申请/专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司

申请日：2023-03-16

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN116949413B

主分类号：C23C14/56

分类号：C23C14/56;C23C14/04;C23C14/14;C23C14/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本发明公开了一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质，其中，铟柱制备装置的加热组件、工件台和深冷盘管设于腔体内；工件台与第一制冷模块连接；深冷盘管与第二制冷模块连接；腔体底部用于放置铟源材料；加热组件用于加热铟源材料；工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片；第一制冷模块用于将工件台降温至第一温度；第二制冷模块用于将深冷盘管降温至第二温度，以使深冷盘管吸附水汽。本发明分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。

主权项：1.一种铟柱制备装置，其特征在于，所述铟柱制备装置包括腔体、加热组件、工件台、深冷盘管、第一制冷模块和第二制冷模块；所述加热组件、工件台和所述深冷盘管设于所述腔体内；所述工件台与所述第一制冷模块连接；所述深冷盘管与所述第二制冷模块连接；所述腔体底部用于放置铟源材料；所述加热组件用于加热所述铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子；所述工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面；所述第一制冷模块用于将所述工件台降温至第一温度；所述第二制冷模块用于将所述深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡中科德芯感知科技有限公司 铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质

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