申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2019-12-13

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987072A

主分类号：H01L23/538(20060101)

分类号：H01L23/538(20060101);H01L27/24(20060101);H01L45/00(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：["20190522 KR 10-2019-0060003"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：这项技术提供了一种电子设备及其制造方法。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括：衬底，其包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分；多个存储单元，其设置在衬底的第一部分之上；第一绝缘层，其在衬底的第二部分之上延伸并且至少部分地填充多个存储单元中的相邻存储单元之间的空间；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层之上，并且其中，第一绝缘层的介电常数小于第二绝缘层的介电常数，或第一绝缘层的导热率小于第二绝缘层的导热率，或同时满足这两者。

主权项：1.一种电子设备，包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：衬底，其包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分；多个存储单元，其设置在所述衬底的所述第一部分之上；第一绝缘层，其在所述衬底的所述第二部分之上延伸并且至少部分地填充所述多个存储单元中的相邻存储单元之间的空间；和第二绝缘层，其设置在所述第一绝缘层之上，以及其中，所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数、所述第一绝缘层的导热率小于所述第二绝缘层的导热率、或同时满足这两者。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 电子设备及其制造方法

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