申请/专利权人：伟摩有限责任公司

申请日：2017-10-13

公开（公告）日：2021-06-01

公开（公告）号：CN112886385A

主分类号：H01S5/042(20060101)

分类号：H01S5/042(20060101)

优先权：["20161014 US 15/294,172"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.18#实质审查的生效;2021.06.01#公开

摘要：本公开涉及系统、电路和方法。示例系统包括光发射器件、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。光发射器件耦合到供电电压。第一场效应晶体管串联地耦合在光发射器件和地之间。第二场效应晶体管包括耦合到供电电压的漏极端子，并包括均耦合到地的源极端子和栅极端子。光发射器件被配置为基于通过第一场效应晶体管的电流发射激光光脉冲。

主权项：1.一种系统，包括：光发射器件，耦合到供电电压；第一场效应晶体管，串联地耦合在所述光发射器件和地之间；和第二场效应晶体管，包括耦合到所述供电电压的漏极端子，并包括均耦合到地的源极端子和栅极端子，其中，所述光发射器件被配置为基于通过所述第一场效应晶体管的电流发射激光光脉冲。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 伟摩有限责任公司 GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器

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