申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司

申请日：2019-06-20

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112018074A

主分类号：H01L23/528(20060101)

分类号：H01L23/528(20060101);H01L23/532(20060101);H01L23/48(20060101);H01L21/768(20060101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20190530 TW 108118802"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.07.19#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明公开了一种半导体结构与连线结构的制作方法，该半导体结构包含半导体装置、设置于半导体装置上的第一金属化层、设置于第一金属化层上的第二金属化层，以及设置于第一金属化层与第二金属化层之间的第三介电层。第一金属化层包含第一介电层与设置在第一介电层中的第一金属层，其中第一金属层具有第一厚度，第一金属层包含铜。第三介电层具有第二厚度，第三介电层的第二厚度与第一金属层的第一厚度的比值介于约3与约20之间。

主权项：1.一种半导体结构，包含：一半导体装置；一第一金属化层，设置于该半导体装置上，该第一金属化层包含一第一介电层与设置在该第一介电层中的一第一金属层，其中该第一金属层具有一第一厚度，该第一金属层包含铜；一第二金属化层，设置于该第一金属化层上；以及一第三介电层，设置于该第一金属化层与该第二金属化层之间，其中该第三介电层具有一第二厚度，该第三介电层的该第二厚度与该第一金属层的该第一厚度的比值介于约3与约20之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 旺宏电子股份有限公司 半导体结构与连线结构的制作方法

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