申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-24

公开（公告）日：2021-04-30

公开（公告）号：CN112740403A

主分类号：H01L27/11565(20170101)

分类号：H01L27/11565(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.21#实质审查的生效;2021.04.30#公开

摘要：提供了三维3DNAND存储器器件和方法。在一个方面中，一种制造方法包括：制备具有第一阵列器件和第二阵列器件的堆叠器件；在第二阵列器件的背侧上形成开口；以及在该开口中形成一个或多个接触焊盘。该第一阵列器件包括在该第一阵列器件的面侧上的第一正面焊盘和在该第一阵列器件的背侧上的第一背面焊盘。该第二阵列器件包括在该第二阵列器件的面侧上并且与第一背面焊盘键合的第二正面焊盘。一个或多个接触焊盘相对于第一阵列器件设置在接近第二正面焊盘的层级处。

主权项：1.一种用于制造三维3D存储器器件的方法，包括：制备具有第一阵列器件和第二阵列器件的堆叠器件，其中：所述第一阵列器件包括在所述第一阵列器件的面侧上的多个第一正面焊盘、在所述第一阵列器件的背侧上的多个第一背面焊盘、以及连接到所述多个第一正面焊盘的一部分的多个互连触点；并且所述第二阵列器件包括在所述第二阵列器件的面侧上并且与所述多个第一背面焊盘键合的多个第二正面焊盘；在所述第二阵列器件的背侧上形成开口；以及形成一个或多个接触焊盘，所述一个或多个接触焊盘设置在所述开口中，所述一个或多个接触焊盘在所述多个互连触点中的一个或多个互连触点之上并且连接到所述多个互连触点中的一个或多个互连触点，并且所述一个或多个接触焊盘相对于所述第一阵列器件在接近所述多个第二正面焊盘的层级处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器器件的接触焊盘及其制造方法

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