申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2018-12-22

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111788165A

主分类号：C04B41/50(20060101)

分类号：C04B41/50(20060101);C04B41/49(20060101);C04B41/87(20060101);C04B41/00(20060101);C23C16/32(20060101);C04B111/00(20060101)

优先权：["20180118 EP 18152228.5","20171227 US 62/610,671"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.14#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷DMS作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅SiC来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的主体用于制造用于高温应用、基座和反应器、半导体材料以及晶片的制品的用途。

主权项：1.用于制造包括不同密度的至少两个碳化硅SiC层的涂覆SiC的主体的工艺，所述工艺包括以下步骤A将具有一开口孔隙率的多孔石墨基板定位在工艺腔室中；B在存在H2作为净化气体的情况下在大气压力下将所述工艺腔室中的所述多孔石墨基板加热到在1000℃至1200℃的范围内的温度；C通过以二甲基二氯硅烷DMS的第一量将DMS和H2的混合物引入到所述工艺腔室中来在第一沉积阶段中在所述石墨基板的表面上沉积结晶SiC晶粒；D增加或减少DMS的量并通过以DMS的第二量将DMS和H2的混合物引入到所述工艺腔室中来在第二沉积阶段中在步骤C的涂覆SiC的所述石墨基板上沉积结晶SiC晶粒；E任选地重复步骤D一次或多次，由此实施以下一个或多个附加的步骤：通过以一个或多个另外的DMS量将DMS和H2的混合物引入到所述工艺腔室中来在一个或多个附加的沉积阶段中在涂覆SiC的所述石墨基板上沉积结晶SiC晶粒；F冷却从步骤E得到的所述主体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD