申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-09-16

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112530973B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/20

优先权：["20190918 US 16/574,417"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.04.06#实质审查的生效;2021.03.19#公开

摘要：本申请案涉及包括存储器单元及选择栅极的组合件。一些实施例包含一种组合件，其具有包含电介质层级及导电层级的存储器堆叠。选择栅极结构在所述存储器堆叠上方。沟槽延伸穿过所述选择栅极结构。所述沟槽沿着横截面具有第一侧及相对的第二侧。所述沟槽将所述选择栅极结构分成第一选择栅极配置及第二选择栅极配置。空隙在所述沟槽内且横向地在所述第一选择栅极配置与所述第二选择栅极配置之间。通道材料柱延伸穿过所述存储器堆叠。存储器单元沿着所述通道材料柱。

主权项：1.一种组合件，其包括：存储器堆叠，其包括电介质层级及导电层级；选择栅极结构，其在所述存储器堆叠上方；材料层，其抵靠所述选择栅极结构并抵靠所述存储器堆叠，所述材料层包括与所述存储器堆叠的所述电介质层级的电介质组合物不同的电介质组合物；沟槽，其延伸穿过所述选择栅极结构；所述沟槽沿着横截面具有第一侧及相对的第二侧；所述沟槽将所述选择栅极结构分成第一选择栅极配置及第二选择栅极配置；空隙，其在所述沟槽内且横向地在所述第一选择栅极配置与所述第二选择栅极配置之间；通道材料柱，其延伸穿过所述存储器堆叠；存储器单元，其沿着所述通道材料柱；且其中所述沟槽和所述空隙由完全配置为平面结构的结构密封。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包括存储器单元及选择栅极的组合件

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