申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-08-08

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN111312716B

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B43/10;H01L23/528

优先权：["20181211 KR 10-2018-0158743"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2020.06.19#公开

摘要：本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件可以包括基板和堆叠结构，在该堆叠结构中多个绝缘层和多个互连层交替地堆叠在基板上。隔离区域可以在第一方向上与堆叠结构交叉。多个第一结构可以在垂直于第一方向的第二方向上延伸到堆叠结构中。多个第一图案可以在隔离区域中在第二方向上延伸到堆叠结构中。所述多个第一图案的底部可以比所述多个沟道结构的底部在第二方向上更远离基板的上表面。

主权项：1.一种半导体器件，包括：基板；堆叠结构，包括交替地堆叠在所述基板上的多个绝缘层和多个互连层；隔离区域，在第一方向上与所述堆叠结构交叉；多个第一沟道结构，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸到所述堆叠结构中；多个第一图案，分别形成于在所述隔离区域中并在所述第二方向上延伸到所述堆叠结构中的每个孔中；以及隔离沟槽，在所述隔离区域中并延伸穿过所述堆叠结构，其中所述第一图案中的至少一些与所述隔离沟槽邻接；其中所述多个第一图案的底部比所述多个第一沟道结构的底部在所述第二方向上更远离所述基板的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括沟道结构的半导体器件

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