申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790561A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种采用凸型双沟道结构的高线性射频功率器件及制备方法，器件包括：自下而上依次包括衬底层、缓冲层、下沟道层、下背势垒层、上沟道层和上背势垒层；源电极和漏电极，分别位于上背势垒层上；电隔离区，位于器件的两端，且邻接源电极和漏电极；钝化层，位于源电极、漏电极、上背势垒层，以及电隔离区上；若干凸型Fin结构，每个凸型Fin结构包括第一部分和第二部分，第一部分的Fin宽小于第二部分的Fin宽；其中，每个第一部分贯穿钝化层且包括上背势垒层和上沟道层，每个第二部分包括下背势垒层和部分下沟道层；栅电极，位于每个凸型Fin结构的外围，及下沟道层、下背势垒层上上。本发明器件为具有高线性度的双沟道器件。

主权项：1.一种采用凸型双沟道结构的高线性射频功率器件，其特征在于，所述器件包括：自下而上依次包括衬底层、缓冲层、下沟道层、下背势垒层、上沟道层和上背势垒层；源电极和漏电极，分别位于所述上背势垒层上；电隔离区，位于器件的两端，且邻接所述源电极和所述漏电极；钝化层，位于所述源电极、所述漏电极、所述上背势垒层，以及所述电隔离区上；若干凸型Fin结构，每个凸型Fin结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分的Fin宽小于所述第二部分的Fin宽；其中，每个第一部分贯穿所述钝化层且包括所述上背势垒层和所述上沟道层，每个第二部分包括所述下背势垒层和部分所述下沟道层；栅电极，位于每个凸型Fin结构的外围，及所述下沟道层、所述下背势垒层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 采用凸型双沟道结构的高线性射频功率器件及制备方法

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