申请/专利权人：信利光电股份有限公司

申请日：2018-05-30

公开（公告）日：2020-05-22

公开（公告）号：CN108611641B

主分类号：C23F1/18(20060101)

分类号：C23F1/18(20060101);C23F1/20(20060101);C23F1/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.22#授权;2018.10.30#实质审查的生效;2018.10.02#公开

摘要：本发明提供了一种合金蚀刻液，由以下成分组成：醋酸：5～25wt％；双氧水：1～35wt％；表面活性剂：0.1～5wt％；消泡剂：0.1～5wt％；余量为去离子水。本发明针对图1中特殊的三明治结构，采用了醋酸与双氧水配伍，能够有效的控制蚀刻的速率，使不同层之间的蚀刻速率达到一致，提高蚀刻效果。实验结果表明，采用本申请中合金蚀刻液对图1中的三层合金结构进行蚀刻，蚀刻界面平整，速率可控，且表面无残留。本发明还提供了一种合金的蚀刻方法。

主权项：1.一种合金蚀刻的方法，其特征在于，所使用的蚀刻液由以下成分组成：醋酸：10～20wt％；双氧水：20～30wt％；表面活性剂：1.5wt％；消泡剂：1.0wt％；余量为去离子水；所述蚀刻的基材为三层膜层结构，从上至下依次为：第一金属氧化物层、铜层和第二金属氧化物层；所述第一金属氧化物层中包含氧化铜、氧化锌和氧化铝；所述第二金属氧化物层中包含氧化铜、氧化锌和氧化铝。

全文数据：一种合金蚀刻液及合金的蚀刻方法技术领域[0001]本发明属于触摸屏技术领域，尤其涉及一种合金蚀刻液及合金的蚀刻方法。背景技术[0002]金属网格技术应用在大尺寸触摸屏领域越来越广泛，其主要采用铜等金属材料，在薄膜上压制所形成的导电金属网格图案。但是，采用铜材料制作金属网格图案，其反射率太高，生产出来的产品会产生严重的底影。为了改善底影效果，降低铜走线的反射率，一般采用如图1所示的三明治结构，既可以实现较高的导电性，又可以降低走线的反射率，实现底影轻微甚至无底影的效果。[0003]但是该种结构存在的困难是各层之间的蚀刻速率不一样，使用现有的蚀刻液对该结构的基材进行蚀刻时，蚀刻程度难以掌握，因此，需要研制一种特殊的蚀刻液让不同层之间的蚀刻速率达到一致。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种合金蚀刻液及一种合金蚀刻方法，本发明中的合金蚀刻液能够让不同层之间的蚀刻速率达到一致。[0005]本发明提供一种合金蚀刻液，由以下成分组成：[0006]醋酸：5〜25wt%;双氧水：1〜35wt%;表面活性剂：0·1〜5wt%;消泡剂：0·1〜5wt%;余量为去尚子水。[0007]优选的，所述表面活性剂为月桂醇硫酸钠或木质素磺酸盐。[0008]优选的，所述消泡剂为聚二甲基硅氧烷。[0009]优选的，所述醋酸的质量分数为10〜20wt%。[0010]优选的，所述双氧水的质量分数为20〜30wt%。[0011]优选的，所述表面活性剂的质量分数为1.5〜3wt%。[0012]优选的，所述消泡剂的质量分数为1.0〜3wt%。[0013]本发明提供一种合金蚀刻的方法，其特征在于，所使用的蚀刻液为上文所述的蚀刻液；[00M]所述蚀刻的基材为三层膜层结构，从上至下依次为:第一金属氧化物层、铜层和第二金属氧化物层；[0015]所述第一金属氧化物层中包含氧化铜、氧化锌和氧化铝；[0016]所述第二金属氧化物层中包含氧化铜、氧化锌和氧化铝。[0017]本发明提供了一种合金蚀刻液，由以下成分组成:醋酸：5〜25wt%;双氧水：1〜35wt%;表面活性剂:0.1〜5wt%;消泡剂:0.1〜5wt%;余量为去离子水。本发明针对图1中特殊的三明治结构，采用了醋酸与双氧水配伍，能够有效的控制蚀刻的速率，使不同层之间的蚀刻速率达到一致，提高蚀刻效果。实验结果表明，采用本申请中合金蚀刻液对图1中的三层合金结构进行蚀刻，蚀刻界面平整，速率可控，且表面无残留。附图说明[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。[0019]图1为本发明所蚀刻膜层的结构示意图。具体实施方式[0020]本发明提供了一种合金蚀刻液，由以下成分组成：[0021]醋酸：5〜25wt%;双氧水：1〜35wt%;表面活性剂：0.1〜5wt%;消泡剂：0.1〜5wt%;余量为去尚子水。[0022]在本发明中，由于氧化铜的厚度较薄，为了控制反应速率，需要控制氢离子的浓度，所述醋酸的质量分数优选为5〜25wt%，更优选为10〜20wt%，具体的，可以是5wt%或10wt%；[0023]铜的氧化物和其他金属氧化物很容易和溶液中的氢离子反应，但是纯铜却不和氢离子反应。为了解决这个问题，让溶液中加入氧化剂。所述双氧水的质量分数优选为1〜35wt%，更优选为20〜30wt%，具体的，可以是20wt%或30wt%;[0024]所述表面活性剂优选为月桂醇硫酸钠或木质素磺酸盐，由于本发明中蚀刻液的主体为醋酸和双氧水，所述表面活性剂的加入能够使蚀刻液更好的润湿膜层表面。所述表面活性剂的质量分数优选为〇.1〜5wt%，更优选为1.5〜3wt%。[0025]为了防止蚀刻液在喷淋中出现气泡，本发明在蚀刻液中加入了消泡剂，所述消泡剂优选为聚二甲基硅氧烷，所述消泡剂的质量分数优选为0.1〜5wt%，更优选为1.0〜3wt%〇[0026]具体的，在本发明的实施例中，所述合金蚀刻液可以是以下几种配比：[0027]醋酸:5wt%;双氧水:20wt%;表面活性剂：1.5wt%;消泡剂：I.Owt%;余量为去离子水。[0028]醋酸：10wt%;双氧水:20wt%;表面活性剂：1.5wt%;消泡剂：1.0wt%;余量为去离子水。[0029]醋酸：10wt%;双氧水:30wt%;表面活性剂：1.5wt%;消泡剂：1.0wt%;余量为去呙子水。[0030]本发明还提供了一种合金蚀刻的方法，本发明中的方法使用了上文所述的合金蚀刻液;并且，本发明中的合金蚀刻液针对性的应用在具有图1所示的三层膜层结构上，具有蚀刻速率可控，且蚀刻速率一致的效果。[0031]在本发明中，所述图1所示的结构中，第一金属氧化物层包括氧化铜、氧化锌和氧化铝;所述第一金属氧化物层的厚度优选为200nm。[0032]所述铜层的成分为纯铜。[0033]所述第二金属氧化物层包括氧化铜、氧化锌和氧化铝，所述第二金属氧化物层的厚度优选为200nm〇[0034]本发明提供了一种合金蚀刻液，由以下成分组成:醋酸：5〜25wt%;双氧水：1〜35wt%;表面活性剂:0.1〜5wt%;消泡剂:0.1〜5wt%;余量为去离子水。本发明针对图1中特殊的三明治结构，采用了醋酸与双氧水配伍，能够有效的控制蚀刻的速率，使不同层之间的蚀刻速率达到一致，提高蚀刻效果。实验结果表明，采用本申请中合金蚀刻液对图1中的三层合金结构进行蚀刻，蚀刻界面平整，速率可控，且表面无残留。[0035]为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种合金蚀刻液及合金蚀刻的方法进行详细描述，但不能将其理解为对本发明保护范围的限定。[0036]实施例1〜3[0037]按照表1中的配方，使用去离子水配制成合金蚀刻液，并对图1所示结构进行蚀刻。结果如表3.[0038]表1本发明实施例1〜3中合金蚀刻液的成分[0040]实施例1〜3中的表面活性剂为月桂醇硫酸钠;消泡剂为聚二甲基硅氧烷。[0041]比较例1〜3[0042]按照表2中的配方，使用去离子水配制成合金蚀刻液，并对图1中所示结构进行蚀亥1J。结果如表3所不。[0043]表2本发明比较例1〜3中合金蚀刻液的配方[0045]表3本发明实施例1〜3和比较例1〜3中合金蚀刻液的蚀刻效果[0047]通过实施例2和对比例1的比较可见，强酸对铜的蚀刻速度有较大影响，会影响蚀刻的效果；[0048]通过实施例1和实施例2的比较可见，醋酸含量的多少对铜的蚀刻速度有较大影响，醋酸含量过低会造成蚀刻不尽；[0049]通过实施例2和对比例3的比较可见，FeCl3在控制蚀刻的速率方面不如双氧水。[0050]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

权利要求：1.一种合金蚀刻液，由以下成分组成：醋酸：5〜25wt%;双氧水：1〜35wt%;表面活性剂：0·1〜5wt%;消泡剂：O·1〜5wt%;余量为去尚子水。2.根据权利要求1所述的合金蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为月桂醇硫酸钠或木质素磺酸盐。3.根据权利要求1所述的合金蚀刻液，其特征在于，所述消泡剂为聚二甲基硅氧烷。4.根据权利要求1所述的合金蚀刻液，其特征在于，所述醋酸的质量分数为10〜20wt%。5.根据权利要求1所述的合金蚀刻液，其特征在于，所述双氧水的质量分数为20〜30wt%。6.根据权利要求1所述的合金蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂的质量分数为1.5〜3wt%〇7.根据权利要求1所述的合金蚀刻液，其特征在于，所述消泡剂的质量分数为1.0〜3wt%〇8.—种合金蚀刻的方法，其特征在于，所使用的蚀刻液为权利要求1〜7任意一项所述的蚀刻液；所述蚀刻的基材为三层膜层结构，从上至下依次为:第一金属氧化物层、铜层和第二金属氧化物层；所述第一金属氧化物层中包含氧化铜、氧化锌和氧化铝；所述第二金属氧化物层中包含氧化铜、氧化锌和氧化铝。

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