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【实用新型】一种功率型电路_北京金晟达生物电子科技有限公司_201921407264.3 

申请/专利权人:北京金晟达生物电子科技有限公司

申请日:2019-08-28

公开(公告)日:2020-05-22

公开(公告)号:CN210609116U

主分类号:H03K19/003(20060101)

分类号:H03K19/003(20060101);H03K19/094(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.05.22#授权

摘要:本实用新型公开了一种功率型电路,包括驱动芯片,所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极;所述电容C2的负极接地;所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极,所述电容C1的负极接地;所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端,所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端,所述变压器T初级线圈的另一端接地。本实用新型在电路中增加一颗安规电容,可以有效降低30MHz‑100MHz的干扰强度。

主权项:1.一种功率型电路,包括驱动芯片,其特征在于,所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极;所述电容C2的负极接地;所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极,所述电容C1的负极接地;所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端,所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端,所述变压器T初级线圈的另一端接地;所述变压器T的次级线圈一端连接所述电容C1的正极,另一端连接有二极管D3的正极和MOS管的漏极,所述二极管D3的负极连接有电容C3的正极和电阻RF1的一端,所述电阻RF1的另一端连接有电阻RF2的一端,所述电阻RF2的另一端和所述电容C3的负极均接地;所述驱动芯片的引脚DOP连接所述MOS管的栅极,所述MOS管的源极连接有电阻RS的一端,所述电阻RS的另一端连接有电容CS1,所述电容CS1的另一端接地,所述电阻RS的另一端也接地;所述驱动芯片的引脚CS连接所述电阻RS的一端,所述驱动芯片的引脚VFB连接所述电阻RF1的一端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京金晟达生物电子科技有限公司 一种功率型电路

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