申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司
申请日:2020-05-29
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN111668137A
主分类号:H01L21/67(20060101)
分类号:H01L21/67(20060101);G05D16/20(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2024.01.26#发明专利申请公布后的驳回;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要:本申请涉及半导体集成电路技术领域,具体涉及一种用于高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法。其中检调装置包括前级管路,前级管路上设有气体入口;气流控制装置,气流控制装置包括控制管路,控制管路的进气端连接气源,控制管路的出气端连接气体入口;质量流量控制器,质量流量控制器设于靠近控制管路的进气端处,用于根据前级管路和反应腔之间的压力差,控制流经质量流量控制器的气体的质量流量。其中方法包括:获取前级管路和反应腔的压力信息;确定前级管路和反应腔之间的压力差;控制流经质量流量控制器的气体的质量流量;调整前级管路的压力从而控制前级管路和反应腔之间的压差。本申请能防止排放至前级管路的反应副产物倒灌至反应腔内。
主权项:1.一种用于浅沟槽隔离结构高深宽比工艺的管路压力检调装置,其特征在于,所述管路压力检调装置包括:前级管路,所述前级管路上设有调压气体入口;气流控制装置,所述气流控制装置包括控制管路,所述控制管路的进气端连接气源,所述控制管路的出气端连接所述调压气体入口;质量流量控制器,所述质量流量控制器设于靠近所述控制管路的进气端处,用于根据前级管路和反应腔之间的压力差,控制流经所述质量流量控制器的调压气体的质量流量。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 用于高深宽比工艺的管路压力检调装置和检调方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。