申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2018-11-28

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111448757A

主分类号：H03H9/25(20060101)

分类号：H03H9/25(20060101);H01L25/065(20060101);H01L25/07(20060101);H01L25/18(20060101);H01L41/047(20060101);H01L41/053(20060101);H01L41/187(20060101)

优先权：["20171213 JP 2017-238931"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.04#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：在将弹性波元件和半导体元件形成为一体来谋求小型化的同时，降低向支承构件的漏电流的产生。电子部件1具备支承构件2、压电膜4和IDT电极5。支承构件2以硅为主成分。压电膜4直接或者间接地设置在支承构件2上。IDT电极5包含多个电极指51。多个电极指51相互隔离地排列设置。IDT电极5设置在压电膜4的主面41。在将由IDT电极5的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电膜4的膜厚L1为3.5λ以下。在支承构件2中，高杂质浓度区域27与低杂质浓度区域28相比远离压电膜4。

主权项：1.一种电子部件，其特征在于，具备：支承构件，以硅为主成分；压电膜，直接或者间接地设置在所述支承构件上；和IDT电极，包含相互隔离地排列设置的多个电极指，设置在所述压电膜的主面，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，所述支承构件的厚度方向上的所述压电膜的膜厚为3.5λ以下，所述支承构件具有：高杂质浓度区域，包含杂质；和低杂质浓度区域，与所述高杂质浓度区域相比杂质的浓度低，所述低杂质浓度区域与所述压电膜以及所述IDT电极一起构成弹性波元件，所传播的体波的声速与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比为高速，所述高杂质浓度区域构成半导体元件，与所述低杂质浓度区域相比远离所述压电膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社村田制作所 电子部件

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