申请/专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司

申请日：2021-01-28

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112928137A

主分类号：H01L27/30(20060101)

分类号：H01L27/30(20060101);H01L51/44(20060101);H01L23/60(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.10#授权;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本发明提供一种有机光电平板探测器，包括基底、TFT元件、有机光电二极管及第二底电极；基底上交替定义有像素区域及非像素区域；TFT元件形成于非像素区域，包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极及沟道层，且源极延伸至像素区域；有机光电二极管形成于像素区域，自下而上依次包括第一底电极层、第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层，第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层均自像素区域向外延伸到TFT元件上方，第一底电极层位于源极表面；第二底电极位于TFT元件上方且被第一界面层覆盖；有机光电平板探测器工作时，第二底电极的电位大于上电极层的电位，由此可以大幅度减小图像的拖影lag以及像素之间的信号串扰，有助于提高图像质量。

主权项：1.一种有机光电平板探测器，其特征在于，所述有机光电平板探测器包括基底、TFT元件、有机光电二极管及第二底电极；所述基底上交替定义有像素区域及非像素区域；所述TFT元件形成于所述非像素区域，包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极及沟道层，且所述源极延伸至所述像素区域；所述有机光电二极管形成于所述像素区域，自下而上依次包括第一底电极层、第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层，所述第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层均自所述像素区域向外延伸到所述TFT元件上方，第一底电极层位于所述源极表面且与源极电连接；所述第二底电极位于所述TFT元件上方且被所述第一界面层覆盖；所述有机光电平板探测器工作时，所述第二底电极的电位大于所述上电极层的电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 有机光电平板探测器

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