申请/专利权人：北京世纪金光半导体有限公司

申请日：2018-06-14

公开（公告）日：2020-09-29

公开（公告）号：CN111725291A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.10.04#发明专利申请公布后的撤回;2020.10.27#实质审查的生效;2020.09.29#公开

摘要：本发明公开了JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法；自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和JTE，所述P+区和所述JTE的一端连接；所述JTE顶部设置有若干个沟槽环，所述沟槽环中填有High‑K介质。本申请的新型复合终端耐压结构工艺简单，对JTE浓度敏感性降低，同时能提高器件终端的耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积；同时终端的N型抗浪涌电流增强层Surgelayer在正向导通时大的浪涌电流下还能起到分流作用，增强器件的抗浪涌电流能力。

主权项：1.一种JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件，自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和底部平整的JTE结构，所述P+区和所述JTE结构的一端连接；其特征在于，所述JTE结构的顶部设置有若干个沟槽环，所述沟槽环中填有High-K介质。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京世纪金光半导体有限公司 一种JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法

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