申请/专利权人：群创光电股份有限公司

申请日：2018-12-04

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN109980060B

主分类号：H01L33/44(20100101)

分类号：H01L33/44(20100101);H01L25/16(20060101)

优先权：["20171227 US 15/855,062"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2019.07.30#实质审查的生效;2019.07.05#公开

摘要：本发明提供一种显示设备，包括：一基板；一驱动电路，设置于基板上；一发光单元，设置于驱动电路上且与驱动电路电性连接，其中发光单元包括：一第一半导体层；一量子阱层，设置第一半导体层上；以及一第二半导体层，设置于量子阱层上，且第二半导体层包括一第一顶表面；以及一第一保护层，设置于驱动电路上且邻近于发光单元，且第一保护层包括一第二顶表面以及设置于其中的多个导电组件，其中第一顶表面的高度高于第二顶表面的高度。

主权项：1.一种显示设备，其特征在于，包括：一基板；一驱动电路，设置于该基板上；一发光单元，设置于该驱动电路上且与该驱动电路电性连接，其中该发光单元具有一弧角且该发光单元包括：一第一半导体层；一量子阱层，设置该第一半导体层上；以及一第二半导体层，设置于该量子阱层上，且该第二半导体层包括一第一顶表面；一第一保护层，设置于该驱动电路上且邻近于该发光单元，该第一保护层包括一第二顶表面；一遮光层，设置于该第一保护层上；以及一第二保护层，设置于该遮光层上，其中该第一顶表面的高度高于该第二顶表面的高度；其中该第一顶表面的高度及该第二顶表面的高度之间的差异的范围为0.02μm至5μm；其中该弧角设置于该第二顶表面下。

全文数据：显示设备技术领域本发明是关于一种显示设备，且特别是关于显示设备的保护层。背景技术智能型手机、平板计算机、笔记本计算机、显示器及电视等具有显示面板的电子装置已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类可携式电子产品的蓬勃发展，消费者对于这类产品的质量、功能及价格等有更高的期望。下一代显示设备的发展主要专注在节省能源及环保的技术上。以氮化镓GaN为基础的发光二极管LED被预期将用于未来的高效照明应用中，取代白炽灯及荧光灯。目前以GaN为基础的LED装置是借由异质磊晶生长技术heteroepitaxialgrowthtechnique于基底材料上制备。一般的晶圆级LED装置结构可包含形成于蓝宝石基底上的单量子阱singlequantumwell，SQW或多量子阱multiplequantumwell，MWQ、n掺杂的GaN层以及p掺杂的GaN层。微型LEDMicroLED技术为一种新兴的平板显示技术，微型LED显示器可驱动寻址的微型LED的数组。在目前的制造方法中，形成微型LED且将其切割成多个微型LED管芯例如，微型发光管芯，驱动电路及相关电路形成于玻璃基板上以提供数组基板例如，薄膜晶体管数组基板，然后将微型LED管芯安装于数组基板上。微型LED中常使用裸管芯，其中裸管芯被保护层包围，保护层例如为各向异性导电膜anisotropicconductivefilm，ACF层等。ACF层可作为微型LED的电极及薄膜晶体管数组基板之间的导电路径。一般而言，ACF层的顶表面与微型LED的顶表面齐平以提供保护，然而，这会导致ACF材料的浪费且局限了光转换层可填充的空间。此外，ACF层中具有不同尺寸的导电粒子也可能造成较差的导电性差或反射率。因此，发展出可有效地维持或改善LED结构的效能的保护层的设计是为业界所期待的。发明内容根据本发明一些实施例，提供一种显示设备，其特征在于，包括：一基板；一驱动电路，设置于该基板上；一发光单元，设置于该驱动电路上且与该驱动电路电性连接，其中该发光单元包括：一第一半导体层；一量子阱层，设置该第一半导体层上；以及一第二半导体层，设置于该量子阱层上，且该第二半导体层包括一第一顶表面；以及一第一保护层，设置于该驱动电路上且邻近于该发光单元，且该第一保护层包括一第二顶表面以及设置于其中的多个导电组件，其中该第一顶表面的高度elavation高于该第二顶表面的高度。根据本发明另一些实施例，提供一种显示设备，其特征在于，包括：一基板；一驱动电路，设置于该基板上；一绝缘层，设置于该驱动电路上；一发光单元，设置于该绝缘层上且与该驱动电路电性连接，其中该发光单元包括：一第一半导体层；一量子阱层，设置该第一半导体层上；以及一第二半导体层，设置于该量子阱层上，且该第二半导体层包括一第一顶表面；以及一第一保护层，设置于该绝缘层上且邻近于该发光单元，且该第一保护层包括一第二顶表面以及设置于其中的多个导电组件，其中该第一顶表面的高度高于该第二顶表面的高度。附图说明为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：图1A至1C显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图2A至2C显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图3A至3B显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图4显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图5A至5C显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图6A至6B显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图7显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图8显示根据本发明一些实施例中，显示设备的剖面示意图；图9A显示图5A所示的显示设备的局部放大示意图；图9B至9E显示根据本发明一些实施例中，第一导电组件的剖面示意图。符号说明10、20、30、40、50、60、70、80显示设备；100驱动基板；102基板；104驱动电路；106栅极介电层；108第一绝缘层；110、110’第二绝缘层；110b堤部；110a、110ba顶表面；200、200’发光单元；202第一半导体层；204量子阱层；204a顶表面；206第二半导体层；206a顶表面；206s侧壁；208第一电极；210第二电极；300第一保护层；300a顶表面；302导电组件；302a第一导电组件；302b第二导电组件；304波长转换层；304’额外部分；306遮光层；308第二保护层；310粘着层；312覆盖基板；314凹陷；316、316’、316”缓冲层；316a、316a’、316a”顶表面；E1、E2、E3、E4、E5高度；H1、H2最大高度；L反射光；S1第一端；S2第二端；T1第一厚度；T2第二厚度；T3第三厚度；T4第四厚度；T5第五厚度；T6第六厚度；T7第七厚度；T8第八厚度；T9第九厚度；T10第十厚度；T11第十一厚度；T12第十二厚度；T13第十三厚度；T14第十四厚度；W1、W2最大宽度。具体实施方式以下针对本发明提供的显示设备及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明一些实施例的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，这些仅用以举例而非本发明的限定。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。此外，本说明书和权利要求所提及的位置，例如“之上”、“上”、或“上方”，可指直接与另一基板或膜层接触，或可指非直接与另一基板或膜层接触。应理解的是，附图的组件或装置可以所属技术领域的技术人员所熟知的各种形式存在。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的组件将会成为在“较高”侧的组件。本发明实施例可配合附图一并理解，本发明的附图亦被视为发明说明的一部分。应理解的是，本发明的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小组件的尺寸以便清楚表现出本发明的特征，而在说明书及附图中，同样或类似的组件将以类似的符号表示。可理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件或部分，这些组件、组成或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、组成或部分。因此，以下讨论的一第一组件、组成或部分可在不偏离本发明的教示的情况下被称为一第二组件、组成或部分。在此，“约”、“大约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”的含义。除非另外定义，在此使用的全部用语包含技术及科学用语具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。此外，在本发明一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。于本文中使用的用语“高度elevation”是指从基底至一目标顶表面的距离。特别地，用语“高度”可以指从基底的实质上平坦的区域至一目标顶表面的距离。例如，在本文所述的一些实施例中，高度可代表从基板的底表面至目标顶表面的距离。本发明提供的显示设备包含保护层，其高度比发光单元例如，LED、微型LED等的上部半导体层的高度低。相较于保护层与上部半导体层齐平的一般显示设备，于此种构造中，可减少用于保护层所需的材料。此外，设置于保护层之上的波长转换层将有更多的空间可填充。根据本发明的一些实施例，显示设备包含的保护层，其高度高于发光单元的量子阱的高度，可用以防止湿气及氧气损害量子阱。再者，此种设计的保护层亦可防止短路或增加反射率。此外，根据本发明的一些实施例，显示设备包含设置于发光单元及波长转换层之间的缓冲层，使得波长转换层可不受发光单元所产生的电流或热影响。图1A显示根据本发明一些实施例中，显示设备10的剖面示意图。应理解的是，在一些实施例中，可于显示设备添加额外特征，在另一些实施例中，以下所述显示设备的部分特征可以被取代或删除。请参照图1A，显示设备10可包含驱动基板100、发光单元200及第一保护层300。驱动基板100可包含基板102、驱动电路104、栅极介电层106、第一绝缘层108及第二绝缘层110。驱动基板100可作为发光单元200的开关。如图1A所示，驱动电路104设置于基板102上。在一些实施例中，基板102可包含玻璃、石英、蓝宝石sapphire、聚碳酸酯polycarbonate，PC、聚酰亚胺polyimide，PI、聚对苯二甲酸乙二酯polyethyleneterephthalate，PET、橡胶、玻璃纤维、其它适合材料或前述的组合，但不限于此。在一些其它实施例中，基板102可由金属-玻璃纤维复合板材、金属-陶瓷复合板、印刷电路板或其它合适的材料制成，但不限于此。应理解的是，虽然在一些实施例中，驱动电路104如图标中所绘示，为包含薄膜晶体管thin-filmtransistors，TFT的有源式驱动电路，但在另一些实施例中，驱动电路104可为无源式驱动电路。在一些实施例中，驱动电路104可由集成电路IC或微芯片进行控制。举例而言，在此实施例中，驱动电路104可包含导电层、绝缘层及有源层，作为薄膜晶体管。有源层可包含半导体材料，例如，非晶硅、多晶硅或金属氧化物。有源层可包含以适当的掺质掺杂的一对源极漏极区以及形成于源极漏极区之间的未掺杂通道区。栅极介电层106、第一绝缘层108及第二绝缘层110依序设置于基板102上。驱动电路104可由栅极介电层106、第一绝缘层108及第二绝缘层110环绕。在一些实施例中，栅极介电层106的材料可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数high-k介电材料、其它合适的介电材料或前述的组合。高介电常数high-k介电材料的材料可为金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐。在一些实施例中，第一绝缘层108及第二绝缘层110的材料可各自由有机材料、无机材料或前述的组合形成。所述有机材料可包含丙烯酸acrylic或甲基丙烯酸methacrylic类的有机化合物、异戊二烯isoprene化合物、苯酚-甲醛phenol-formaldehyde树脂、苯环丁烯benzocyclobutene，BCB、全氟环丁烷perfluorocyclobutane，PECB或前述的组合，但不限于此。所述无机材料可包含氮化硅、氧化硅或氮氧化硅或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，栅极介电层106、第一绝缘层108或第二绝缘层110可借由化学气相沉积制程或旋转涂布制程形成。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积lowpressurechemicalvapordeposition，LPCVD制程、低温化学气相沉积lowtemperaturechemicalvapordeposition，LTCVD制程、快速升温化学气相沉积rapidthermalchemicalvapordeposition，RTCVD制程、等离子辅助化学气相沉积plasmaenhancedchemicalvapordeposition，PECVD制程、原子层沉积atomiclayerdeposition，ALD制程或其它常用的方法。请继续参照图1A，发光单元200可设置于驱动基板100上。发光单元200可设置于驱动电路104上并与驱动电路104电性连接。具体而言，发光单元200可借由导孔及接垫耦合至驱动电路104。发光单元200可包含第一半导体层202、设置于第一半导体层202上的量子阱层204以及设置于量子阱层204上的第二半导体层206。发光单元202可包含LED或微型LED。根据一些实施例，发光单元200的剖面面积可具有约1μm至约150μm的长度，且可具有约1μm至约150μm的宽度。在一些实施例中，发光单元200可具有约1μm×1μm×1μm至约150μm×150μm×150μm的尺寸。在一些实施例中，第一半导体层202可由具有第一导电类型的掺质的III-V族化合物形成，例如，由具有p型导电性的氮化镓p-GaN形成。在一些实施例中，量子阱层204可包含均质homogeneous接面、异质heterogeneous接面、单量子阱singlequantumwell，SQW或多量子阱multiplequantumwell，MQW。量子阱层204的材料可包含氮化铟镓、氮化镓或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第二半导体层206可由具有第二导电类型的掺质的III-V族化合物形成，例如，由具有n型导电性的氮化镓n-GaN形成。此外，上述III-V族化合物可包含氮化铟InN、氮化铝AlN、氮化铟镓InGaN、氮化镓铝AlGaN、氮化铝铟镓AlGaInN或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一半导体层202、量子阱层204及第二半导体层206可借由磊晶生长制程epitaxialgrowthprocess形成。例如，可使用金属有机化学气相沉积metalorganicchemicalvapordeposition，MOCVD制程、分子束磊晶molecularbeamepitaxy，MBE制程、氢化物气相磊晶hydridevaporphaseepitaxy，HVPE制程、液相磊晶liquidphaseepitaxy，LPE制程或其它合适的制程形成第一半导体层202、量子阱层204及第二半导体层206。发光单元200可进一步包含第一电极208及第二电极210。根据一些实施例，第一电极208及第二电极210可作为发光单元200的n电极及p电极。在一些实施例中，第一电极208及第二电极210可各自由金属导电材料、透明导电材料或前述的组合形成。金属导电材料可包含铜Cu、铝Al、钨W、钛Ti、金Au、铂Pt、镍Ni、铜合金、铝合金、钨合金、钛合金、金合金、铂合金、镍合金、其它合适的导电材料或前述的组合，但不限于此。所述透明导电材料可包含透明导电氧化物transparentconductiveoxide，TCO。举例而言，透明导电氧化物可包含铟锡氧化物indiumtinoxide，ITO、氧化锡tinoxide，SnO、氧化锌zincoxide，ZnO、氧化铟锌indiumzincoxide，IZO、氧化铟镓锌indiumgalliumzincoxide，IGZO、氧化铟锡锌indiumtinoxide，ITZO、氧化锑锡antimonytinoxide，ATO、氧化锑锌antimonyzincoxide，AZO、其它适合的透明导电材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一电极208及第二电极210可借由化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、电镀制程、无电电镀制程、其它合适的制程或前述的组合形成，但不限于此。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积LPCVD制程、低温化学气相沉积LTCVD制程、快速升温化学气相沉积RTCVD制程、等离子辅助化学气相沉积PECVD制程、原子层沉积ALD制程或其它常用的方法。所述物理气相沉积制程可包含溅镀制程、蒸镀制程、脉冲激光沉积pulsedlaserdeposition，PLD制程、或其它常用的方法。请继续参照图1A，第一保护层300设置于驱动基板100上与发光单元200相邻。换言之，第一保护层300环绕发光单元200。第一保护层300可防止湿气或氧气损害发光单元200的量子阱层204。在一些实施例中，第一保护层300对于可见波长为透明或半透明的，因而不会显著降低显示设备的光提取效率lightextractionefficiency。第一保护层300可由有机材料或无机材料形成。在一些实施例中，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的保护材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，有机材料可包含环氧树脂、丙烯酸树脂如聚甲基丙烯酸甲酯polymethylmetacrylate，PMMA、苯环丁烯benzocyclobutene，BCB、聚酰亚胺以及聚酯、聚二甲基硅氧烷polydimethylsiloxane，PDMS、其它合适的保护材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一保护层300可借由化学气相沉积制程、旋转涂布制程或印刷制程形成。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积LPCVD制程、低温化学气相沉积LTCVD制程、快速升温化学气相沉积RTCVD制程、等离子辅助化学气相沉积PECVD制程、原子层沉积ALD制程或其它常用的方法。此外，第一保护层300可进一步包含形成于其中的多个导电组件302。如图1A所示，根据一些实施例，一些导电组件302可散布于第一保护层300中，且一些导电组件302可以形成于第二绝缘层110上。根据一些实施例，一些导电组件302可为焊料，例如，锡球solderball。根据一些实施例，一些导电组件302可为共晶组合物eutecticcomposition。特别地，导电组件302可进一步包含第一导电组件302a及第二导电组件302b。第一导电组件302a设置于发光单元200的第一端S1下方。第一端S1与第二端S2相对设置。在一些实施例中，第一端S1及第二端子S2分别指的是发光单元200的底部及顶部。第一导电组件302a可设置于发光单元200及驱动基板100之间。具体而言，第一导电组件302a可设置于第一电极208与第二绝缘层110之间或第二电极210与第二绝缘层110之间。第一导电组件302a可设置于第一电极208与第二绝缘层110上的接触垫之间，或第二电极210与第二绝缘层110上的接触垫之间。此外，第一导电组件302a可将第一电极208及或第二电极210与驱动电路104电性连接。另一方面，第二导电组件302b可设置在发光单元200之外的区域中。第二导电组件302b可散布于第一保护层300中。第二导电组件302b亦可设置于第一保护层300的底部。导电组件302可由导电材料形成，以作为发光单元200的电性接触。导电组件302亦可作为反射粒子，以反射发光单元200发射的光。在一些实施例中，导电组件302可由高反射导电材料形成。在一些实施例中，导电组件302的材料可包含金Au、铂Pt、银Ag、铜Cu、铁Fe、镍Ni、锡Sn、铝Al、镁Mg、钯Pd、铱Ir、铑Rh、钌Ru、锌Zn、金合金、铂合金、银合金、铜合金、铁合金、镍合金、锡合金、铝合金、镁合金、钯合金、铱合金、铑合金、钌合金、锌合金、其它合适的导电材料或前述的组合，但不限于此。此外，关于导电组件302的细节将于下文进一步讨论。如图1A所示，发光单元200的第二半导体层206包含顶表面206a。第一保护层300包含顶表面300a。在一些实施例中，第二半导体层206的顶表面206a的高度elevationE1高于第一保护层300的顶表面300a的高度E2。应该注意，于本文中使用的术语“高度”是指从基板102至目标顶表面的距离。具体而言，术语“高度”可以指从基板102的底表面至目标顶表面的距离。例如，顶表面206a的高度E1定义为从基板102的底表面至顶表面206a的距离。如上所述，第二半导体层206的顶表面206a的高度E1高于第一保护层300的顶表面300a的高度E2。如此一来，相较于保护层的顶表面大致上与上部半导体层例如，第二半导体层206齐平的一般显示设备，形成保护层300所需的材料较少，可节省材料。此外，将有更多的空间供波长转换层304填充，从而可改善显示设备的光学性能。在一些实施例中，第二半导体层206的高度E1与第一保护层300的高度E2之间的差异的范围为约0.02μm至约5μm，或为约0.2μm至约2μm。应注意的是，高度E1及高度E2之间的差异不应过小，否则可填充波长转换层304的额外部分304’的空间将会减少，可能造成照明效率illuminationefficiency降低且无法实现节省材料的益处；且高度E1及高度E2之间的差异不应该过大，否则第一保护层300的保护效率将会降低，发光单元200可能变得容易受到环境的影响。再者，如图1A所示，发光单元200的量子阱层204包含顶表面204a。在一些实施例中，第一保护层300的顶表面300a的高度E2高于量子阱层204的顶表面204a的高度E3。换言之，量子阱层204嵌入于第一保护层300中。如此一来，发光单元200的量子阱层204可被第一保护层300完全保护，从而防止湿气或氧气影响或损害量子阱层204。在一些实施例中，第一保护层300的高度E2与量子阱层204的高度E3之间的差异的范围为约0.1μm至约10μm，或为约1μm至约5μm。应注意的是，高度E2与高度E3之间的差异不应过小，否则第一保护层300的保护效率会降低，发光单元200可能变得容易受环境影响；此外，高度E2与高度E3之间的差异不应过大，否则发光单元200的热容量将可能过大，使得热量可能会被困在第一保护层300中，且可能对发光单元200或形成于其上的波长转换层304造成损害。此外，若高度E2与高度E3之间的差异过大，亦可能无法实现节省材料的益处。此外，应理解的是，虽然图1A所绘示的实施例中的显示设备10包含设置于发光单元200上的波长转换层304，在另一些实施例中，波长转换层304可简单地以不具有波长转换功能的透明材料例如，没有磷光体颗粒或量子点材料进行替代。举例而言，透明材料可包含聚合物或玻璃基质，但不限于此。在一些实施例中，第一保护层300的顶表面300a可设置于量子阱层204的顶表面204a与第二半导体层206的顶表面206a之间任一合适的位置，只要量子阱层204可被第一保护层300覆盖即可。接着，请继续参照图1A，显示设备10可进一步包含设置于发光单元200及第一保护层300上的波长转换层304，以及设置于第一保护层300上的遮光层306。波长转换层304可设置于遮光层306之间并覆盖发光单元200。遮光层306可定义显示设备10中的子像素subpixel区域。每个子像素可对应于一个发光单元200。在一些实施例中，每个子像素可对应于多于一个的发光单元200。在一些实施例中，波长转换层304包含覆盖第二半导体层206的侧壁206s的一部分的额外部分304’。如上所述，相较于保护层的顶表面大致上与上部半导体层齐平的一般显示设备即，不具有额外的波长转换层的部分，波长转换层304的额外部分304’可以进一步改善显示设备的光学性能。波长转换层304可包含用于转换从发光单元200产生的光的波长的磷光体phosphor。在一些实施例中，波长转换层304可包含聚合物或玻璃基质，以及散布于基质中的磷光体颗粒。从发光单元200发射的光可被调整为色谱中的特定颜色。举例而言，波长转换层304可包含用于将从发光单元200发射的光转换为红光、绿光、蓝光或其它合适颜色的光的磷光体。在一些其它实施例中，波长转换层304包含量子点材料。量子点材料可具有核心-外壳core-shell结构。所述核心可包含CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnO、ZnTe、InAs、InP、GaP、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。所述外壳可包含ZnS、ZnSe、GaN、GaP、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。此外，应理解的是，虽然图1A所绘示的波长转换层304具有凸面convex形状的顶表面，然而在其它实施例中，波长转换层304可视需要具有其它合适的形状。相似地，遮光层306的构造并不限于图1A所示的构造，遮光层306亦可视需要具有其它合适的构造。与波长转换层304相邻设置的遮光层306可增强亮度的对比度。在一些实施例中，遮光层306由不透明opaque材料形成，例如由黑色矩阵blackmatrix材料形成。黑色矩阵材料可包含有机树脂、玻璃浆料glasspaste、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。此外，黑色矩阵材料可进一步包含金属颗粒如镍、铝、钼及其合金、金属氧化物颗粒如氧化铬、金属氮化物颗粒如氮化铬、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，可借由化学气相沉积制程、旋转涂布制程或印刷制程形成波长转换层304及遮光层306。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积LPCVD制程、低温化学气相沉积LTCVD制程、快速升温化学气相沉积RTCVD制程、等离子辅助化学气相沉积PECVD制程、原子层沉积ALD制程或其它常用的方法。如图1A所示，显示设备10可进一步包含覆盖波长转换层304及遮光层306的第二保护层308。第二保护层308可防止波长转换层304及遮光层306受到外部环境的影响。第二保护层308可由有机材料或无机材料形成。在一些实施例中，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的保护材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，有机材料可包含环氧树脂、丙烯酸树脂如聚甲基丙烯酸甲酯polymethylmetacrylate，PMMA、苯环丁烯benzocyclobutene，BCB、聚酰亚胺以及聚酯、聚二甲基硅氧烷polydimethylsiloxane，PDMS、其它合适的保护材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第二保护层308可借由化学气相沉积制程、旋转涂布制程或印刷制程形成。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积LPCVD制程、低温化学气相沉积LTCVD制程、快速升温化学气相沉积RTCVD制程、等离子辅助化学气相沉积PECVD制程、原子层沉积ALD制程或其它常用的方法。此外，显示设备10可进一步包含粘着层310及覆盖基板312。粘着层310可设置于第二保护层308及覆盖基板312之间，以将覆盖基板312固定至第二保护层308。粘着层310可由任意合适的粘着剂材料形成。另一方面，覆盖基板312的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石sapphire、聚碳酸酯polycarbonate，PC、聚酰亚胺polyimide，PI、聚对苯二甲酸乙二酯polyethyleneterephthalate，PET、其它适合材料或前述的组合，但不限于此。接着，图1B显示根据本发明另一些实施例中，显示设备10的剖面示意图。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法及功能与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。图1B所示的实施例与图1A所示的实施例的差异在于，图1B所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a具有凹面concave形状，而图1A所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a实质上为平坦的。如图1B所示，位于发光单元200上方的波长转换层304具有第一厚度T1，位于保护层300上方包含额外部分304’的波长转换层304具有第二厚度T2。在一些实施例中，第一厚度T1可定义为位于发光单元200上方的波长转换层304的最大厚度。在一些实施例中，第二厚度T2可定义为位于保护层300上方的波长转换层304的最大厚度。在此实施例中，由于顶表面300a具有凹面形状，相较于实质平坦的顶表面300a如图1A所示，第一厚度T1与第二厚度T2之间的差异于一个子像素subpixel中为较小的。此外，在一些实施例中，由于顶表面300a具有凹面形状，较接近发光单元200的额外部分304’的第三厚度T3小于较远离发光单元200的额外部分304’的第四厚度T4。在一些实施例中，由于选择的第一保护层300的材料具有疏水特性，可形成凹面形状的顶表面300a。在一些实施例中，可借由图案化制程形成凹面形状的顶表面300a。所述图案化制程可包含光刻photolithography制程及蚀刻制程例如，选择性蚀刻制程。光刻制程可包含光阻涂布例如，旋转涂布、软烘烤、硬烘烤、屏蔽对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗、干燥或其它合适步骤。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程。接着，请参照图1C，图1C显示根据本发明另一些实施例中，显示设备10的剖面示意图。图1C所示的实施例与图1A所示的实施例的差异在于，图1C所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a具有凸面形状，而图1A所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a实质上为平坦的。如图1C所示，于此实施例中，由于顶表面300a具有凸面形状，较接近发光单元200的额外部分304’的第五厚度T5大于较远离发光单元200的额外部分304’的第六厚度T6。此外，由于顶表面300a具有凸面表面，可集中反射光L以增加照明效率。在一些实施例中，由于选择的第一保护层300的材料具有亲水特性，可形成凸面形状的顶表面300a。在一些实施例中，可借由图案化制程形成凸面形状的顶表面300a。所述图案化制程可包含光刻制程及蚀刻制程例如，选择性蚀刻制程。光刻制程可包含光阻涂布例如，旋转涂布、软烘烤、硬烘烤、屏蔽对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗、干燥或其它合适步骤。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程。接着，图2A显示根据本发明一些实施例中，显示设备20的剖面示意图。图2A所示的实施例与图1A所示的实施例的差异在于，图2A所示的实施例中的发光单元200’为垂直芯片型verticalchiptype的发光二极管，而图1A所示的实施例中的发光单元200为覆晶型flipchiptype的发光二极管。如图2A所示，发光单元200’可设置于驱动电路104上并与驱动电路104电性连接。发光单元200’的第一电极208设置于导电组件302上，且可作为发光单元200’的底部电极。第一半导体层202、量子阱层204及第二半导体层206依序堆栈于第一电极208上。第二电极210设置于第二半导体层206上，且可作为发光单元200’的顶部电极。此外，在此实施例中，发光单元200’可进一步包含设置于第二电极210及第一保护层300上的接触层212。接触层212可作为发光单元200’的电性接触件。在一些实施例中，接触层212可共形地conformally形成于第二电极210及第一保护层300上。接触层212可耦接至来自不同数组的电路或耦接至面板外部的电路。在一些实施例中，接触层212的材料可包含透明导电氧化物transparentconductiveoxide，TCO。举例而言，透明导电氧化物可包含铟锡氧化物indiumtinoxide，ITO、氧化锡tinoxide，SnO、氧化锌zincoxide，ZnO、氧化铟锌indiumzincoxide，IZO、氧化铟镓锌indiumgalliumzincoxide，IGZO、氧化铟锡锌indiumtinoxide，ITZO、氧化锑锡antimonytinoxide，ATO、氧化锑锌antimonyzincoxide，AZO、其它适合的透明导电材料或前述的组合，但不限于此。此外，可借由化学气相沉积制程或旋转涂布制程形成接触层212。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积LPCVD制程、低温化学气相沉积LTCVD制程、快速升温化学气相沉积RTCVD制程、等离子辅助化学气相沉积PECVD制程、原子层沉积ALD制程或其它常用的方法。与图1A所示的显示设备10类似地，于图2A所示的实施例的显示设备20中，第二半导体层206的顶表面206a的高度E1高于第一保护层300的顶表面300a的高度E2。在一些实施例中，第二半导体层206的高度E1与第一保护层300的高度E2的差异的范围为约0.02μm至约5μm，或为约0.2μm至约2μm。此外，第一保护层300的顶表面300a的高度E2高于量子阱层204的顶表面204a的高度E3。在一些实施例中，第一保护层300的高度E2与量子阱层204的高度E3的差异的范围为约0.1μm至约10μm，或为约1μm至约5μm。此外，于图2A所示的实施例的显示设备20中，发光单元200’的第二电极210具有顶表面210a。第二电极210的顶表面210a的高度E4亦高于第一保护层300的顶表面300a的高度E2。在一些实施例中，第二电极210的高度E4与第一保护层300的高度E2的差异的范围为约0.02μm至约5μm，或为约0.2μm至约2μm。接着，图2B显示根据本发明另一些实施例中，显示设备20的剖面示意图。图2B所示的实施例与图2A所示的实施例的差异在于，图2B所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a具有凹面形状，而图2A所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a实质上为平坦的。再者，接触层212的顶表面212a亦可具有凹面形状。如图2B所示，位于发光单元200’上方的波长转换层304具有第七厚度T7，位于保护层300上方包含额外部分304’的波长转换层304具有第八厚度T8。在一些实施例中，第七厚度T7可定义为位于发光单元200’及接触层212上方的波长转换层304的最大厚度。在一些实施例中，第八厚度T8可定义为位于保护层300及接触层212两者上方的波长转换层304的最大厚度。在此实施例中，由于顶表面300a及顶表面212a具有凹面形状，相较于实质平坦的顶表面300a及顶表面212a如图2A所示，第七厚度T7与第八厚度T8之间的差异于一个子像素subpixel中为较小的。此外，在一些实施例中，由于顶表面300a及顶表面212a具有凹面形状，较接近发光单元200’的额外部分304’的第九厚度T9小于较远离发光单元200’的额外部分304’的第十厚度T10。接着，图2C显示根据本发明另一些实施例中，显示设备20的剖面示意图。图2C所示的实施例与图2A所示的实施例的差异在于，图2C所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a具有凸面形状，而图2A所示的实施例中的第一保护层300的顶表面300a实质上为平坦的。再者，接触层212的顶表面212a亦可具有凸面形状。如图2C所示，于此实施例中，由于顶表面300a及顶表面212a具有凸面形状，较接近发光单元200’的额外部分304’的第十一厚度T11大于较远离发光单元200’的额外部分304’的第十二厚度T12。此外，由于顶表面300a及顶表面212a具有凸面表面，可集中反射光L以增加照明效率。接着，图3A显示根据本发明一些实施例中，显示设备30的剖面示意图。图3A所示的实施例与图1A所示的实施例的差异在于，图3A所示的实施例中的第二绝缘层110’进一步包含堤部bankportion110b。如图3A所示，第二绝缘层110’的堤部110b朝向遮光层306突出。第二绝缘层110’的堤部110b具有顶表面110ba。在一些实施例中，第二绝缘层110’的顶表面110ba的高度E5低于第一保护层300的顶表面300a的高度E2。于此种构造中，由于第二绝缘层110’的堤部110b占据了一些原本将以第一保护层300填充的空间，因此可节省第一保护层300的材料。另一方面，第二绝缘层110’的顶表面110ba的高度E5可低于或高于量子阱层204的顶表面204a的高度E3。在一些实施例中，由于第二绝缘层110’包含堤部bankportion110b，因此发光单元200设置于由堤部110b所定义的沟槽trench或凹穴cavity中。在一些实施例中，多个发光单元200设置于由堤部110b所定义的同一沟槽中。在一些其它实施例中，每个发光单元200分开地设置于由堤部110b所定义的多个凹穴中。此外，在另一些实施例中，每个凹穴可包含设置于其中的多个发光单元200。此外，可借由对第二绝缘层110’实行图案化制程以形成堤部110b。所述图案化制程可包含光刻制程及蚀刻制程例如，选择性蚀刻制程。光刻制程可包含光阻涂布例如，旋转涂布、软烘烤、硬烘烤、屏蔽对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗、干燥或其它合适步骤。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程。根据一些实施例，第二绝缘层110’的顶表面110ba的高度E5等于第一保护层300的顶表面300a的高度E2。根据另一些实施例，第二绝缘层110’的顶表面110ba的高度E5高于第一保护层300的顶表面300a的高度E2如图3B所示。此外，在一些实施例中，第二绝缘层110’可具有双层结构或多层堆栈结构。接着，图4显示根据本发明一些实施例中，显示设备40的剖面示意图。图4所示的实施例与图1A所示的实施例的差异在于，图4所示的实施例中的第一绝缘层300的顶表面300a包含多个凹陷recess314。换言之，第一保护层300的顶表面300a具有凹坑pothole结构。在一些实施例中，第一保护层300的顶表面300a的凹陷314可为随机分布的。在一些实施例中，凹陷314的尺寸的范围可为约1nm至约10μm，或为约100nm至约2μm。此外，于此种构造中，第一保护层300的顶表面300a的凹陷314可防止反射光因全反射而被困在第一保护层300中。因此，顶表面300a的凹陷314可增加或改善显示设备的照明效率。在一些实施例中，可借由图案化制程形成顶表面300a的凹陷314。所述图案化制程可包含光刻制程及蚀刻制程例如，选择性蚀刻制程。光刻制程可包含光阻涂布例如，旋转涂布、软烘烤、硬烘烤、屏蔽对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗、干燥或其它合适步骤。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程。接着，图5A显示根据本发明一些实施例中，显示设备50的剖面示意图。图5A所示的实施例与图1A所示的实施例的差异在于，显示设备50进一步包含设置于发光单元200上的缓冲层316。如第图5A所示，缓冲层316可设置于发光单元200及第一保护层300上。缓冲层316可设置于发光单元200与波长转换层304之间。在一些实施例中，缓冲层316可共形地conformally形成于发光单元200及第一保护层300之上。此外，缓冲层316可覆盖第二半导体层206的侧壁206s。承前所述，缓冲层316可设置于发光单元200及波长转换层304之间，因而得以避免发光单元200与波长转换层304之间的直接接触。因此，波长转换层304可不受发光单元200产生的电流或热量影响。如上所述，虽然图5A所示的实施例中的显示设备50包含设置于发光单元200上的波长转换层304，在另一些实施例中，波长转换层304可简单地以不具有波长转换功能的透明材料例如，不具有磷光体颗粒或量子点材料代替。举例而言，所透明材料可包含聚合物或玻璃基质，但不限于此。在一些实施例中，缓冲层316可为绝缘体。在一些实施例中，缓冲层316可包含有机材料、无机材料或前述的组合。缓冲层316可由有机绝缘材料形成。所述有机绝缘材料可包含聚酰胺polyamide、聚乙烯polyethylene、聚苯乙烯polystyrene、聚丙烯polypropylene、聚酯polyester、聚酰亚胺polyimide、聚氨酯polyurethane、硅氧烷silicone、聚丙烯酸酯polyacrylate、苯环丁烯benzo-cyclo-butene，BCB、聚乙烯基吡咯烷酮polyvinylpyrrolidone，PVP、聚氟乙烯polyvinylfluoride，PVF、聚偏氟乙烯polyvinylidenefluoride，PVDF、聚四氟乙烯polytetrafluoroethylene，PTFE、聚甲基丙烯酸甲酯polymethylmetacrylate，PMMA、聚二甲基硅氧烷polydimethylsiloxane，PDMS、其它合适的有机材料或前述的组合，但不限于此。再者，所述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的无机材料或前述的组合，但不限于此。此外，可借由化学气相沉积制程或旋转涂布制程形成缓冲层316。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积LPCVD制程、低温化学气相沉积LTCVD制程、快速升温化学气相沉积RTCVD制程、等离子辅助化学气相沉积PECVD制程、原子层沉积ALD制程或其它常用的方法。在一些实施例中，缓冲层316的厚度可为不均匀的。如图5A所示，位于第一保护层300上方的缓冲层316可具有第十三厚度T13，位于发光单元200上方的缓冲层316具有第十四厚度T14。在一些实施例中，缓冲层316的第十三厚度T13大于缓冲层316的第十四厚度T14。亦即，设置于发光单元200正上方的缓冲层316比设置于第一保护层300正上方的缓冲层316薄。于此种构造中，由于设置于发光单元200上方的缓冲层316较薄，因此从发光单元200发射的光的强度将不会显著降低。在一些实施例中，第十三厚度T13与第十四厚度T14之间的差异的范围为约0.001μm至约5μm，或为约0.05μm至约2μm。在一些实施例中，缓冲层316的第十三厚度T13的范围可为约0.02μm至约5μm，或为约0.1μm至约2μm。在一些实施例中，缓冲层316的第十四厚度T14的范围可为约0.02μm至约5μm，或为约0.1μm至约2μm。接着，图5B显示根据本发明另一些实施例中，显示设备50的剖面示意图。图5B所示的实施例与图5A所示的实施例的差异在于，图5B所示的实施例中的第一保护层300上的缓冲层316的顶表面316a具有凹面形状，而图5A所示的实施例中的第一保护层300上的缓冲层316的顶表面316a实质上为平坦的。此外，如图5C示，根据一些其它实施例，第一保护层300上的缓冲层316的顶表面316a可具有凸面形状。接着，图6A显示根据本发明另一些实施例中，显示设备60的剖面示意图。图6A所示的实施例与图5A所示的实施例的差异在于，图6A所示的实施例中的缓冲层316’为不连续discontinuous结构，而图5A所示的实施例中的缓冲层316为连续continuous结构。如图6A所示，不同子像素subpixel中的缓冲层316’可为不连续的。换言之，来自不同子像素的缓冲层316’可为分开的。在此实施例中，缓冲层316’的一部分可设置于发光单元200之上，而缓冲层316’的另一部分可设置于第一保护层300之上。具体而言，缓冲层316’可完全地覆盖第二半导体层206的顶表面206a，且部分地覆盖第一保护层300的顶表面300a。在一些实施例中，缓冲层316’由发光单元200延伸经过波长转换层304且延伸至遮光层306。在一些实施例中，可借由图案化制程形成缓冲层316’。所述图案化制程可包含光刻制程及蚀刻制程例如，选择性蚀刻制程。光刻制程可包含光阻涂布例如，旋转涂布、软烘烤、硬烘烤、屏蔽对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗、干燥或其它合适步骤。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程。接着，图6B显示根据本发明另一些实施例中，显示设备60的剖面示意图。图6B所示的实施例与图6A所示的实施例的差异在于，图6B所示的实施例中的缓冲层316”并未延伸至遮光层306。如图6B所示，缓冲层316”可完全地覆盖第二半导体层206的顶表面206a，且部分地覆盖第二半导体层206的侧壁206s。缓冲层316”未沿着保护层300的顶表面300a延伸。相似地，可借由前述图案化制程形成缓冲层316”。接着，图7显示根据本发明一些实施例中，显示设备70的剖面示意图。图7所示的实施例与图2A所示的实施例的差异在于，显示设备70进一步包含设置于接触层212上的缓冲层316。如图7所示，缓冲层316可设置于接触层212与波长转换层304之间。在一些实施例中，缓冲层316共形地conformally形成于接触层212之上。承前所述，缓冲层316可设置于接触层212与波长转换层304之间，因而得以避免接触层212与波长转换层304之间的直接接触。因此，波长转换层304可不受包含接触层212的发光单元200所产生的电流或热量影响。在一些实施例中，缓冲层316的厚度可为不均匀的。如图7所示，根据一些实施例，位于发光单元200正上方的缓冲层316比设置于第一保护层300正上方的缓冲层316薄。于此种构造中，由于设置于发光单元200上方的缓冲层316较薄，因此从发光单元200发射的光的强度将不会显著降低。接着，图8显示根据本发明一些实施例中，显示设备80的剖面示意图。图8所示的实施例与图5A所示的实施例的差异在于，图8所示的实施例中的发光单元200上的缓冲层316的顶表面316a”比第一保护层300上的缓冲层316的顶表面316a’粗糙。如图8所示，于此实施例中，缓冲层316的顶表面316a可进一步包含设置于发光单元200上方的顶表面316a”以及设置于第一保护层300上方且位于发光单元200之外的区域的顶表面316a’。承前所述，顶表面316a”比顶表面316a’粗糙。在一些实施例中，顶表面316a’的表面粗糙度的范围可为约2nm至约30nm。在一些实施例中，顶表面316a”的表面粗糙度的范围可为约5nm至约100nm。在一些实施例中，顶表面316a”与顶表面316a’之间的表面粗糙度的差异范围可为约3nm至约100nm。于此种构造中，发光单元200产生的光可更均匀地发射，使波长转换层304的转换效率得以增加。在一些实施例中，可借由蚀刻制程形成粗糙的顶表面316a”。所述蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程。接着，图9A显示图5A中的显示设备50的局部放大部分。如图9A所示，导电组件302可包含第一导电组件302a及第二导电组件302b。第一导电组件302a可设置于发光单元200的第一端S1的下方。第一导电组件302a可设置于发光单元200及第二绝缘层110之间。特别地，一些第一导电组件302a可设置于第一电极208与第二绝缘层110上的接触结构例如，导电接垫之间；以及一些第一导电组件302a可设置于第二电极210与第二绝缘层110上的接触结构例如，导电接垫之间。另一方面，第二导电组件302b可设置于发光单元200之外的区域。第二导电组件302b可散布于第一保护层300中，或设置于第二绝缘层110的顶表面110a。根据一些实施例，第一导电组件302a的高宽比的范围为约0.25至约0.75，或为约0.4至约0.6。然而，应注意的是，第一导电组件302a的高宽比不应过小，否则接触率会大幅降低；且第一导电组件302a的高宽比不应过大，否则接触电阻将会过高，由于单一导电组件302a的接触面积过小。根据一些实施例，第二导电组件302b的高宽比的范围为约0.7至约1.3，或为约0.8至约1.2。然而，应该注意的是，第二导电组件302b的高宽比不应过小，否则由第二导电组件302b所反射的光将会不均匀；且第一导电组件302a的高宽比不应过大，否则由第二导电组件302b所反射的光将显著减少。应理解的是，于此使用的“高宽比”是从导电组件302所取得的剖面结构进行测量。特别地，由于受到用于取得剖面结构的制程影响，高宽比的变异范围可为约0％至约5％。此外，高宽比的“高度”定义为从导电组件302所获得的剖面结构中，沿着第一方向的最大高度。高宽比的“宽度”定义为从导电组件302所获得的剖面结构中，沿着第二方向的最大宽度。上述第一方向及第二方向彼此正交orthogonal。举例而言，图9B及图9C显示根据本发明一些实施例中，第一导电组件302a的剖面结构图。请参照图9B及图9C，示例的第一导电组件302a的剖面结构具有沿着第一方向A的最大高度H1以及沿着第二方向B的最大宽度W1。第一方向A与第二方向B正交。在这些例子中，第一导电组件302a的高宽比为H1W1。再者，如图9B及图9C所示，第一导电组件302a的剖面结构可具有椭圆形或类似椭圆形的形状，但不限于此。接着，图9D及图9E显示根据本发明一些实施例中，第二导电组件302b的剖面结构图。如图9D及图9E所示，示例的第二导电组件302b的剖面结构具有沿着第一方向A的最大高度H2以及沿着第二方向B的最大宽度W2。第一方向A与第二方向B正交。在这些例子中，第二导电组件302b的高宽比为H2W2。再者，第二导电组件302b的剖面结构可具有圆形或类似圆形的形状，但不限于此。综上所述，根据一些实施例，本发明提供的显示设备包含的保护层其顶表面的高度比发光单元的上部半导体层亦即，第二半导体层的顶表面的高度低。相较于保护层与上部半导体层齐平的一般显示设备，于此种构造中，可减少用于保护层所需的材料。此外，设置于保护层之上的波长转换层将有更多的空间可填充。根据本发明的一些实施例，显示设备包含的保护层，其顶表面的高度高于发光单元的量子阱其顶表面的高度，可防止湿气及氧气损害量子阱。此外，此种设计的保护层亦可防止短路或增加反射率。此外，根据本发明的一些实施例，显示设备包含设置于发光单元及波长转换层之间的缓冲层，使得波长转换层可不受发光单元所产生的电流或热影响。虽然本发明的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中的技术人员可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

权利要求：1.一种显示设备，其特征在于，包括：一基板；一驱动电路，设置于该基板上；一发光单元，设置于该驱动电路上且与该驱动电路电性连接，其中该发光单元包括：一第一半导体层；一量子阱层，设置该第一半导体层上；以及一第二半导体层，设置于该量子阱层上，且该第二半导体层包括一第一顶表面；以及一第一保护层，设置于该驱动电路上且邻近于该发光单元，该第一保护层包括一第二顶表面，其中该第一顶表面的高度elavation高于该第二顶表面的高度。2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，其中该第一顶表面的高度及该第二顶表面的高度之间的差异的范围为0.02μm至5μm。3.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，其中该量子阱层包括一第三顶表面，且该第二顶表面的高度高于该第三顶表面的高度。4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一保护层更包括多个导电组件。5.如权利要求4所述的显示设备，其特征在于，其中该发光单元包括一第一端，且该多个导电组件包括位于该第一端下方的一第一导电组件，且该第一导电组件的高宽比的范围为0.3至0.7。6.如权利要求4所述的显示设备，其特征在于，其中该多个导电组件包括位在该发光单元的区域外的一第二导电组件，且该第二导电组件的高宽比的范围为0.8至1.2。7.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，更包括一缓冲层，设置于该发光单元上，该缓冲层包括一第一部分及邻近于该第一部分的一第二部分，其中该第一部分覆盖该发光单元，且该第一部分的厚度与该第二部分的厚度不同。8.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，其中该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度。9.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，其中该第一部分与该第二部分分别包括一第四顶表面及一第五顶表面，且该第四顶表面的粗糙度大于该第五顶表面的粗糙度。10.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，其中该缓冲层的厚度的范围为0.02μm至5μm。11.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，其中该缓冲层为一绝缘体。12.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，其中该缓冲层包括有机材料。13.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，其中该第一保护层的该第二顶表面包括多个凹陷。14.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，其中该第一保护层的该第二顶表面具有一凹面形状或一凸面形状。15.一种显示设备，其特征在于，包括：一基板；一驱动电路，设置于该基板上；一绝缘层，设置于该驱动电路上；一发光单元，设置于该绝缘层上且与该驱动电路电性连接，其中该发光单元包括：一第一半导体层；一量子阱层，设置该第一半导体层上；以及一第二半导体层，设置于该量子阱层上，且该第二半导体层包括一第一顶表面；以及一第一保护层，设置于该绝缘层上且邻近于该发光单元，且该第一保护层包括一第二顶表面，其中该第一顶表面的高度高于该第二顶表面的高度。16.如权利要求15所述的显示设备，其特征在于，其中该绝缘层包括一第六顶表面，其中该第六顶表面的高度高于该第一顶表面的高度。17.如权利要求16所述的显示设备，其特征在于，其中该第六顶表面的高度高于该第二顶表面的高度。18.如权利要求15所述的显示设备，其特征在于，更包括：一缓冲层及一波长转换层，设置于该发光单元上，其中该缓冲层设置于该第二半导体层及该波长转换层之间。19.如权利要求18所述的显示设备，其特征在于，其中该波长转换层包括覆盖该第二半导体层的一侧壁的一第三部分。20.如权利要求15所述的显示设备，其特征在于，该第一保护层300更包括多个导电组件，而该发光单元包括一第一端，且该多个导电组件包括位于该绝缘层与该第一端之间的一第一导电组件，且该第一导电组件的高宽比的范围为0.3至0.7。

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