申请/专利权人：苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司

申请日：2019-10-24

公开（公告）日：2020-02-11

公开（公告）号：CN110774165A

主分类号：B24B37/005(20120101)

分类号：B24B37/005(20120101);B24B37/013(20120101);B24B37/04(20120101);B24B37/10(20120101);B24B49/12(20060101);C30B33/00(20060101);H01L21/306(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.23#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：本发明提供一种半导体材料晶片的抛光方法，涉及晶片抛光技术领域。该半导体材料晶片的抛光方法，包括以下步骤：S1.准备好浓度为15‑20％的HCl溶液，将半导体晶片置于真空箱中的旋转盘上，利用HCl溶液对半导体晶片进行喷淋；S2.将抛光设备设置在工作台上，将半导体晶片固定在抛光设备上，同时在工作台上设置多轴机械爪、PLC、工业相机与红外线灯头；S3.利用抛光设备对半导体晶片的一面进行抛光处理。通过利用工业相机拍取半导体晶片的图像并发送给PLC，判断半导体晶片的抛光厚度误差是否在允许范围内，从而可以有效的分辨出抛光后的晶片是否合格，大大提高了晶片抛光的精准度，有利于晶片的后期加工以及使用。

主权项：1.一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.准备好浓度为15-20％的HCl溶液，将半导体晶片置于真空箱中的旋转盘上，利用HCl溶液对半导体晶片进行喷淋，然后再利用去离子水对半导体晶片进行冲洗，冲洗之后调节真空箱中温度为40-50℃，通入适量的氮气，对半导体晶片进行干燥处理；S2.将抛光设备设置在工作台上，将半导体晶片固定在抛光设备上，同时在工作台上设置多轴机械爪、PLC、工业相机与红外线灯头，在PLC中设置好良品对照图像以及加工品的误差允许范围，其中红外线灯头固定在多轴机械爪的末端；S3.利用抛光设备对半导体晶片的一面进行抛光处理，抛光完毕之后，利用工业相机拍取半导体晶片的图像并发送给PLC，PLC对图像进行灰度化处理，然后对该图像与良品对照图像进行分析对比，判断半导体晶片的抛光厚度误差是否在允许范围内；S4.当半导体晶片表面的厚度误差过大，PLC先控制多轴机械爪带着红外线灯头移动到半导体晶片存在较大误差的区域，然后PLC再控制红外线灯头的红外线开启，利用红外线对该区域进行照射，再次利用抛光设备对出现较大误差的区域进行再次抛光处理；S5.半导体晶片的一面抛光处理完毕之后，去除半导体晶片表面上的杂物，然后将晶片翻转到另一面，将晶片的另一面继续抛光处理，并检测处理之后的厚度误差。

全文数据：

权利要求：

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