申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2014-12-17

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN110676324B

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L27/12

优先权：["20131227 JP 2013-271783"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置在驱动电路部具有第一晶体管，所述半导体装置在像素部具有：电容元件、与所述电容元件电连接的第二晶体管、所述第二晶体管上的第一绝缘膜、以及所述第一绝缘膜上的有机树脂膜，所述电容元件具有第一氧化物半导体膜和包括具有透光性的导电性材料的第一导电膜，所述第二晶体管具有：具有沟道形成区域的第二氧化物半导体膜；在所述第二氧化物半导体膜上隔着第二绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第二导电膜；以及与所述第二氧化物半导体膜电连接并且由与所述第二导电膜同一层构成的源电极及漏电极，所述有机树脂膜具有开口部，所述第一导电膜经由所述开口部与所述源电极或所述漏电极电连接，所述第一导电膜具有位于所述有机树脂膜上的区域和不与所述第二绝缘膜重叠且与所述第一绝缘膜及所述第一氧化物半导体膜重叠的区域，所述第一氧化物半导体膜具有与所述第一绝缘膜接触的区域和与所述第二绝缘膜接触的区域，所述第一晶体管的沟道长度与所述第二晶体管的沟道长度不同。

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权利要求：

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