申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院

申请日：2019-11-04

公开（公告）日：2020-06-12

公开（公告）号：CN111276555A

主分类号：H01L31/0304(20060101)

分类号：H01L31/0304(20060101);H01L31/107(20060101);G06F30/20(20200101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.07.07#实质审查的生效;2020.06.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于InGaAsInAlAsInP雪崩光电探测器的结构优化方法，所述结构优化方法包括：根据雪崩探测器的实际结构和类型建立起相应仿真模型，并将所述雪崩探测器的实际性能与仿真模型的仿真实验结果进行拟合，之后依据拟合结果优化该雪崩探测器的倍增层掺杂浓度、电荷层掺杂浓度和电荷层厚度等，最终得到优化后的器件结构。本发明提供的方法能够通过模拟计算优化器件的外延结构，从而有效地控制雪崩光电二极管器件内部电场分布情况，进而实现对器件贯穿电压、击穿电压等特性的有效控制，从而提高器件性能并满足实际需求，具有广泛应用前景。

主权项：1.一种基于InGaAsInAlAsInP雪崩光电探测器的结构优化方法，其特征在于包括：提供雪崩光电探测器，并建立用于描述所述雪崩光电探测器的模拟模型；将基于所述雪崩光电探测器的测试结果与基于所述模拟模型的计算结果进行拟合；将所述测试结果和计算结果进行拟合，并根据拟合结果至少调节所述雪崩光电探测器外延结构中的电荷层厚度及掺杂浓度、缓冲层厚度及掺杂浓度中的任意一种或多种，进而至少实现对所述雪崩光电探测器的贯穿电压和击穿电压的调节，最终获得优化后的雪崩光电探测器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法

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