申请/专利权人：复旦大学

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766397A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L21/308

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供了F‑FET器件的沟道刻蚀方法，包括：在衬底上形成的若干堆叠结构，且通过隔离结构隔离；隔离结构包括隔离槽以及填充于隔离槽内的隔离保护层；每个堆叠结构均包括沿远离衬底的方向上堆叠的第一半导体层与第二半导体层；以隔离保护层为掩膜，刻蚀第一堆叠结构中的第二半导体，以形成第一刻蚀空腔，并仅保留第一半导体层；形成第一图形化的掩膜层；以第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀暴露出来的第二堆叠结构直至衬底的表层，以在第二堆叠结构中形成开槽；以剩余的第一图形化的掩膜层为掩膜，选择性刻蚀开槽两侧的第一半导体层，以形成第二刻蚀空腔，仅保留剩余的第二半导体层，在第一隔离结构沿第一方向的两侧分别形成第一半导体沟道结构。

主权项：1.一种F-FET器件的沟道刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一半导体结构；所述第一半导体结构包括形成于所述衬底上的若干堆叠结构，每个堆叠结构均包括沿远离所述衬底的方向上交替堆叠的第一半导体层与第二半导体层；其中所述若干堆叠结构沿所述衬底的第一方向依次排列，且相邻的堆叠结构之间通过隔离结构隔离；所述隔离结构包括隔离槽以及填充于所述隔离槽内的隔离保护层，且所述隔离保护层的高度不低于所述隔离槽的高度；沿所述第一方向，所述若干堆叠结构依次分为第一堆叠结构、第二堆叠结构以及其他堆叠结构；其中，所述第一堆叠结构的第一侧壁暴露，且其第二侧壁由所述隔离保护层保护；其中，用于隔离所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构的隔离结构记为第一隔离结构；以若干所述隔离保护层为掩膜，选择性刻蚀所述第一堆叠结构中的第二半导体层或第一半导体层，以形成第一刻蚀空腔，并仅保留第一半导体层或第二半导体层；形成第一图形化的掩膜层；所述第一图形化掩膜层填充于所述第一刻蚀空腔中，包裹所述第一堆叠结构的所述第一侧壁，且覆盖于所述若干堆叠结构与若干所述隔离保护层的表面；仅暴露出部分所述第二堆叠结构的顶端；以所述第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀暴露出来的所述第二堆叠结构直至所述衬底的表层，以在所述第二堆叠结构中形成开槽，所述沟槽将所述第二堆叠结构沿所述第一方向分成第一部分与第二部分；以剩余的所述第一图形化的掩膜层为掩膜，选择性刻蚀所述开槽两侧的第一半导体层或第二半导体层，以形成第二刻蚀空腔，并仅保留剩余的第二半导体层或第一半导体层，以在所述第一隔离结构沿所述第一方向的两侧分别形成第一半导体沟道结构与第二半导体沟道结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 F-FET器件的沟道刻蚀方法与F-FET器件的制备方法

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