申请/专利权人：深圳市创智成功科技有限公司

申请日：2020-05-25

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382579A

主分类号：H01L21/60(20060101)

分类号：H01L21/60(20060101);H01L23/488(20060101);C23C18/48(20060101);C23C28/02(20060101);C25D5/02(20060101)

优先权：["20200521 JP 2020-088524"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.02.15#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明公开了一种晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构，该工艺中的基材为硅或者碳化硅半导体；该基材表面上设置有导电线路区和非导电区，基材表面的导电线路区向下凹陷后形成一倒状的晶圆凸块。本发明该发明采用的化学镀锡合金工艺得到镀层为化学置换型镀层，不需要通电，也非传统的化学自催化反应，仅需要置换反应就可以进行。采用该发明的得到凸块下金属化UBM和再布线RDL既可以具有绑定性，也具有良好的焊接性。

主权项：1.一种晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺，其特征在于，该工艺中的基材为硅或者碳化硅半导体；该基材表面上设置有导电线路区和非导电区，基材表面的导电线路区向下凹陷后形成一倒状的晶圆凸块；该晶圆凸块下金属化的镀层工艺具体步骤为：步骤1，形成金属电极：晶圆基材经过蚀刻，漏出晶圆内部的电极，在晶圆凸块的凸出部分底部形成金属电极；步骤2，形成钝化层：对晶圆凸块表面进行钝化处理后形成钝化层，使得晶圆表面形成二氧化硅；步骤3，形成阻挡层：对晶圆凸块形成的钝化层表面进行真空镀钛、镀钨或镀钽，形成阻挡层形成阻挡，可以防止铜与晶圆之间的离子扩散；步骤4，形成导电铜种子层：对晶圆凸块形成的阻挡层表面真空镀铜，并形成导电铜种子层，其具有良好的导电性，为后续的电镀铜做好准备；步骤5，对晶圆凸块形成的导电铜种子层表面进行涂胶、曝光、显影，形成图形，且漏出金属线路部分；步骤6，形成电镀铜层：对金属线路部分进行电镀铜后形成电镀铜层；步骤7，去胶：将导电铜种子层上金属线路部分的光刻胶去掉；步骤8，蚀刻：采用蚀刻方法，将导电铜种子层去掉，再蚀刻去掉阻挡层；步骤9，形成化学锡合金层：在电镀铜层的铜线路上进行化学镀锡处理后形成学锡合金层；步骤10，在整个线路上设置绝缘层，并漏出植球或绑定的pad位置；步骤11，在裸露的pad位置上进行植球或者绑定，实现与外界线路互联。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市创智成功科技有限公司 晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构

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