申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司

申请日：2019-03-29

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN110047847B

主分类号：H01L27/12(20060101)

分类号：H01L27/12(20060101);G02F1/1333(20060101);G02F1/1362(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.07#授权;2019.08.16#实质审查的生效;2019.07.23#公开

摘要：本发明提出了一种显示面板，该显示面板包括衬底、位于该衬底上的薄膜晶体管层、及位于该薄膜晶体管层上的触控层；该薄膜晶体管层包括源漏极层，该源漏极层上设置有源极漏极及数据信号线；该显示面板还包括与该触控层电连接的触控走线，该触控走线位于该衬底与该触控层之间；其中，部分该数据信号线与部分该触控走线非同层设置。本申请采用跳线设计将该触控走线与该数据信号线间距较小的部分设置在不同膜层上，避免了触控走线与该数据信号线的短接，使得数据信号正常传输，提高了产品的良率。

主权项：1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管层、及位于所述薄膜晶体管层上的触控层，所述薄膜晶体管层包括源漏极层，所述源漏极层包括源极漏极及数据信号线；所述显示面板还包括与所述触控层电连接的触控走线，所述触控走线位于所述衬底与所述触控层之间，所述数据信号线与所述触控走线平行；其中，所述数据信号线包括第一部分和第二部分，所述数据信号线的第一部分与所述数据信号线的第二部分非同层设置，所述数据信号线的第一部分与所述数据信号线的第二部分通过第一过孔电连接；所述触控走线与所述数据信号线的第二部分同层设置；所述数据信号线的第二部分与所述源极或漏极同层设置，所述数据信号线的第一部分位于所述衬底与所述源极漏极之间；所述显示面板还包括位于所述衬底与所述薄膜晶体管层之间的遮光层，所述数据信号线的第一部分与所述遮光层同层设置；或者，所述显示面板还包括位于所述衬底上的栅极层，所述数据信号线的第一部分与所述栅极层同层设置。

全文数据：显示面板技术领域本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板。背景技术低温多晶硅Lowtemperaturepoly-silicon，LTPS，由于其具有高的电子迁移率，可以有效的减小薄膜晶体管ThinFilmTransistor，TFT器件的面积，进而提升像素的开口率，增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低，目前已成为液晶显示领域炙手可热的技术。现有技术中的显示面板为了节省光罩，常常将触控引线与源漏极层同层设置，由于布线空间的紧缺性导致触控引线与数据线短接，影响显示面板数据传输性能，导致显示面板显示异常，降低了面板的良率。因此，目前亟需一种显示面板以解决上述问题。发明内容本发明提供一种显示面板，以解决现有显示面板数据传输异常的技术问题。为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：本发明提供了一种显示面板，其包括衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管层、及位于所述薄膜晶体管层上的触控层；所述薄膜晶体管层包括源漏极层，所述源漏极层包括源极漏极及数据信号线；所述显示面板还包括与所述触控层电连接的触控走线，所述触控走线位于所述衬底与所述触控层之间；其中，部分所述数据信号线与部分所述触控走线非同层设置。在本申请的显示面板中，所述数据信号线包括第一部分和第二部分；所述数据信号线的第一部分与所述数据信号线的第二部分非同层设置；所述数据信号线的第一部分与所述数据信号线的第二部分通过第一过孔电连接；所述触控走线与所述数据信号线的第二部分同层设置。在本申请的显示面板中，所述数据信号线的第二部分与所述源极或漏极同层设置；所述数据信号线的第一部分位于所述衬底与所述源极漏极之间。在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述衬底与所述薄膜晶体管层之间的遮光层；所述数据信号线的第一部分与所述遮光层同层设置。在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述衬底上的栅极层；所述数据信号线的第一部分与所述栅极层同层设置。在本申请的显示面板中，所述触控走线包括第一部分和第二部分；所述触控走线的第一部分与所述触控走线的第二部分非同层设置；所述触控走线的第一部分与所述触控走线的第二部分通过第二过孔电连接；所述数据信号线与所述触控走线的第二部分同层设置。在本申请的显示面板中，所述触控走线的第二部分与所述源极漏极同层设置；所述触控走线的第一部分位于所述衬底与所述源极漏极之间。在本申请的显示面板中，所述触控走线的第一部分与所述遮光层同层设置。在本申请的显示面板中，所述触控走线的第一部分与所述栅极层同层设置。在本申请的显示面板中，所述数据信号线与所述触控走线平行。有益效果：本申请采用跳线设计将所述触控走线与所述数据信号线间距较小的部分设置在不同膜层上，避免了触控走线与所述数据信号线的短接，使得数据信号正常传输，提高了产品的良率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请显示面板的第一种结构图；图2为本申请显示面板的第一种俯视图；图3为本申请显示面板的第二种结构图；图4为本申请显示面板的第三种结构图；图5为本申请显示面板的第二种俯视图；图6为本申请显示面板的第四种结构图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。请参阅图1，图1为本申请显示面板100的第一种结构图。所述显示面板100包括衬底10、位于所述衬底10上的薄膜晶体管层200、及位于所述薄膜晶体管层200上的触控层300。在本实施例中，所述衬底10的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。所述衬底10还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI聚酰亚胺。所述薄膜晶体管层200可以包括多个薄膜晶体管单元。所述薄膜晶体管单元可以蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型、底栅薄膜晶体管型或顶栅薄膜晶体管型结构，具体没有限制。本申请以顶栅薄膜晶体管型为例进行说明。所述薄膜晶体管单元可以包括缓冲层20、有源层30、栅绝缘层40、栅极层50、间绝缘层60、源漏极层70、及钝化层80。所述缓冲层20形成于所述衬底10上，主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能。在本实施例中，所述缓冲层20的材料可以包括氮化硅或氧化硅中的一种或一种以上的组合物。所述有源层30形成于所述缓冲层20上。所述有源层30包括经离子掺杂的掺杂区31和位于所述掺杂区31之间的沟道区32。所述有源层30可以由一层非晶硅经镭射激光退火形成多晶硅形成，该多晶硅经图案化处理形成所述有源层30。在本实施例中，所述有源层30的材料可以为铟镓锌氧化物IGZO，即导电的半导体，同时也是透明材料。所述栅绝缘层40形成于所述有源层30上。所述栅绝缘层40将所述有源层30覆盖。所述栅绝缘层40用于将所述有源层30与其他金属层隔离。在本实施例中，所述栅绝缘层40的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。所述栅极层50形成于所述栅绝缘层40上。所述栅极层50由第一金属层经图案化处理形成。所述栅极层50包括栅极51和扫描信号线52。所述第一金属材料可以为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。在本实施例中，所述栅极层50的金属材料可以为钼。所述间绝缘层60形成于所述栅极层50上。所述间绝缘层60将所述栅极层50覆盖。所述间绝缘层60主要用于将所述栅极层50和所述源漏极层70隔离。在本实施例中，所述间绝缘层60的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。所述源漏极层70形成于所述间绝缘层60上。所述源漏极层70由第二金属层经图案化处理形成。所述源漏极层70包括源极71、漏极72、数据信号线73。所述第二金属层的材料可以为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。所述源极71漏极72通过第三过孔74与所述有源层30上的掺杂区31电连接。在本实施例中，所述源漏极层70的金属材料可以为钛铝钛。所述钝化层80形成于所述源漏极层70上。所述钝化层80覆盖所述源漏极层70，用于隔绝所述源漏极层70上的金属与位于所述钝化层80上的金属层短接。在本实施例中，所述钝化层80的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机绝缘材料。所述触控层300位于所述钝化层80上。所述触控层300可以由透明电极构成，用于接收或输出对应的触控信号。所述透明电极的材料可以为氧化铟锡ITO。所述显示面板100还包括与所述触控层300电连接的触控走线90。所述触控走线90通过第四过孔91与所述触控层300电连接。在本实施例中，所述触控走线90与所述数据信号线73平行。所述触控走线90位于所述衬底10与所述触控层300之间。在本实施例中，部分所述数据信号线73与部分所述触控走线90非同层设置。请参阅图1，所述数据信号线73包括第一部分731和第二部分732。所述数据信号线的第一部分731与所述数据信号线的第二部分732非同层设置。所述触控走线90与所述数据信号线的第二部分732同层设置。所述数据信号线的第二部分732与所述源极71或漏极72同层设置。请参阅图2，图2为本申请显示面板100的第一种俯视图。所述触控走线90与所述数据信号线的第二部分732同层设置。而位于所述显示面板100第一区内的数据信号线的第一部分731位于所述衬底10与所述源极71漏极72之间图2未示出。所述数据信号线的第一部分731与所述数据信号线的第二部分732通过第一过孔75电连接。本实施例通过将所述数据信号线的第一部分731设置于所述衬底10与所述源极71漏极72之间，使得该区域的所述数据信号线的第一部分731与所述触控走线90非同层设置，避免了触控走线90与所述数据信号线73的短接，使得数据信号正常传输，提高了产品的良率。请参阅图1，所述数据信号线的第一部分731可以与所述栅极层50同层设置。在进行所述栅极层50的图案化时，可以同时形成所述数据信号线的第一部分731，因此本申请的所述数据信号线的第一部分731可以在不增加光罩的情况下达到。在本实施例中，所述第一过孔75贯穿部分所述间绝缘层60，所述第三过孔74贯穿所述间绝缘层60及部分所述栅绝缘层40。因此所述第一过孔75也可以在形成所述第三过孔74的蚀刻工艺中形成。请参阅图3，图3为本申请显示面板100的第二种结构图。所述显示面板100还包括位于所述衬底10与所述薄膜晶体管层200之间的遮光层101。所述遮光层101主要用于遮挡光源进行薄膜晶体管单元，影响薄膜晶体管的驱动效果。所述数据信号线的第一部分731可以与所述遮光层101同层设置。在进行所述遮光层101的图案化时，可以同时形成所述数据信号线的第一部分731，因此本申请的所述数据信号线的第一部分731可以在不增加光罩的情况下达到。在本实施例中，所述第一过孔75贯穿所述间绝缘层60、所述栅绝缘层40及部分所述缓冲层20，所述第三过孔74贯穿所述间绝缘层60及部分所述栅绝缘层40。因此所述第三过孔74也可以在形成所述第一过孔75的蚀刻工艺中形成。请参阅图4，图4为本申请显示面板100的第三种结构图。本实施例中的所述数据信号线的第一部分731与所述数据信号线的第二部分732同层设置，与所述源极71漏极72在同一道光罩工艺中形成。所述触控走线90包括第一部分901和第二部分902。所述触控走线的第一部分901与所述触控走线的第二部分902非同层设置。所述数据信号线73与所述触控走线的第二部分902同层设置。所述触控走线的第二部分902与所述源极71或漏极72同层设置。请参阅图5，图5为本申请显示面板100的第二种俯视图。所述数据信号线73与所述触控走线的第二部分902同层设置。而位于所述显示面板100第二区内的触控走线的第一部分901位于所述衬底10与所述源极71漏极72之间图5未示出。所述触控走线的第一部分901与所述触控走线的第二部分902通过第二过孔92电连接。本实施例通过将所述触控走线的第一部分901设置于所述衬底10与所述源极71漏极72之间，使得该区域的所述触控走线的第一部分901与所述数据信号线73非同层设置，避免了数据信号线73与所述触控走线90的短接，使得数据信号正常传输，提高了产品的良率。请参阅图4，所述触控走线的第一部分901可以与所述栅极层50同层设置。在进行所述栅极层50的图案化时，可以同时形成所述触控走线的第一部分901，因此本申请的所述触控走线的第一部分901可以在不增加光罩的情况下达到。在本实施例中，所述第一过孔75贯穿部分所述间绝缘层60，所述第二过孔92贯穿所述间绝缘层60及部分所述栅绝缘层40。因此所述第一过孔75也可以在形成所述第二过孔92的蚀刻工艺中形成。请参阅图6，图6为本申请显示面板100的第四种结构图。所述触控走线的第一部分901可以与所述遮光层101同层设置。在进行所述遮光层101的图案化时，可以同时形成所述触控走线的第一部分901，因此本申请的所述触控走线的第一部分901可以在不增加光罩的情况下达到。在本实施例中，所述第二过孔92贯穿所述间绝缘层60、所述栅绝缘层40及部分所述缓冲层20，所述第三过孔74贯穿所述间绝缘层60及部分所述栅绝缘层40。因此所述第三过孔74也可以在形成所述第二过孔92的蚀刻工艺中形成。本申请还提出了一种显示模组，所述显示模组包括上述显示面板及位于所述显示面板上的偏光层及盖板层。所述显示模组的工作原理与所述显示面板相同或类似，具体不再赘述。本发明还提出了一种电子装置，所述电子装置包括上述显示显示模组。所述电子装置的工作原理与所述显示模组的相同或相同，具体不再赘述。在本实施例中，所述电子装置包括但不限定于手机、平板电脑、计算机显示器、游戏机、电视机、显示屏幕、可穿戴设备及其他具有显示功能的生活电器或家用电器等。本发明提出了一种显示面板，所述显示面板包括衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管层、及位于所述薄膜晶体管层上的触控层；所述薄膜晶体管层包括源漏极层，所述源漏极层上设置有源极漏极及数据信号线；所述显示面板还包括与所述触控层电连接的触控走线，所述触控走线位于所述衬底与所述触控层之间；其中，部分所述数据信号线与部分所述触控走线非同层设置。本申请采用跳线设计将所述触控走线与所述数据信号线间距较小的部分设置在不同膜层上，避免了触控走线与所述数据信号线的短接，使得数据信号正常传输，提高了产品的良率。综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

权利要求：1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管层、及位于所述薄膜晶体管层上的触控层；所述薄膜晶体管层包括源漏极层，所述源漏极层包括源极漏极及数据信号线；所述显示面板还包括与所述触控层电连接的触控走线，所述触控走线位于所述衬底与所述触控层之间；其中，部分所述数据信号线与部分所述触控走线非同层设置。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述数据信号线包括第一部分和第二部分；所述数据信号线的第一部分与所述数据信号线的第二部分非同层设置；所述数据信号线的第一部分与所述数据信号线的第二部分通过第一过孔电连接；所述触控走线与所述数据信号线的第二部分同层设置。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述数据信号线的第二部分与所述源极或漏极同层设置；所述数据信号线的第一部分位于所述衬底与所述源极漏极之间。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述衬底与所述薄膜晶体管层之间的遮光层；所述数据信号线的第一部分与所述遮光层同层设置。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述衬底上的栅极层；所述数据信号线的第一部分与所述栅极层同层设置。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控走线包括第一部分和第二部分；所述触控走线的第一部分与所述触控走线的第二部分非同层设置；所述触控走线的第一部分与所述触控走线的第二部分通过第二过孔电连接；所述数据信号线与所述触控走线的第二部分同层设置。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述触控走线的第二部分与所述源极漏极同层设置；所述触控走线的第一部分位于所述衬底与所述源极漏极之间。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述触控走线的第一部分与所述遮光层同层设置。9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述触控走线的第一部分与所述栅极层同层设置。10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述数据信号线与所述触控走线平行。

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