申请/专利权人：JXTG能源株式会社

申请日：2017-01-31

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN108603972B

主分类号：G02B5/30(20060101)

分类号：G02B5/30(20060101);G02F1/13363(20060101)

优先权：["20160203 JP 2016-018921"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.24#授权;2019.01.01#实质审查的生效;2018.09.28#公开

摘要：光学相位差构件100具备：透明基体40，其具有凹凸图案80；相位差调整层35，其形成于上述凹凸图案80的凹部70及凸部60的表面；被覆层30，其被覆上述相位差调整层35；间隙部90，其划分于上述凹凸图案80的上述凸部60间，该凹凸图案80是形成了上述相位差调整层35及被覆层30的；及密闭层20，其以将上述凹凸图案80的上述凸部60的顶部60t连结且将上述间隙部90密闭的方式设置于上述凹凸图案80的上部；上述凸部60的折射率n1、上述相位差调整层35的折射率n2、上述被覆层30的折射率n3满足n1＜n2＜n3。光学相位差构件100即便使用粘着剂与其他构件接合或被施加负荷，亦能够产生所期望的相位差，并且能够以低成本且短时间进行制造。

主权项：1.一种光学相位差构件，其特征在于，其具备：透明基体，其具有凹凸图案；相位差调整层，其形成于所述凹凸图案的凹部及凸部的表面；被覆层，其被覆所述相位差调整层；间隙部，其划分于所述凹凸图案的所述凸部间，该凹凸图案形成了所述相位差调整层及所述被覆层；及密闭层，其是以将所述凹凸图案的所述凸部的顶部连结且将所述间隙部密闭的方式设置于所述凹凸图案的上部；所述凸部的折射率n1、所述相位差调整层的折射率n2、所述被覆层的折射率n3满足n1＜n2＜n3，且满足0.8√n1·n3≦n2≦1.05√n1·n3。

全文数据：光学相位差构件、具备光学相位差构件的复合光学构件、及光学相位差构件的制造方法技术领域[0001]本发明是关于一种光学相位差构件、具备光学相位差构件的复合光学构件及光学相位差构件的制造方法。背景技术[0002]光学相位差板具有非常多的用途，用于反射型液晶显示装置、半穿透型液晶显示装置、光盘用读取头、PS转换元件、投影机投影型显示装置等各种用途。[0003]光学相位差板中存在由如方解石、云母、水晶般的存在于自然界中的双折射晶体所形成的、或由双折射聚合物所形成的、通过人工设置短于使用波长短的周期构造而形成的等。[0004]作为人工设置周期构造而形成的光学相位差板，有于透明基板上设置凹凸构造而成的。光学相位差板中使用的凹凸构造具有短于使用波长短的周期，例如具有如图9所示般的条纹状的图案。此种凹凸构造具有折射率异向性，若光相对于图g的光学相位差板4〇〇的基板420垂直地入射，则于凹凸构造内，平行于凹凸构造的周期方向的偏光成分与垂直于凹凸构造的周期方向的偏光成分以不同的速度传播，因此，于两偏光成分间产生相位差。该相位差可通过调整凹凸构造的高度深度）、构成凸部的材料与凸部间的材料空气的折射率差等而进行控制。用于上述显示装置等设备的光学相位差板必须产生相对于使用波长入为入4或A2的相位差，但为了形成此种能够产生充分的相位差的光学相位差板，必须充分增大构成凸部的材料的折射率与凸部间的材料空气）的折射率的差或凹凸构造的高度深度）。作为此种光学相位差板，于专利文献1、2中，提出有以高折射率材料将凹凸构造的表面被覆而成的。[0005][专利文献1]日本特公平7—99402号公报[0006][专利文献2]日本特开2005—10377号公报发明内容[0007][发明所欲解决的课题][0008]本发g人等进行了努力研宄，结果了解到，如上所述的光学相位差板有如下缺点。于用于上述显示装置等设备的情形时，光学相位差板贴附于其他构件而使用。例如，于将光学相位差板用于有机EL显示装置的情形时，必须于光学相位差板的一面贴附（接合偏光板，于另一面贴附有机EL面板。通常，为了将光学相位差板贴附于其他构件而使用粘着剂。但是，如图10a所示，使用粘着剂将光学相位差板400贴附于其他构件320的情形时，粘着剂340进入至光学相位差板400的凹凸构造的凸部之间。粘着剂与空气相比折射率较大，因此，构成凸部的材料的折射率与进入至凸部间的粘着剂的折射率的差小于构成凸部的材料的折射率与空气的折射率的差。因此，于凸部间渗入粘着剂的光学相位差板4〇〇其构成凸部的材料与凸部间的材料的折射率差较小，折射率异向性较小，故而无法产生充分的相位差。[0009]又，为了使光学相位差板产生所期望的相位差，必须使光学相位差板的凹凸构造具有较使用波长短的周期构造并且亦具有充分的凹凸高度深度）。即，必须使凹凸构造具有高纵横比。但是，存在如下情况，S卩，于对此种光学相位差板施加负荷的情形时，如图10b所示，光学相位差板400的凹凸构造产生崩塌等而变形，从而无法产生所期望的相位差。[0010]进而，要求光学相位差板产生与其用途对应的相位差。利用光学相位差板产生的相位差通常可通过光学相位差板的凸部的纵横比等凹凸构造的形状进行调整。于通过纳米压印法形成光学相位差板的凹凸构造的情形时，为了调整凹凸构造的形状，必须准备具有与光学相位差板的凹凸构造的形状对应的凹凸构造的原始模具。但是，原始模具的制作为高成本，且需要长时间。因此，对光学相位差板的每种用途制作与其对应的凹凸构造的原始模具就经济观点及时间观点而言不理想。[0011]因此，本发明的目的在于提供一种光学相位差构件及其制造方法，该光学相位差构件将上述已知技术的缺点消除，即便使用粘着剂与其他构件接合或者施加负荷，亦能够产生所期望的相位差，并且能够以低成本且短时间进行制造。[0012][解决课题的技术手段][0013]根据本发明的第1态样，提供一种光学相位差构件，其特征在于具备：[0014]透明基体，其具有凹凸图案；[0015]相位差调整层，其形成于上述凹凸图案的凹部及凸部的表面；[0016]被覆层，其被覆上述相位差调整层；[0017]间隙部，其划分于上述凹凸图案的上述凸部间，该凹凸图案形成了上述相位差调整层及上述被覆层;及[0018]密闭层，其是以将上述凹凸图案的上述凸部的顶部连结且将上述间隙部密闭的方式设置于上述凹凸图案的上部；[0019]上述凸部的折射率m、上述相位差调整层的折射率n2、上述被覆层的折射率n3满足m[0077]于图1a所示的实施形态的光学相位差构件100中，透明基体40由平板状的基材42、及形成于基材42上的凹凸构造层50所构成。1[0078]作为基材似，并无特别限制，可适当利用使可见光穿透的公知的基材。例如，可利用玻璃等由透明无机材料所构成的基材、由树脂所构成的基材等在w〇2〇16〇56277^中记载的穿透性基板。又，基材42的正面相位差理想为尽可能地小。于将光学相位差构件1〇〇用于有机EL显示器的抗反射膜的情形时，基材42可为具有可挠性的基材。就该方面而言，基材42可为由树脂所构成的基材。亦可于基材42上进行表面处理或设置易接着层等，以提高密合性。又，亦可设置平滑化层等，以将基材42的表面的突起掩埋。基材42的厚度可在lwn〜20mm的范围内。[0079]凹凸构造层50具有多个凸部60及凹部，由此，凹凸构造层50的表面划分成凹凸图案80。凹凸构造层5〇可由折射率为1•1〜2•0的范围内、较佳为1_3〜1.8的范围内的材料构成。其中，该材料的折射率比下述的相位差调整层的折射率更小，它的差大于0.8。作为构成凹凸构造层50的材料，例如可使用氧化硅、SiN、SiON等Si系材料、1^02等1^系材料、ITO氧化铟锡）系材料、ZnO、ZnS、Zr〇2、A12〇3、BaTi〇3、Cu2〇、MgS、AgBr、CuBr、BaO、Nb2〇5、SrTi〇2等无机材料。该等无机材料可为通过溶胶凝胶法等形成的材料溶胶凝胶材料、即下述的使前驱物溶液硬化所得的材料）。除上述无机材料以外，亦可使用:如W〇2〇16056277号中所记载的热塑性树脂、紫外线硬化型树脂、将这些掺合2种以上所得的材料等树脂材料;于上述树脂材料中使上述无机材料复合化所得的材料;使上述无机材料及或上述树脂材料含有微粒子或填料所得的材料;使上述材料含有紫外线吸收材料所得的材料。[0080]凹凸构造层50的各凸部60沿图1a的Y方向（深度方向）延伸，多个凸部60以短于设计波长利用光学相位差构件100产生相位差的光的波长的周期进行排列。各凸部60的与延伸方向正交的ZX平面上的剖面可为大致梯形状。于本案中，所谓“大致梯形状”是指如下大致四边形，即，具有与基材42的表面大致平行的一组对边，该对边中靠近基材42的表面的边下底较另一边上底）长，且下底与2个斜边所成的角均为锐角。大致四边形的各边可弯曲。即，各凸部60自基材42的表面朝向上方远离基材42的表面的方向）而宽度与凸部60的延伸方向垂直的方向的长度、即图1a的X方向的长度变小即可。又，各顶点亦可带有弧度。又，上底的长度亦可为0。即，于本案中，“大致梯形状”为亦包含“大致三角形状”的概念。于凸部60的剖面为上底的长度为0的大致三角形状的情形时，为了产生所期望的相位差所需的凸部60的高度较上底的长度超过0的情形小，故而有容易形成凹凸图案的优点。再者，凸部60的剖面的上底长度亦可超过0。具有上底大于0的大致梯形状的剖面的凸部与具有大致三角形状的剖面的凸部相比，具有如下优点。即，容易形成用于利用压印法形成凸部的铸模、及凸部的面抗压性等机械强度较高、用以形成下述密闭层20所需的成膜时间较短。凸部60的剖面形状除大致梯形状以外，可设为矩形状、多边形状等各种形状。如下所述，就容易形成密闭层20的观点而言，凸部60的顶部60t可为平坦、即与基材42的表面平行的平面状。凹部70由凸部60划分，且沿着凸部60在Y方向（深度方向）上延伸。[0081]凸部60的高度（凹凸高度He较理想在100〜2000nm的范围内。若凸部6〇的高度He未达100nm，则于可见光入射至光学相位差构件100的情形时难以产生所期望的相位差。于凸部60的高度He超过2000nm的情形时，凸部60的纵横比（凸部高度相对于凸部宽度的比）较大，因此难以形成凹凸图案。凸部6〇的宽度W可在10〜5〇〇nm的范围内。于凸部60的宽度W未达lOnm的情形时，凸部60的纵横比（凸部高度相对于凸部宽度的比）较大，因此难以形成凹凸图案。于凸部60的宽度W超过500nra的情形时，产生穿透光的着色，而难以确保足以用作光学相位差构件的无色透明性，又，难以产生所期望的相位差。进而，因邻接的凸部60的上部的间隔变宽，而难以形成强度较高的密闭层20。再者，此处，所谓凸部60的宽度W是指将各Z方向位置高度方向位置）的凸部60的宽度进行平均所得的值。又，凹凸图案80的凹凸间距可在100〜lOOOnm的范围内。当间距未达l〇〇nm时，于可见光入射至光学相位差构件100的情形时会难以产生所期望的相位差。于间距超过lOOOnm的情形时，难以确保足以用作光学相位差构件的无色透明性。又，因邻接的凸部60的上部的间隔变宽，而导致难以形成强度较高的密闭层20。[0082][0083]相位差调整层35沿着凹凸图案80将透明基体40被覆。即，相位差调整层35被覆凹凸图案80的凸部60及凹部70的表面。相位差调整层35的厚度Tp可在10〜200nm的范围内。相位差调整层35的厚度Tp以利用光学相位差构件100产生的相位差成为所期望的值的方式设定。若相位差调整层35的厚度Tp未达lOnm或超过200nm，则如下述实施例所示，对利用光学相位差构件100而产生的相位差进行调整的效果变小。再者，于本案中，所谓“相位差调整层35的厚度Tp”是指凸部60的顶部的相位差调整层35的与基材42的表面垂直的方向（g卩，图1a的Z方向）的厚度。形成于凸部60尤其是距凸部60的底面为Hc2的高度的位置的侧面的相位差调整层的厚度依存于凸部60的形状、成膜方法等，成为0.05Tp〜0.2Tp左右。[0084]相位差调整层35具有大于凸部60的折射率m且小于被覆层30的折射率m的折射率加。即，满足mm•m，亦可满足0.82Vni•n3兰n2兰1.01Vni•n3。作为构成相位差调整层35的材料，例如可使用11、他、211、8?1或1%的氧化物或者该等的混合物。[0085][0086]被覆层30沿着凹凸图案SO被覆相位差调整层35。即，于被覆层30与凹凸图案80的凸部60及凹部7〇的间隔着相位差调整层35。被覆层30的厚度设定为能够形成将凸部60及下述间隙部90覆盖的密闭层2〇的厚度，于该情形时，被覆层30具有能够形成于下述间隙部90与邻接的凸部60之间的厚度。于被覆层过厚而于被覆层30与密闭层20之间不形成间隙部90的情形时，无法利用被覆层30与存在于间隙部90的空气等之间的折射率差，因此，光学相位差构件100难以产生所期望的相位差。又，被覆层30的厚度Tc可为lOnm以上。再者，于本案中，所谓“被覆层3〇的厚度Tc”是指当将凸部60的高度设为He时距凸部60的底面为Hc2高度的位置上的、形成于由相位差调整层35被覆的凸部60的侧面的被覆层30的厚度。[0087]被覆层30可由折射率在1.8〜2.6的范围内的材料构成。通过利用折射率为1.8以上的被覆层30将相位差调整层35及凸部60被覆，使“通过凸部60与下述间隙部90的周期排列产生的相位差”变大。因此，能够减小凸部60的高度、即减小凸部60的纵横比，从而容易形成凹凸图案80。又，折射率超过2.6的物质难以获得或者难以于基材42不产生变形的温度下成膜。作为构成被覆层3〇的材料，例如可使用!^、111、2^1、油、211等金属、该等金属的氧化物、氮化物、硫化物、氮氧化物、卤化物等无机材料。亦可使用含有该等材料的构件作为被覆层30。[0088][0089]间隙部9〇划分于邻接的凸部60之间。间隙部90由被覆层3〇及下述密闭层20包围而密闭。间隙部9〇可由空气填满，亦可由N2、Ar、He等非活性气体、其他低折射率介质等填满。又，亦可不存在介质而为真空。间隙部90的高度Ha较理想为凸部60的高度He以上。于光学相位差构件100中，间隙部90与被覆层30周期性地排列，由此可使已穿透光学相位差构件1〇〇的光产生相位差，但于间隙部90的高度Ha小于凸部60的高度He的情形时，间隙部90与被覆层30的周期排列构造的高度变小，因此，利用光学相位差基板1〇〇而产生的相位差变小。[0090][0091]密闭层20是于凸部㈤及间隙部90的上部以将该等覆盖的方式形成。密闭层20与被覆层3〇—同将间隙部90包围而密闭。由此，于为了将本实施形态的光学相位差构件1〇〇组入至设备而使用粘着剂与其他构件接合的情形时，粘着剂不会进入至邻接的凸部60之间（间隙部9〇。因此，可防止利用光学相位差构件1〇〇而产生的相位差因粘着剂进入至凸部间而减少。因此，于将实施形态的光学相位差构件1〇〇与其他构件接合而使用的情形时，光学相位差构件100亦能够产生所期望的相位差。[0092]又，于密闭层20因其自身原因而自光学相位差构件100的上部（密闭层20侧施加负荷的情形时，各凸部60通过邻接的凸部并介隔密闭层20而受到支撑。又，经由密闭层20将各凸部接合，由此所施加的力分散，因此，各凸部60所受的负荷变小。因此，即便对实施形态的光学相位差构件100施加负荷，凹凸图案80的凸部60亦不易变形。因此，可防止因对光学相位差构件100施加负荷而导致无法产生所期望的相位差。[0093]密闭层20可由与被覆层30相同的材料形成。于密闭层20与被覆层30由不同的材料形成的情形时，于形成于凸部60的侧面的被覆层30上进而形成由“构成密闭层20的材料，，所构成的层，因此，存在通过凸部60与间隙部9〇的周期排列而产生的相位差变小或难以控制相位差的情况。密闭层20可为透光性，例如波长550nm下的穿透率可为90%以上。密闭层20的厚度T可在10〜l〇〇〇nm的范围内。再者，此处，所谓密闭层20的厚度T是指自间隙部90的上端至密闭层20表面的距离参照图1⑸）。再者，于在光学相位差构件1〇〇的密闭层20侧接合其他构件的情形时，经由粘着剂将密闭层20与其他构件接合。即，密闭层20是与用于和其他构件的接合的粘着剂不同的。[0094]光学相位差构件一般可通过与穿透光的行进方向大致平行地形成具有折射率差的材料间的界面，而使穿透光产生相位差。与本实施形态的光学相位差构件1〇〇不同不具有相位差调整层、即被覆层沿着凹凸图案直接被覆透明基体的光学相位差构件，其具有间隙部与被覆层之间的界面、及被覆层与凸部之间的界面来作为与穿透光的行进方向大致平行的界面，并且通过该等界面使穿透光产生相位差。此处，被覆层必须于形成将凸部的顶部连结桥接的密闭层般的成膜条件下形成，因此，难以控制该等界面的形状。因此，此种光学相位差构件难以通过被覆层等的成膜条件控制穿透光产生的相位差，为了进行相位差的变更、调整，必须变更透明基体40的凹凸图案80。为了变更凹凸图案80,如下所述，必须重新准备凹凸图案80的原始模具，但为了重新制作原始模具，需要较高的成本及较长的时间。[0095]另一方面，本实施形态的光学相位差构件100如上所述，于被覆层30与凸部60之间具备“具有大于凸部60的折射率m且小于被覆层30的折射率n3的折射率112的相位差调整层35”。由此，可使被覆层3〇与凸部60之间的界面的有效折射率差减小，例如，可通过改变相位差调整层35的厚度而调整被覆层30与凸部60之间的界面的有效折射率差。因此，如下述实施例所示，可通过改变相位差调整层35的厚度而控制利用光学相位差构件产生的相位差。根据本实施形态，可获得使用具有相同的凹凸图案80的透明基体40产生不同的相位差的光学相位差构件100,因此，无须重新制作凹凸图案80的原始模具便可进行相位差的变更、调整。因此，本实施形态的光学相位差构件100于制造成本及制造时间的方面具有优点。[0096]又，于因凹凸图案80的原始模具形状或透明基体40的形成工艺的偏差导致形成具有与设计形状不同的凹凸图案80的透明基体40的情形时，亦可通过控制相位差调整层35的膜厚等而控制利用光学相位差构件100产生的相位差，而可制造产生所期望的相位差的光学相位差构件100。[0097]再者，亦可如图1⑹所示的光学相位差构件100a般，使用在基材42a上形成有多个构成凸部60a的构造体的透明基体40a来代替于基材42上形成有凹凸构造层50的透明基体40。于透明基体40a中，于凸部60a之间划分有凹部供基材42a的表面露出的区域70a，形成由凸部60a及凹部70a所构成的凹凸图案80a。作为基材42a，可使用与图1a所示的光学相位差构件100的基材42相同的基材。凸部60a可由与构成图1a所示的光学相位差构件1〇〇的凹凸构造层50的材料相同的材料构成。[0098]又，亦可如图1c所示的光学相位差构件l〇〇b般，由基材的表面本身以构成“由凸部60b及凹部70b所构成的凹凸图案80b”的方式形状化所得的基材构成透明基体40b。于该情形时，透明基体40b可通过将基材以具有如图1c般的凹凸图案80b的方式成形而制造。[00"]光学相位差构件100、100a、100b亦可进而于透明基体40、40a、40b的形成有凹凸图案80的面的相反侧的面及或密闭层贴附有保护片等保护构件。由此，可防止将光学相位差构件100、100a、100b搬送、输送等时于光学相位差构件l〇〇、l〇〇a、l〇〇b产生划痕等损伤。[光学相位差构件的制造装置][0101]作为用以制造光学相位差构件的装置的一例，于图2中表示辊工艺装置200。以下，对辊工艺装置200的构造进行说明。[0102]辊工艺装置200主要包含:搬送系统1加，其搬送膜状的基材42;涂布部140，其将UV硬化性树脂涂布于搬送中的基材42;转印部16〇，其将凹凸图案转印至UV硬化性树脂;及成膜部180,其于凹凸图案上形成相位差调整层、被覆层及密闭层。[0103]搬送系统120具有:送出辊172,其将膜状的基材42送出；夹辊174及剥离辊176,其等分别配置于设置于转印部160的转印辊70的上游及下游侧且将基材42推压至转印辊170;以及卷取辊178,其将所获得的光学相位差构件1〇〇卷取。进而，搬送系统12〇具备用以将基材42搬送至上述各部的导親17f5。涂布部140具备用以将UV硬化性树脂50a涂布于基材42的模嘴涂布机182。转印部160具备:转印辊17〇,其位于涂布部140的基材搬送方向的下游侧，且具有下述凹凸图案;及照射光源185,其隔着基材42与转印辊170对向地设置。成膜部180具备如濺射装置10般的成膜装置。溅射装置10具备真空腔室11。真空腔室11不限形状，通常为长方体状或圆筒体状等，只要能够保持将真空腔室11内减压的状态即可。于真空腔室U的内部，以与搬送中的透明基体40的形成有凹凸图案的面对向的方式配置有溅射靶16、18。于在凹凸图案上形成由11、他、211、3、1%等金属的氧化物所构成的相位差调整层的情形时，可使用由该等金属或金属氧化物所构成的靶作为派射靶16。又，于在相位差调整层上形成由金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氮氧化物、金属卤化物等无机材料所构成的被覆层及密闭层的情形时，可使用由金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氮氧化物、金属卤化物等无机材料所构成的靶作为溅射靶18。[0104]转印辊170是于外周面具有凹凸图案的辊状（圆柱状、圆筒状）的铸模。转印辊17〇可利用例如W02016056277号中所记载的方法制造。[0105][光学相位差构件的制造方法][0106]对使用如上所述的辊工艺装置200制造图1a所示的光学相位差构件100的方法进行说明。如图3所示，光学相位差构件的制造方法主要具有:步骤S1，准备具有凹凸图案的透明基体;步骤S2,于凹凸图案的凹部及凸部的表面形成相位差调整层;步骤S3,形成被覆相位差调整层的被覆层;及步骤S4，于透明基体的凹凸图案上形成密闭层。[0107][0108]于实施形态的光学相位差构件的制造方法中，以如下方式准备形成有凹凸图案的透明基体（图3的步骤S1。于图2所示的辊工艺装置200中，通过膜送出辊172的旋转将卷绕于膜送出辊172的膜状基材犯向下游侧送出。膜状基材犯被搬送至涂布部140,通过模嘴涂布机182于膜状基材42上以特定的厚度涂布UV硬化性树脂50a。[0109]再者，作为将UV硬化性树脂5〇a涂布于基材42的方法，可采用棒式涂布法、旋转涂布法、喷涂法、浸渍涂布法、滴下法、凹版印刷法、网版印刷法、凸版印刷法、模嘴涂布法、淋幕式涂布法、喷墨法、溅射法等各种涂布方法代替上述模嘴涂布法。就可将!^硬化性树脂50a均匀地涂布于面积相对较大的基材而言，可采用棒式涂布法、模嘴涂布法、凹版印刷法及旋转涂布法。[0110]又，为了提高基材42与UV硬化性树脂5〇a的密合性，亦可于将UV硬化性树脂50a涂布于基材42上之前，于基材42上形成表面改质层。作为表面改质层的材料，例如可使用在W02016〇56277号中作为表面材质层的材料而记载的材料。又，亦可通过对基材42的表面进行等离子体处理、电晕处理、准分子照射处理、UV03处理等利用能量线的处理而设置表面改质层。[0111]以如上方式于涂布部140涂布UV硬化性树脂50a所得的膜状基材42朝向转印部160搬送。于转印部16〇,膜状基材42由夹辊1了4压抵推压于转印辊170,将转印辊170的凹凸图案转印至UV硬化性树脂50a。与此同时或之后即刻将来自照射光源185的UV光照射至UV硬化性树脂50a，使UV硬化性树脂50a硬化，其中，该照射光源185隔着膜状基材42与转印辊170对向地设置。硬化后的UV硬化性树脂及膜状基材42通过剥离辊176而自转印辊170拉离。如此一来，获得具备转印有转印辊170的凹凸图案的凹凸构造层50参照图1a的透明基体40。[0112]再者，形成有凹凸图案的透明基体可利用图2所示的辊工艺装置以外的装置制造，或者，亦可无须亲自制造，而通过市场或膜制造商等制造业者获得而准备上述透明基体。[0113][0114]继而，将形成有凹凸图案的透明基体40搬送至成膜部180,于透明基体40的凹凸图案的凹部及凸部的表面上形成相位差调整层35参照图1a图3的步骤S2。于图2所示的辊工艺装置2〇〇中，将已自转印辊17〇剥离的透明基体40经由导辊175直接搬送至溅射装置10内，但亦可将透明基体40自转印辊170剥离之后卷取至辊，将所获得的辊状的透明基体4〇搬送至溅射装置1〇内。[0115]对使用图2所示的溅射装置10形成例如由金属氧化物所构成的相位差调整层35参照图1a的方法进行说明。首先，将真空腔室11内减压为高真空。其次，一面向真空腔室11内导入Ar等稀有气体及氧气，一面通过DC等离子体或高频等离子体将濺射靶16的金属原子及氧原子击出。于在真空腔室11内搬送透明基体40的期间，于透明基体40的表面上，自派射靶16击出的金属原子与氧发生反应而使金属氧化物沉积。由此，于透明基体40上，沿着凹凸图案80于透明基体40的凹凸图案80的凸部60及凹部70的表面上形成相位差调整层35参照图1a。[0116][0117]继而，形成被覆相位差调整层35的被覆层30参照图1a图3的步骤S3。被覆层30的形成可使用上述相位差调整层形成步骤S2中所使用的溅射装置10,紧接着相位差调整层35的形成而进行。对形成例如由金属氧化物所构成的被覆层30的方法进行说明。于形成相位差调整层后，一面继续向真空腔室11内导入Ar等稀有气体及氧气，一面将透明基体40搬送至与濺射靶18对向的位置，通过DC等离子体或高频等离子体将溅射靶18的金属原子及氧原子击出。于在真空腔室11内搬送透明基体40的期间，于相位差调整层35上，自溅射靶18击出的金属原子与氧发生反应而使金属氧化物沉积。由此，沿着凹凸图案80形成将相位差调整层35被覆的被覆层30参照图1⑸）。[0118][0119]继而，于透明基体40上形成密闭层20参照图1⑸）（图3的步骤S4。密闭层20的形成可使用上述被覆层形成步骤S3中所使用的溅射装置10,紧接着被覆层30的形成而进行。于利用与被覆层30相同的金属氧化物形成密闭层20的情形时，于形成被覆层30后，亦继续进行靶18的溅射，由此，于透明基体40上使金属氧化物进一步沉积。此时，所溅射的金属原子中到达至透明基体40的凹凸图案8〇的邻接的凸部60参照图1a之间、尤其是凸部60的下部基材42働侧面的比较少，大多数金属原子附着于凸部60的上表面60t及上部侧面。因此，与凹部70上或凸部60的下部侧面上相比，凸部60的上部上表面60t及上部侧面上）的金属氧化物的沉积量较多。因此，通过继续溅射，而于邻接的凸部60之间由金属氧化物的沉积物填满之前，沉积于邻接的凸部60的上部的金属氧化物连结而成为密闭层，并于邻接的凸部60之间形成间隙部90。该间隙部90由被覆层30与密闭层20密闭。尤其是，于各凸部60的顶部上表面60t为与基材42平行的平面、即相对于溅射靶18平行的平面的情形例如，各凸部60的与延伸方向正交的面上的剖面构造为梯形状的情形）时，金属氧化物尤其优先沉积于凸部6〇的上表面6〇t，因此，可缩短沉积于邻接的凸部60的上部的金属氧化物连结而形成密闭层20所需的成膜时间，且可抑制材料祀的消耗。[0120]再者，于利用相同的材料形成密闭层20与被覆层30的情形时，于密闭层形成步骤中，于沉积于邻接的凸部60的上部的金属氧化物连结之前，与密闭层30的形成同时地亦进行被覆层30的形成。即，于该情形时，被覆层形成步骤S3与密闭层形成步骤S4成为部分重复的步骤，而并非个别独立的步骤。[0121]相位差调整层35、被覆层30及密闭层20可通过蒸锻等物理气相沉积pvd法、化学气相沉积CVD法等公知的干式工艺代替上述溅射而形成。例如，于通过电子束加热蒸镀法于透明基体40上将金属氧化物形成为相位差调整层邪、被覆层3〇及密闭层2〇的情形时，例如可使用如下电子束加热蒸镀装置，该电子束加热蒸镀装置于真空腔室内设置有装有用以形成相位差调整层35的金属或金属氧化物的坩埚、装有用以形成被覆层30及密闭层2〇的金属或金属氧化物的坩埚、及用以对各坩埚内照射电子束而使金属或金属氧化物蒸发的电子枪。各坩埚以与透明基体40的搬送路径对向的方式设置，用于形成被覆层30及密闭层20的坩埚相对于用于形成相位差调整层35的坩埚设置于透明基体40的搬送方向下游侧。于该情形时，一面搬送透明基体40,一面通过电子束将各坩埚内的金属或金属氧化物加热蒸发，使金属氧化物沉积于搬送中的透明基体40上，由此可于透明基体40上形成相位差调整层35、被覆层30及密闭层2〇。又，根据装入至坩埚的材料的氧化度与目标的相位差调整层35、被覆层及密闭层的氧化度，可流通氧气，亦可不流通氧气。[0122]又，于通过大气压等离子体CVD于透明基体40上形成金属氧化物作为相位差调整层35、被覆层3〇及密闭层20的情形时，例如可使用日本特开2〇04—52028号、日本特开2004—1089〇2号等中所记载的方法。可使用有机金属化合物作为原料化合物，原料化合物于常温常压下可为气体、液体、固体的任一状态。于气体的情形时，可直接导入至放电空间，于液体、固体的情形时，通过一次加热、起泡、减压、超音波照射等手段使之汽化后再使用。根据如上所述的状况，作为有机金属化合物，例如较佳为沸点为200°C以下的金属烷氧化物。[0123]作为此种金属烷氧化物，可列举W02016056277号中所记载的金属烷氧化物。[0124]又，与包含该等有机金属化合物的原料气体一同并用分解气体，以将该等分解获得无机化合物，而构成反应性气体。作为该分解气体，可列举W〇2〇16〇56277号中所记载的分解气体。例如，可通过使用氧气而形成金属氧化物，可通过使用氨气而形成金属氮化物，可通过使用氨气及一氧化二氮气体而形成金属氮氧化物。[0125]于等离子体CVD法中，对该等反应性气体，主要混合容易成为等离子体状态的放电气体。作为放电气体，可使用氮气、周期表的第18族原子、具体而言、氦、氖、氩等稀有气体。尤其是，就制造成本的观点而言，可使用氮气。[0126]将上述放电气体与反应性气体混合并作为混合气体而供给至等离子体放电产生装置等离子体产生装置），由此进行膜形成。放电气体与反应性气体的比率根据目标膜的性质而不同，但相对于混合气体整体，将放电气体的比率设为50%以上而供给反应性气体。[0127]例如，使用沸点为200°C以下的作为金属烷氧化物的硅烷氧化物（四烷氧基硅烷TE0S作为原料化合物，对分解气体使用氧气，使用稀有气体、或氮气等非活性气体作为放电气体，使之进行等离子体放电，由此可形成氧化硅膜作为第1膜。[0128]此种利用CVD法所获得的膜于如下方面较佳，g卩，通过对作为原料的金属化合物、分解气体、分解温度、输入电力等条件进行选择，亦能够分别制作金属碳化物、金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物、金属卤化物、或该等的混合物金属氮氧化物、金属卤氧化物、金属碳氮化物等。[0129]以如上方式获得如图1a所示的光学相位差构件1〇〇。所获得的光学相位差构件100可由卷取辊178卷取。光学相位差构件100亦可中途适当经由导辊175等。又，亦可于透明基体40的形成有凹凸图案80的面的相反侧的面及或密闭层贴附保护构件。由此，可防止将所获得的光学相位差构件100搬送、输送等时于光学相位差构件100产生划痕等损伤。[0130]再者，于上述实施形态中，使用转印辊作为用以将凹凸图案转印至UV硬化性树脂的铸模，但亦可将长条的膜状铸模或板状铸模等压抵于涂布于基材上的UV硬化性树脂而形成凹凸图案。[0131]又，于上述实施形态中，使用UV硬化性树脂形成凹凸构造层5〇,但亦可利用热塑性树脂、热硬化性树脂、无机材料等形成凹凸构造层5〇。于利用无机材料形成凹凸构造^5〇的情形时，可通过将无机材料的前驱物涂布于铸模上后使之硬化的方法、将微粒子分^液涂布于铸模上后使分散介质干燥的方法、将树脂材料涂布于铸模上后使之硬化的方法、液相沉积法LPD:LiquidPhaseDeposition等准备透明基体40。[0132]作为上述无机材料的前驱物，可使用W02016056277号中所记载的材料。例如亦可使用31、1^1131、211、21'、111等的烷氧化物金属烷氧化物等溶胶凝胶法）。作为于溶胶凝胶法中使用的前驱物溶液的溶剂，可使用W02016056277号中所记载的溶剂。可于溶胶凝胶法中使用的前驱物溶液中添加W02016056277号中所记载的添加物。[0133]又，亦可使用W02016056277号中所记载的聚硅氮烷作为无机材料的前驱物。[0134]于将上述金属烷氧化物或聚硅氮烷等无机材料的前驱物的溶液涂布于基材后，一面将具有凹凸图案的铸模压抵于前驱物的涂膜，一面加热前驱物的涂膜或对前驱物的^膜照射能量线，由此使涂膜凝胶化，从而可形成转印有铸模的凹凸图案的由无机材料所构成的凹凸构造层。[0135]再者，如图1b所示般的于基材42a上形成构成凸部60a的构造体且于凸部6〇a之间划分有供基材42a的表面露出的区域（凹部70a的透明基体40a例如可以如下方式制造。于上述制造方法中，将UV硬化性树脂仅涂布于凹凸图案转印用铸模的凹部或凸部，来代替将UV硬化性树脂50a涂布于基材42上。使涂布于铸模的UV硬化性树脂密合于基材42a，将UV硬化性树脂转印至基材42a。由此，于基材42a上形成具有与铸模的凹部或凸部的形状对应的形状的凸部60a。于以此方式形成的凸部60a之间，划分有凹部供基材42a的表面露出的区域）70a。[0136]如图1c所示般的由基材的表面本身以构成由凸部60b及凹部70b所构成的凹凸图案的方式形状化所得的基材构成的透明基体40b，例如可以如下方式制造。利用公知的纳米压印或光刻等技术，于基材上形成具有凹凸图案的抗蚀剂层。对抗蚀剂层的凹部进行刻蚀而使基材表面露出之后，将残留的抗蚀剂层作为遮罩而对基材进行刻蚀。于刻蚀后，利用药液将残留的遮罩抗蚀剂去除。通过如上所述的操作，可于基材的表面本身形成凹凸图案80b。[0137]于以如上方式制造的透明基体40a、40b上，利用与上述实施形态相同的方法形成相位差调整层35、被覆层30及密闭层20,由此可形成图1b、（c所示的光学相位差构件100a、100b〇[0138][复合光学构件][0139]对使用上述光学相位差构件100、l〇〇a、l〇〇b形成的复合光学构件进行说明。如图4所示，复合光学构件300由上述实施形态的光学相位差构件1〇〇、及与光学相位差构件100接合的光学构件320a、320b所构成。于复合光学构件300中，光学构件320a与光学相位差构件100的密闭层20接合（贴合），光学构件320b与透明基体40的形成有凹凸图案的面的相反侧的面接合。再者，根据本发明的复合光学构件亦可不具备光学构件320a、320b两者，亦可仅具备任一者。例如，于光学相位差构件100贴合偏光板作为光学构件320a或320b而成的复合光学构件可用作抗反射膜。又，通过将此种抗反射膜的光学相位差构件侧贴合于有机EL元件、液晶元件等显示元件，可获得显示元件的配线电极的反射得以防止的显示装置例如有机EL显不器、液晶显不器等）D[0140]为了将光学相位差构件与偏光板或显示元件等光学构件接合而使用粘着剂。作为粘着剂，可使用丙烯酸系或聚硅氧系等公知的粘着剂。实施形态的光学相位差构件由于凸部之间的间隙部是由密闭层所密闭，故而粘着剂不会进入至凸部之间。因此，于将光学相位差构件与光学构件接合后，利用光学相位差构件而产生的相位差亦不会发生变化，可产生充分的相位差。[0141][实施例][0142]以下，利用实施例及比较例对本发明的光学相位差构件进行具体说明，但本发明并不限定于该等实施例。[0143]实施例1[0144]通过模拟对如下情形的光学相位差构件的构造进行计算，g卩，于凹凸图案的周期为240nm、凸部上表面的宽度为〇nm、相邻的凸部的底面间的距离为48nm、凸部高度为35〇nm、凸部的折射率m为1.68的透明基体上，使折射率n2为1.93的材料（中折射率材料）以〇〜290nm的范围内的成膜厚度沉积，进而，使折射率n3为2.37的材料（高折射率材料）以6〇〇nra的成膜厚度沉积。再者，此处，所谓“成膜厚度”是指形成于凸部的顶部上表面的膜的与透明基体表面凹凸图案面垂直的方向上的厚度。该“成膜厚度，，成为于透明基体表面所形成的膜的与透明基体表面垂直的方向上的厚度的最大值。又，“成膜厚度，，亦与于平坦的基板上使各材料以相同条件沉积的情形时所形成的膜的厚度大致相等。光学相位差构件具有由中折射率材料所构成且将凹凸图案被覆的相位差调整层、由高折射率材料所构成且将相位差调整层被覆的被覆层、及由高折射率材料所构成且将邻接的凸部的上表面顶部连结的密闭层。[0145]对具有通过上述计算所求出的构造的光学相位差构件使波长4〇〇〜7〇〇nm的穿透光产生的相位差进行计算。于图5中表示于波长550nm的穿透光产生的相位差的计算结果。于图5中，横轴表示中折射率材料的成膜厚度即相位差调整层的厚度），纵轴表示将相位差除以光的波长550nm所得的值。可知，于相位差调整层的厚度为2〇〇nm以下的范围时，相位差相对于相位差调整层的厚度的变化率较大，可通过相位差调整层的厚度控制相位差。可知，若相位差调整层的厚度超过200nm，则相位差相对于相位差调整层的厚度变化的变化率较小，而调整相位差的效果变小。又，于相位差调整层的厚度未达⑺皿!的情形时，与无相位差调整层的情形相比相位差几乎未变，因此，相位差调整层的厚度可为10nra以上。[0146]实施例2[0147]通过模拟对如下情形的光学相位差构件的构造进行计算，即，于具有与实施例1相同的凹凸图案且凸部的折射率m为1.68的透明基体上，作为中折射率材料使折射率如为丄.5〜2•3的范围内的材料以50nm的膜厚沉积，进而，使与实施例1相同的高折射率材料以与实施例1相同的成膜厚度沉积。光学相位差构件具有由中折射率材料所构成且将凹凸图案被覆的相位差调整层、由高折射率材料所构成且将相位差调整层被覆的被覆层、及由高折射率材料所构成且将邻接的凸部的上表面顶部连结的密闭层。再者，于本实施例中，凸部的折射率m与高折射率材料的折射率n3的几何平均[0148]进而，通过模拟对如下光学相位差构件的构造进行计算，该光学相位差构件除了不形成中折射率材料以外，以与上述光学相位差构件相同的方式制作。该光学相位差构件不^有相位差调整层，但具有由高折射率材料所构成且将相位差调整层被覆的被覆层、及由高折射率材料所构成且将邻接的凸部的上表面顶部连结的密闭层。[0149]对具有上述相位差调整层的光学相位差构件及不具有相位差调整层的光学相位差构件的各者计算使波长550mn的穿透光产生的相位差，并求出其差（g卩，利用相位差调整^所产生的相位差的变化量）。于图6中表示相位差的变化量的计算结果。如图7的表中所示，相位差的变化量成为最大的中折射率材料的折射率（即折射率的最佳值n2ciptS1.80。又，相位差的变化量成为相位差的变化量的最大值（g卩，中折射率材料的折射率吧为加咐时的相位差的变化量）的0.9倍以上的折射率阳，其下限n2mir^l.65,上限n2max为1.95。又，n2〇Pt、n2min、n2max分别为nave的〇.90倍、0.83倍、0•98倍。因此，可知，若中折射率材料的折射率nd两足0•83naveSn250•98nave，则可使利用相位差调整层所产生的相位差的变化量充分增大。[0150]实施例3[0151]除了将凸部的折射率ni设为1.52以外，以与实施例2相同的方式求出利用相位差调整层所产生的相位差的变化量。再者，于本实施例中，凸部的折射率m与高折射率材料的折射率M的几何平均nave为1.90。[0152]如图7的表中所示，相位差的变化量成为最大的中折射率材料的折射率n2QptS1•7〇。又，相位差的变化量成为最大值g卩，中折射率材料的折射率把为仍邮时的相位差的变化量）的〇•9倍以上的中折射率材料的折射率n2，其下限n2miAi.55，上限n2max为1•9Ln2opt、n2min、n2max分另|J为nave的0•90倍、0•82倍、1•00倍。因此，可知，若中折射率材料的折射率n2满足0•S2naveSm兰1•00nave，则可使利用相位差调整层所产生的相位差的变化量充分增大，艮P，相位差调整层发挥充分的相位差调整效果。[0153]实施例4[0154]除了将高折射率材料的折射率m设为2.47以外，以与实施例2相同的方式求出利用相位差调整层所产生的相位差的变化量。再者，于本实施例中，凸部的折射率m与高折射率材料的折射率M的几何平均nave为2.04。[0155]如图7的表中所示，相位差的变化量成为最大的中折射率材料的折射率112。^为1.85。又，相位差的变化量成为最大值S卩，中折射率材料的折射率m为112_时的相位差的变化量的〇.9倍以上的中折射率材料的折射率n2，其下限n2min为1.70，上限n2max为2•05。112。的、n2—、n2max分别为iw的0.91倍、0•84倍、1.01倍。因此，可知，若中折射率材料的折射率n2满足0.84nave^m^1•Olnave，则可使利用相位差调整层所产生的相位差的变化量充分增大。[0156]实施例5[0157]除了将高折射率材料的折射率n3设为2.47以外，以与实施例3相同的方式求出利用相位差调整层所产生的相位差的变化量。再者，于本实施例中，凸部的折射率m与高折射率材料的折射率n3的几何平均nave为1.93。[0158]如图7的表中所示，相位差的变化量成为最大的中折射率材料的折射率n2QPt为1.75。又，相位差的变化量成为最大值即，中折射率材料的折射率m为r^pt时的相位差的变化量的0.9倍以上的中折射率材料的折射率n2，其下限n2min为1.60，上限n2max为1•95。仍。的、n2min、n2max分别为nave的0•90倍、0.83倍、1.01倍。因此，可知，若中折射率材料的折射率足0.8311_^2^1.0111_，则可使利用相位差调整层所产生的相位差的变化量充分增大。[0159]根据实施例2〜5可知，相位差调整层的折射率n2可满足0•8nave§n2室i•〇5iw，亦可满足〇.82naveSn2兰1.01nave，亦可满足〇.84nave^n2兰1.〇〇nave，由此获得足够大的相位差调整效果。[0160]比较例[0161]通过模拟对如下情形的光学相位差构件的构造进行计算，g卩，于与实施例丨相同构造的透明基体上，不沉积中折射率层而使与实施例1相同的高折射率材料以1〇〇〜1〇〇〇11111的柩围内的成I旲厚度沉积。若咼折射率材料的成膜厚度未达6〇〇nm，则虽形成有将凹凸图案被覆的被覆层，但未形成将邻接的凸部的上表面顶部连结的密闭层。另一方面，高折射率材料的成膜厚度为600nm以上时形成有密闭层。[0162]对具有通过上述计算所求出的构造的光学相位差构件使波长4〇〇〜700nm的穿透光产生的相位差进行计算。于图8中表示于波长550nm的穿透光产生的相位差的计算结果。于图8中，横轴表不尚折射率材料的成膜厚度，纵轴表示将相位差除以光的波长55〇nm所得的值。于高折射率材料的成膜厚度未达600nm的情形时，即未形成密闭层的情形时，随着高折射率材料的成膜厚度增加，而相位差变大。另一方面，可知，于高折射率材料的成膜厚度为600nm以上的情形时，即形成有密闭层的情形时，即便高折射率材料的成膜厚度增加，相位差亦几乎不变。因此，可知，于如本比较例般直接将高折射率材料成膜于凹凸图案上的情形即，未形成相位差调整层的情形时，难以形成密闭层并且难以控制相位差。[0163]以上，利用实施形态对本发明进行了说明，但利用本发明的制造方法制造的光学相位差构件并不限定于上述实施形态，可于权利要求所记载的技术思想的范围内适当进行改变。[0164][产业上的可利用性][0165]本发明的光学相位差构件即便组入至设备亦能够维持优异的相位差特性。又，可防止因施加负荷而导致凹凸构造变形而无法获得所期望的相位差。因此，本发明的光学相位差构件可较佳地用于抗反射膜等各种功能性构件、或反射型或半穿透型液晶显示装置或触控面板、有机EL显示装置等显示装置、光盘用拾取器装置、偏光转换元件等各种设备中。

权利要求：1.一种光学相位差构件，其特征在于，其具备：透明基体，其具有凹凸图案；相位差调整层，其形成于所述凹凸图案的凹部及凸部的表面；被覆层，其被覆所述相位差调整层；间隙部，其划分于所述凹凸图案的所述凸部间，该凹凸图案形成了所述相位差调整层及所述被覆层;及密闭层，其是以将所述凹凸图案的所述凸部的顶部连结且将所述间隙部密闭的方式设置于所述凹凸图案的上部；所述凸部的折射率m、所述相位差调整层的折射率n2、所述被覆层的折射率m满足nin2n3〇2.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，所述凸部的折射率m、所述相位差调整层的折射率n2、所述被覆层的折射率m满足0.8Vm•如）含n2兰1.05Vm•加）。3.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，所述相位差调整层的厚度在10〜200nm的范围内。4.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，所述凹凸图案的所述凸部的剖面为大致梯形状。5.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，所述间隙部具有所述凹凸图案的所述凸部的高度以上的高度。6.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，所述相位差调整层由ZnO、BaO、MgO、Ti〇2、或Nb2〇5、或者所述的混合物所构成。7.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，所述被覆层及所述密闭层由金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氮氧化物或金属卤化物所构成。8.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，构成所述凹凸图案的材料为光硬化性树脂或热硬化性树脂。9.如权利要求1所述的光学相位差构件，其特征在于，构成所述凹凸图案的材料为溶胶凝胶材料。10.如权利要求1至9中任一权利要求所述的光学相位差构件，其特征在于，于所述间隙部中存在空气。11.一种复合光学构件，其特征在于，其具备：权利要求1所述的光学相位差构件;及偏光板，其贴附于所述透明基体的形成了所述凹凸图案的面的相反侧的面、或所述密闭层。12.—种显示装置，其特征在于，其具备：权利要求11所述的复合光学构件;及显示元件，其贴附于所述透明基体的形成了所述凹凸图案的面的相反侧的面、或所述密闭层。13.—种光学相位差构件的制造方法，其特征在于，其具有以下步骤：准备具有凹凸图案的透明基体；形成相位差调整层，该相位差调整层被覆所述凹凸图案的凹部及凸部的表面；形成被覆所述相位差调整层的被覆层;及以将形成了所述相位差调整层及所述被覆层的所述凹凸图案的邻接的凸部连结且将划分于所述凸部间的间隙部密闭的方式，于所述凹凸图案上形成密闭层；所述凸部的折射率m、所述相位差调整层的折射率n2、所述被覆层的折射率似满足mn2ri3〇戸形白!i学相位差构件的制造方法，其特征在于，于所述相位差调整

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