申请/专利权人：韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司

申请日：2019-09-04

公开（公告）日：2020-03-10

公开（公告）号：CN110870790A

主分类号：A61B18/12(20060101)

分类号：A61B18/12(20060101);A61B18/14(20060101);A61B34/20(20160101);A61B5/042(20060101)

优先权：["20180904 US 16/120718"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.05.24#发明专利申请公布后的撤回;2021.08.06#实质审查的生效;2020.03.10#公开

摘要：本发明题为“使用外部磁体的具有霍尔传感器的单轴传感器SAS”。提供了一种基于导管的跟踪系统，该跟踪系统包括一个或多个场发生器和处理器。与磁共振成像MRI系统相邻地定位的一个或多个场发生器被配置成施加交流AC磁场。该处理器被配置成接收信号，该信号响应于AC磁场而在单轴传感器SAS中产生，该单轴传感器装配在插入患者的器官中的导管的远侧端部处；基于从SAS接收的信号来计算远侧端部的方向；从装配在导管的远侧端部处的霍尔效应传感器接收磁共振成像MRI系统的直流DC磁场的感测分量；以及基于所计算的方向和DC磁场的感测分量来计算远侧端部在器官内的滚转角。

主权项：1.一种基于导管的跟踪系统，包括：一个或多个场发生器，所述一个或多个场发生器与磁共振成像MRI系统相邻地定位并被配置成施加一个或多个交流AC磁场；和处理器，所述处理器被配置成：接收信号，所述信号响应于所述AC磁场而在单轴传感器SAS中产生，所述单轴传感器装配在插入患者的器官中的导管的远侧端部处；基于从所述SAS接收的所述信号，计算所述远侧端部的方向；从装配在所述导管的所述远侧端部处的霍尔效应传感器接收所述磁共振成像MRI系统的直流DC磁场的感测分量；以及基于所计算的方向和所述DC磁场的所述感测分量来计算所述远侧端部在所述器官内的滚转角。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司 使用外部磁体的具有霍尔传感器的单轴传感器(SAS)

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