申请/专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2020-03-19

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370295A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);B81C1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.17#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明涉及一种半导体结构的干燥方法，其中半导体结构包括腔体，该干燥方法包括：使用可溶于水的有机溶剂液体置换出腔体内的去离子水，置换后腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；利用有机溶剂蒸汽对腔体进行干燥，以去除腔体内的所述互溶溶液。上述半导体结构的干燥方法先采用有机溶剂置换出腔体内去离子水，由于有机溶剂易溶于水，因此利用浓度高的有机溶剂溶液可置换出腔体内的大部分去离子水，从而使得腔体内的去离子水变为有机溶剂溶液。然后再采用有机溶剂蒸汽将腔体内残留的有机溶剂与去离子水的溶液蒸发出来，从而可以有效地将腔体内剩余少量的去离子水蒸发出来，提升了干燥效率。

主权项：1.一种半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水，置换后所述腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内的所述互溶溶液。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 半导体结构的干燥方法

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