申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2020-07-09

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN111769200B

主分类号：H10K50/115

分类号：H10K50/115;H10K71/00;H10K59/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：本发明公开了一种量子点发光器件、量子点层图案化的方法及显示装置，在形成量子点层之前，首先在形成有氧化物层的基底上形成了一层光敏材料膜层，光敏材料水解后被修饰在基底上，光敏材料在预设波长的光照射后生成配位基团与量子点层结合，从而将保留区域位置处的量子点与光敏材料紧密结合在一起，未经预设波长的光照射区域内的光敏材料不与量子点层结合；最后，去除量子点层中未与光敏材料结合的量子点，完成量子点层的图案化；与现有技术相比，本发明不需要采用喷墨打印法或光刻法即可完成量子点层的图案化，能够形成高分辨率的，性能良好的量子点。

主权项：1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的氧化物层，位于所述氧化物层背离所述基底一侧的量子点层，以及位于所述氧化物层与所述量子点层之间的连接层；所述连接层的硅醇与所述氧化物层的羟基结合，所述连接层的配位基团与所述量子点层结合，所述配位基团为羧基；其中，所述连接层经由光敏材料水解和预设波长的光照射后形成；其中，所述光敏材料具有：水解生成所述硅醇的硅烷部分，在所述预设波长的光照射后生成所述配位基团的光敏部分，以及连接所述硅烷部分和所述光敏部分的连接部分，所述光敏材料为 其中，R1、R2、R3分别选择甲氧基、乙氧基、叔丁基、氯原子或乙酸根中的一种或多种，R1、R2、R3相同或不同，R4为烷基或芳香基，所述预设波长在300nm-400nm，所述预设波长的光照射的时间为5s-30s，预设波长的光照射的剂量为10MJcm2-80MJcm2，所述连接层的厚度为小于1nm；其中，所述硅烷部分发生水解与所述氧化物层的羟基结合，具体包括：在40℃-80℃的温度范围内，对形成有所述光敏材料膜层的基底进行烘烤，所述光敏材料的硅烷部分发生水解并与所述氧化物层的羟基结合；采用溶剂清洗除去未结合在所述氧化物层上的残余物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件、量子点层图案化的方法及显示装置

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