申请/专利权人：深圳市纽瑞芯科技有限公司

申请日：2019-12-02

公开（公告）日：2020-06-30

公开（公告）号：CN210899084U

主分类号：H03D7/16(20060101)

分类号：H03D7/16(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.06.30#授权

摘要：本实用新型涉及一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路，属于无源混频器设计领域。该电路包括一个NMOS管，七个电阻，四个开关；其中第一电阻的1端、第二电阻的2端均和NMOS管的栅极连接于Vg1节点，第一电阻的2端和NMOS管的源极均接地，第二电阻的1端、第三电阻的2端均与NMOS管M1的漏极相连接，参考电流IREF从第七电阻的1端流入，第七电阻的2端依次与第六、第五、第四、第三电阻串连；四个开关的一端分别接第六电阻、第五电阻、第四电阻和第三电阻的1端，四个开关的另一端相连共同输入偏置电压VBIAS。本实用新型可解决因NMOS开关管漏电而恶化混频器线性度的问题，电路结构简单，功耗低。

主权项：1.一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路，其特征在于，该电路包括一个NMOS管M1，七个电阻，四个开关；其中第一电阻R1的1端、第二电阻R2的2端均和NMOS管M1的栅极连接于Vg1节点，第一电阻R1的2端和NMOS管M1的源极均接地，第二电阻R2的1端、第三电阻R3的2端均与NMOS管M1的漏极相连接于Vx节点，参考电流IREF从第七电阻R7的1端流入，第七电阻R7的2端依次与第六电阻R6、第五电阻R5、第四电阻R4和第三电阻R3串连；所述四个开关的一端分别接第六电阻R6的1端、第五电阻R5的1端、第四电阻R4的1端和第三电阻R3的1端，四个开关的另一端相连共同输入偏置电压VBIAS。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市纽瑞芯科技有限公司 跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路

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