申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2020-11-13

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397540A

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.22#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供一种背照式图像传感器及其制造方法，由于在本发明的制造方法中将第一掩模层中的图形复制至氧化材料层以形成氧化层，并使氧化层中位于切割道区的部分具有至少一个标记开口的步骤，和去除第一掩模层的步骤在同一刻蚀工艺中同时进行。如此，使得本发明的背照式图像传感器在制造过程中，工艺简单，流程简短。

主权项：1.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有器件区和位于所述器件区外围的切割道区；在所述衬底上依次形成氧化材料层和图形化的第一掩模层，所述第一掩模层中开设有至少一个第一开口，所述第一开口位于所述切割道区；执行刻蚀工艺，将所述第一掩模层中的图形复制至所述氧化材料层中以形成氧化层，并使所述氧化层中位于所述切割道区的部分具有至少一个朝向所述衬底延伸的标记开口，并且在执行所述刻蚀工艺时，所述第一掩模层同时在所述刻蚀工艺中去除；以所述标记开口为对准标记执行光刻工艺，以在所述器件区的所述氧化层上形成金属栅格层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 背照式图像传感器及其制造方法

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