申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2020-10-10

公开（公告）日：2021-01-29

公开（公告）号：CN112289888A

主分类号：H01L31/18(20060101)

分类号：H01L31/18(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/107(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.02.23#实质审查的生效;2021.01.29#公开

摘要：本发明适用于光探测器技术领域，提供了一种InAlAs雪崩光电探测器及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次制备缓冲层、吸收层、电荷层、渐变层、InAlAs倍增层和N型欧姆接触层并刻蚀，形成台面侧壁与缓冲层呈预设倾角的台面结构，在缓冲层上除台面结构之外区域制备P型欧姆接触层；或者在衬底上依次制备缓冲层、N型欧姆接触层、InAlAs倍增层、渐变层、电荷层、吸收层和P型欧姆接触层并刻蚀，形成台面侧壁与N型欧姆接触层呈预设倾角的台面结构；在P型欧姆接触层的裸露区域和N型欧姆接触层的裸露区域分别制备欧姆接触电极，获得InAlAs雪崩光电探测器。本发明通过预设倾角的台面结构可以抑制边缘击穿，且工艺简单。

主权项：1.一种InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次制备缓冲层、吸收层、电荷层、渐变层、InAlAs倍增层和N型欧姆接触层；刻蚀所述吸收层、所述电荷层、所述渐变层、所述InAlAs倍增层和所述N型欧姆接触层，在所述缓冲层上形成台面结构；并在所述缓冲层上除所述台面结构之外区域制备P型欧姆接触层；所述台面结构的台面侧壁与所述缓冲层呈预设倾角；或者，在衬底上依次制备缓冲层、N型欧姆接触层、InAlAs倍增层、渐变层、电荷层、吸收层和P型欧姆接触层；刻蚀所述InAlAs倍增层、所述渐变层、所述电荷层、所述吸收层和所述P型欧姆接触层，在所述N型欧姆接触层上形成台面结构；所述台面结构的台面侧壁与所述N型欧姆接触层呈预设倾角；在所述P型欧姆接触层的裸露区域和所述N型欧姆接触层的裸露区域分别制备欧姆接触电极，获得InAlAs雪崩光电探测器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 InAlAs雪崩光电探测器及其制备方法

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