申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2022-07-22

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN115313130B

主分类号：H01S3/067

分类号：H01S3/067;H01S3/10;H01S3/1106;H01S3/13

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.11.25#实质审查的生效;2022.11.08#公开

摘要：基于掺钬氟化铟光纤的2‑5μm宽光谱光纤光源属于中红外光纤激光器领域，包括2μm超短脉冲光纤激光器、氟化铟光纤、掺钬氟化铟光纤、中红外光纤合束器、中心波长888nm的半导体激光器、光纤端帽以及氮气制冷装置。本发明立足于在全光纤结构激光器中获得高功率2‑5μm宽光谱光源，提高3.5‑5μm波段内中红外激光的功率、能量以及能量占比。在激光器中使用中红外波段损耗较小的氟化铟光纤拓展宽光谱波段范围，利用掺钬氟化铟光纤放大3.92μm波长附近的激光功率，提高长波边缘能量占比的同时提高孤子阶数，使光谱进一步展宽，最终可以在2‑5μm波段内获得高功率激光脉冲输出，满足于军事、环境监测等应用需求。

主权项：1.基于掺钬氟化铟光纤的2-5μm宽光谱光纤光源，其特征在于：包括2μm超短脉冲光纤激光器、氟化铟光纤、掺钬氟化铟光纤、中红外光纤合束器、中心波长888nm的半导体激光器、光纤端帽以及氮气制冷装置；所述2μm超短脉冲激光器输出端与氟化铟光纤一端熔接，氟化铟光纤另一端与掺钬氟化铟光纤一端熔接，掺钬氟化铟光纤另一端熔接中红外光纤合束器的输入端，中心波长888nm的半导体激光器输出端与中红外光纤合束器的泵浦光纤熔接，用于提供888nm泵浦激光，中红外光纤合束器尾端熔接光纤端帽进行保护；所述2μm超短脉冲光纤激光器用于泵浦氟化铟光纤产生2-4μm范围的宽光谱光源，输出尾纤的纤芯直径不大于12μm，提供峰值功率高于30kW的2μm超短脉冲激光，氟化铟光纤纤芯直径在10-15μm范围内，零色散波长小于2μm，在2-4.6μm波段内的光纤损耗小于100dBkm；所述掺钬氟化铟光纤用于将3.92μm波长处的激光进行功率放大和进一步的光谱展宽，掺钬氟化铟光纤为掺杂钬离子的双包层氟化铟光纤，掺杂浓度为10mol.％，发射截面覆盖3.85-4μm波段，中心波长位于3.92μm，吸收截面的中心波长在888nm处，纤芯直径在15-20μm范围内，在2-5.3μm波段内的光纤损耗小于200dBkm；所述中红外光纤合束器用于将888nm泵浦激光后向耦合进掺钬氟化铟光纤中，中红外泵浦光纤合束器为中红外软玻璃光纤材料的光纤合束器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 基于掺钬氟化铟光纤的2-5μm宽光谱光纤光源

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