申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117890330A

主分类号：G01N21/41

分类号：G01N21/41;G01N21/01;G01M11/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明提供一种基于氧化铟锡介电常数近零模式的侧抛双芯光子晶体光纤折射率传感器，由侧抛处理后的光子晶体光纤的纤芯、六边角形周期分布且大小相等的圆形气孔和三个中心沿纤芯水平轴线分布的椭圆气孔排列而构成双芯光子晶体光纤折射率传感器，纤芯的抛磨平面沉积超薄氧化铟锡薄膜，氧化铟锡薄膜与外界待测介质直接接触，利用ITO薄膜支持的ENZ模式所具有的较长的光与物质相互作用距离的特性实现高灵敏度的折射率传感。该传感器在折射率为1.33～1.38的范围内，能够实现最高22700nmRIU的超高灵敏度折射率传感，并具有结构简单、成本低、与CMOS工艺兼容、灵敏度高、检测范围广和品质因素高的优点。

主权项：1.一种基于氧化铟锡介电常数近零模式的侧抛双芯光子晶体光纤折射率传感器，其特征在于，包括：经过侧抛磨后的纤芯1；在抛磨平面附着的超薄氧化铟锡薄膜2，并与外界待测液体直接接触；以及在纤芯1的外部设置的完美匹配层6；其中，在纤芯1内设置有大小相同且周期排列的圆形空气孔5，以及三个水平并平行地间隔分布的椭圆形气孔4。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 基于氧化铟锡介电常数近零模式的侧抛双芯光子晶体光纤折射率传感器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD