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【发明公布】具有底部N触点的台面形微型发光二极管_脸谱科技有限责任公司_201880063200.8 

申请/专利权人:脸谱科技有限责任公司

申请日:2018-09-07

公开(公告)日:2020-05-12

公开(公告)号:CN111149224A

主分类号:H01L33/10(20060101)

分类号:H01L33/10(20060101);H01L25/075(20060101);H01L25/16(20060101);H01L33/00(20060101);H01L33/06(20060101);H01L33/20(20060101);H01L33/24(20060101);H01L33/32(20060101);H01L33/42(20060101)

优先权:["20170929 US 15/721,417"]

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态:2024.03.08#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.06.05#实质审查的生效;2020.05.12#公开

摘要:一种发光二极管LED,在该LED的顶部具有第一电触点,并且在该LED的底部具有第二电触点。在衬底上形成材料层。材料层包括第一半导体层、第二半导体层以及第一半导体层和第二半导体层之间的发光层,该发光层用于响应于通过该发光层的电流而产生光。形成的材料层被成形为至少一个半导体结构。在半导体结构的顶部形成第一电触点,并且在半导体结构的底部形成第二电触点。第二电触点至少部分地透明。

主权项:1.一种用于制造发光二极管LED的方法,所述方法包括:在衬底上形成材料层,所述材料层包括第一半导体层、第二半导体层以及所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层,所述发光层用于响应于通过所述发光层的电流而产生光;将形成的材料层成形为至少一个半导体结构;在所述半导体结构的顶部形成第一电触点;从所述衬底移除所述半导体结构;以及在所述半导体结构的底部形成第二电触点,其中,所述第二电触点至少部分地透明。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 脸谱科技有限责任公司 具有底部N触点的台面形微型发光二极管

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