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【发明公布】一种集成的可调谐的量子点量子光源器件及其制备方法_中山大学_202311635857.6 

申请/专利权人:中山大学

申请日:2023-11-30

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117895331A

主分类号:H01S5/34

分类号:H01S5/34;H01S5/125

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.16#公开

摘要:本发明公开了一种集成的可调谐的量子点量子光源器件,所述器件由上至下依次为介质分布式布拉格反射镜、缺陷型光场限制结构、半导体薄膜层、半导体分布式布拉格反射镜、压电陶瓷衬底;其中,所述介质分布式布拉格反射镜包括若干个第一反射层;所述第一反射层包括分别位于上方和下方的介质高折射层和介质低折射层;量子点位于所述半导体薄膜层中;所述半导体分布式布拉格反射镜包括若干个第二反射层;所述第二反射层包括分别位于上方和下方的半导体高折射层和半导体低折射层;所述压电陶瓷衬底两面镀有金属电极。本发明还公开了一种相应的量子点量子光源器件制备方法。本发明实现了量子光源器件高效率且大范围的调谐。

主权项:1.一种集成的可调谐的量子点量子光源器件,其特征在于,由上至下依次为介质分布式布拉格反射镜、缺陷型光场限制结构、半导体薄膜层、半导体分布式布拉格反射镜、压电陶瓷衬底;其中,所述介质分布式布拉格反射镜包括若干个第一反射层;所述第一反射层包括分别位于上方和下方的介质高折射层和介质低折射层;量子点位于所述半导体薄膜层中;所述半导体分布式布拉格反射镜包括若干个第二反射层;所述第二反射层包括分别位于上方和下方的半导体高折射层和半导体低折射层;所述压电陶瓷衬底两面镀有金属电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中山大学 一种集成的可调谐的量子点量子光源器件及其制备方法

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