面；锚定层；导电构件，被布置在所述沟槽中，并且通过形成在所述沟槽中的腔而与所述沟槽的所述侧壁分隔开，其中所述锚定层从所述半导体衬底的所述第一主表面在所述腔上方延伸到所述导电构件的上表面上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 半导体装置和在沟槽中产生腔的方法

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