申请/专利权人：大陆汽车有限公司

申请日：2016-06-16

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN107851709B

主分类号：H01L41/047(20060101)

分类号：H01L41/047(20060101);H01L41/293(20060101)

优先权：["20150810 DE 102015215204.9"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.08#授权;2018.04.20#实质审查的生效;2018.03.27#公开

摘要：本发明涉及一种用于制造电子机械执行器（10）的制造方法，其中，提供构造为堆叠（14）的电构件（12），所述电构件由压电陶瓷层（16）和电极层（18）构造，在所述堆叠的至少一个侧面（20）上施加绝缘层（30），其中，暴露电极层（18），其方式是，首先检测待去除的、局部受限的绝缘层区域（34）的层厚度（D）并且然后使用于去除绝缘层区域（34）的去除率适配所检测的层厚度（D）。

主权项：1.一种用于制造电子机械执行器（10）的制造方法，所述制造方法具有以下步骤：a）提供构造为堆叠（14）的电构件（12），所述电构件由多个压电陶瓷层（16）和由多个电极层（18）构成，所述压电陶瓷层和电极层沿所述堆叠（14）的纵轴（32）交替地相叠地堆叠；b）将绝缘层（30）施加到所述堆叠（14）的平行于所述纵轴（32）地布置的至少一个侧面（20）上，使得在所述侧面（20）处，所述电极层（18）和所述压电陶瓷层（16）由所述绝缘层（30）覆盖；c）通过局部地去除与待暴露的电极层（18）相邻的、局部受限的绝缘层区域（34）之一来在所述堆叠（14）的所述侧面（20）上暴露所述电极层（18）中的至少一个电极层，其中，垂直于所述纵轴（32）地检测待去除的、局部受限的绝缘层区域（34）的层厚度（D），并且其中，局部受限地设定用于去除所述待去除的绝缘层区域（34）的所检测的层厚度（D）的绝缘层区域（34）的去除率。

全文数据：用于制造电子机械执行器的制造方法和电子机械执行器技术领域^[0001]本发明涉及一种用于制造电子机械执行器的制造方法以及一种电子机械执行器，所述电子机械执行器尤其借助所述制造方法来制造。背景技术[0002]电子机械执行器经常例如以压电堆叠的形式作为操纵元件来使用，例如在用于机动车的最不同的发动机类型的喷油嘴中。[0003]这样的电子机械执行器大多具有多个压电陶瓷层，所述多个压电陶瓷层在施加电场的情况下以长度延展进行反应，并且所述电子机械执行器此外包括多个电极层，其中，压电陶瓷层和电极层交替地沿着纵轴彼此堆叠地布置。这样的堆叠大多在两个相对置的侧面上电接触，以便能够操控堆叠中的电极层，从而在堆叠内形成电场，压电陶瓷层通过延展对所述电场进行反应。[0004]为了能够形成电场，以不同的电位操控两个相邻的电极层，也即接触向外在不同的接触连接端处结束。为了能够实现不同的接触，例如己知的是，仅仅将每第二个电极层移近至相应的侧面处，而相应地另一电极层不延伸至该侧面。[0005]然而也已知的是，将所有电极层在所有侧移近至堆叠的侧面处，这在电子机械执行器的操纵、空间要求和全部的运行行为方面具有大的优点。以下堆叠称作所谓的全活性的堆叠:在所述堆叠中，全部的电极层被移近至堆叠的侧面处。然而，这里相应的电极层的电接触较困难，因为较难实现每第二个电极层与外部接触的隔离。[0006]例如，在这样的堆叠构造中使用绝缘层，所述绝缘层然后被选择性地移除，以便有针对性地接触每第二个电极层。[0007]在DE102006003070B3中例如描述了，为了接触相应的堆叠中的电极层，在预先确定的位置处移除绝缘层。[0008]在堆叠的侧面处的这样的绝缘层大多不具有连续的层厚度，而是尤其当使用特殊的漆作为绝缘层时越过堆叠侧面地具有波动的层厚度。由此存在以下问题:布置在绝缘层的较大层厚度之下的电极层可能不完全地暴露，并且因此不能够可靠地实现接触。同时，位于具有小的层厚度的绝缘层区域之下的电极层可能通过绝缘层太强的的去除而在其方面受损坏，这同样是不期望的。[0009]因此，目前为止公开的是，如实现的那样，不顾绝缘层的波动的层厚度仍可靠地暴露电极层，而不在此损坏待暴露的电极层或相邻的压电陶瓷层。发明内容[0010]因此，本发明的任务是，提出在这方面改善的制造方法。[0011]所述任务借助于具有权利要求1的特征组合的制造方法来解决。[0012]尤其借助这样的制造方法制造的电子机械执行器是并列权利要求的主题。[0013]本发明的有利的构型是从属权利要求的主题。[0014]在一种用于制造电子机械执行器的制造方法中，首先提供构造为堆叠的电构件，所述电构件由多个压电陶瓷层和由多个电极层构成，它们沿所述堆叠的纵轴交替地相叠地堆叠。然后，施加绝缘层到所述堆叠的平行于所述纵轴地布置的至少一个侧面上，更确切地说，如此施加，使得在侧面处，电极层和压电陶瓷层由绝缘层覆盖。紧接着，通过局部地去除与待暴露的电极层相邻的、局部受限的绝缘层区域之一来在所述堆叠的所述侧面上暴露所述电极层中的至少一个电极层。为此，首先垂直于所述纵轴地检测待去除的、局部受限的绝缘层区域的层厚度，并且接着，局部受限地设定用于去除所述待去除的绝缘层区域的所检测的层厚度的绝缘层区域的去除率。[0015]在所述制造方法中，据此，测量直接位于应暴露的电极层旁的绝缘层区域的层厚度。借助该信息可以在其去除参数、也即尤其去除率方面如此设定去除装置，使得仅仅去除绝缘层区域的所测量的层厚度。由此可靠地暴露、但不损坏位于所述层厚度之下的电极层，并且也仅仅在小的程度上损坏或甚至完全不损坏与暴露的电极层相邻地布置的压电陶瓷层。[0016]“局部受限”应理解为，涉及绝缘层的以下区域:该区域与应暴露的电极层直接相邻地布置。该绝缘层区域沿着堆叠的纵轴方向延伸最大直至，到与待暴露的电极层相邻的压电陶瓷层中的关于其沿着堆叠的纵轴的厚度的30%。[0017]因为去除率同样局部受限地设定，所以在其中绝缘层的层厚度相对大的区域可以可靠地免于绝缘层，而在其中绝缘层的层厚度特别小的其他区域在压电陶瓷层的和电极层的区域中不受损坏。也即，在具有强烈波动的层厚度的绝缘层中（如其对于通常使用的漆来说是典型的），使用具有局部地可调至的去除率的去除方法，从而局部的去除率可以匹配于局部的层厚度。确定去除率的参数局部地被求解，也即在每个应被去除的地点，针对绝缘层的、在那存在的层厚度适配地被求解。[0018]所提供的堆叠优选地是全活性的堆叠，其中，全部的电极层有利地移近至堆叠的所有侧面处。[0019]在有利的构型中，在所述制造方法中，逐步单个地检测在所述侧面上的多个局部受限的绝缘层区域的层厚度，并且逐步单个地去除所述多个绝缘层区域，其中，直接彼此相继地执行各个层厚度的逐步检测和逐步去除。这意味着，优选与绝缘层的逐步去除同时地求取所需要的局部的层厚度信息。[0020]例如可以在这样的同时的工作方式的情况下借助所谓的等离子体光谱学检测层厚度。在此，借助电磁辐射去除绝缘层区域中的绝缘层，其中，等离子体由被去除的材料形成。等离子体发光装置的光谱包括谱线，通过谱线可以推断出材料。一旦电磁辐射据此射到压电陶瓷层或电极层上，则谱线改变，从而可以识别，在哪个点必须中断去除方法，以便防止损坏压电陶瓷层或电极层。[0021]在一种可替代的构型中，逐步检测在所述堆叠的侧面上的多个局部受限的绝缘层区域的层厚度，并且逐步去除多个绝缘层区域，其中，首先逐步地在没有在此之间的去除步骤的情况下检测所述多个绝缘层区域的所有层厚度，并且然后逐步地在没有在此之间的检测步骤的情况下执行所述多个绝缘层区域的去除。[0022]这表示，对在堆叠的侧面上的、替代地也在堆叠的所有侧面上的绝缘层区域的全部层厚度完全地测量并且例如中间存储，并且然后直接在一个过程中执行各个绝缘层区域的去除。[0023]有利地，无破坏地检测待去除的绝缘层区域的层厚度，其中，尤其光学地求取所述层厚度，例如在使用具有自聚焦系统的光学传感器装置的情况下求取所述层厚度。如果可以无破坏地求取相应的绝缘层区域的层厚度，则这是有利的，因为如此还可以在去除方法中更准确地暴露待暴露的电极层。[0024]有利地，作为绝缘层材料使用在预先确定的波长范围中光学透明的材料。所述材料例如可以是聚酰亚胺。为了检测待去除的绝缘层区域的层厚度，在此有利地求取具有在预先确定的波长范围中的波长的电磁辐射的光学路径长度。有利地，电磁辐射的在已知的绝缘层材料中的折射指数是已知的，从而可以从已知的折射指数和电磁辐射的所检测的光学路径长度计算在所测量的区域中的绝缘层的层厚度。如果绝缘层材料是光学透明的，则不仅仅可以检测绝缘层表面，而且可以检测位于所述绝缘层表面之下的衬底的表面，并且由该差借助已知的折射指数求取层厚度。如果有利地使用自聚焦系统作为传感器装置借助所述传感器装置以光学方式求取层厚度），则也可以均衡基于绝缘层的衬底中的不平整性。[0025]有利地，使用激光器、尤其超短脉冲激光器、优选皮秒激光器或者光学掩膜作为用于去除待去除的绝缘层区域的去除装置。超短脉冲激光器具有以下优点，基于其脉冲式的电磁辐射而可以相当快速地改变并且因此局部地匹配激光参数，去除率取决于所述激光参数。同时，所使用的激光器也可以用作辐射电磁辐射的传感器，借助所述电磁辐射可以测量绝缘层区域的层厚度。[0026]除了激光器外，也可以使用可调制的光学掩膜和其成像用于将绝缘层区域结构化。在此情况下，通过以掩膜投影形式的成像来产生强度图案。[0027]在有利的构型中，为了去除所述绝缘层区域，使用扫描装置用于在绝缘层表面上逐步地引导所述激光器的激光辐射。由此，去除方法有利地是进行扫描的去除方法，因为在每个步骤中快速地调整激光器的去除率，并且因此使所述去除率适配绝缘层的层厚度。由此，局部去除可以在每个位置处被设定。在每个扫描步骤中可能的是，使激光参数重新适配绝缘层的现有层厚度，也即，激光器具有去除率的足够快速的调制能力。[0028]在一种特别优选的构型中，扫描装置不仅仅用于引导激光器的激光辐射，而且尤其也用于在绝缘层表面上逐步引导传感器装置，用于检测待去除的绝缘层厚度的层厚度。因此，传感器装置也可以扫描式地对绝缘层的表面轮廓采样，并且因此对于每个单个的步骤求取层厚度。[0029]有利地，通过改变单位面积所述激光器的激光脉冲数目来设定用于去除绝缘层区域的去除率。例如可以通过激光辐射的在绝缘层表面上的扫描速度、也即激光辐射的行进、但也通过越过绝缘层表面处的相同的位置的越过数目或也通过两种可能性的组合来设定激光脉冲数目。替代地也可能的是，调整激光器的脉冲能量、脉冲序列频率或聚焦，然而仅仅在以下前提下能够足够快速地实现这一点，在每个扫描步骤中可以改变这些参数。[0030]扫描装置的扫描速度有利地在1.3ms至2.0ms的范围中运动，并且可以在该范围中变化。附加地，可以设定越过一个和相同位置的越过数目，从而总体上，预先确定的数目的激光脉冲射到一个位置上并且相应于绝缘层的层厚度地在该位置处去除绝缘层。[0031]尤其借助上面描述的制造方法制造的电子机械执行器具有构造为堆叠的电构件，所述电构件由多个压电陶瓷层和由多个电极层构造，它们沿堆叠的纵轴交替地相叠地堆叠。堆叠在至少一个侧面处具有绝缘层。为了暴露堆叠的侧面上的至少一个电极层，与堆叠的纵轴垂直地构造有沟槽，所述沟槽完全通过在与电极层相邻的绝缘层区域之一的绝缘层地并且在与电极层相邻的压电陶瓷层中延伸，使得电极层突出到沟槽中。[0032]因此可以确保暴露的电极层的从外部穿过绝缘层的可靠的接触，其中，堆叠的全活性的特性保持不变。[0033]有利地，沟槽具有垂直于堆叠的纵轴地倾斜地布置的沟槽壁，其中，沟槽从绝缘层表面朝堆叠中心方向缩细。倾斜地布置的沟槽壁具有以下优点：例如选择用于接触的导电胶可以良好地从外部流入到沟槽中，并且因此可以实现暴露的电极层的有利地良好的接触。[0034]沟槽在绝缘层中具有第一沟槽区域。此外，沟槽在沿着堆叠的纵轴分别与待暴露的电极层相邻地布置的压电陶瓷层中具有第二或第三沟槽区域。在第一、第二和第三沟槽区域中的沟槽壁分别垂直于堆叠的纵轴地倾斜地布置。因此，总的来说，沟槽在所述堆叠的纵截面中有利地具有W开多状。附图说明[0035]下面根据附图详细阐述本发明的有利的构型。其中：图1示出电子机械执行器的透视图，所述电子机械执行器具有构造为堆叠的电构件；图2示出图1中的电构件的纵截面示图，所述电构件在两个相对置的侧面具有各一个绝缘层；图3示出图2中的电构件的在具有绝缘层的侧面的区域中的片段；图4示出相应于图2的电构件的纵截面，其中，存在用于检测绝缘层的层厚度的传感器装置和用于去除绝缘层区域的分离的激光器；图5示出相应于图2的电构件的纵截面，其中，存在激光器，所述激光器不仅构造为用于检测绝缘层的层厚度的传感器装置而且构造为去除装置；图6示出绝缘层的层厚度的检测的示意图a和绝缘层区域的去除的示意图b，其在时间上相互分离；图7示意性地示出在相应于图6的方法中执行的步骤的流程图；图8示出同时进行层厚度的检测和绝缘层的去除的示图；图9示意性地示出在相应于图8的方法中执行的步骤的流程图；以及图10示出在根据图2的电构件的堆叠中的由去除方法得出的沟槽的示意性剖视图。具体实施方式[0036]图1示出电子机械执行器1〇，所述电子机械执行器具有电构件12，所述电构件构造为堆叠14。多个对施加电场作出反应的压电陶瓷层16和多个电极层18在堆叠14中交替地相叠地堆叠，使得每个电极层18布置在两个压电陶瓷层I6之间。在此，电极层I8完全延伸至堆叠14的所有侧面20，从而电构件12是所谓的全活性的堆叠14。[0037]在堆叠14的侧面20之一上施加外部电极22形式的至少一个外部接触部，所述至少一个外部接触部通过接触元件24与接触引脚26电连接。通过接触引脚26和接触元件24以及外部电极22可以向分别接触的电极层18转发电位。因为应以不同的电位加载分别相互相邻的电极层18,以便因此在堆叠14中产生电场，以便压电陶瓷层16能够在其长度方面变化，所以存在两个接触引脚26，通过所述两个接触引脚将各一个不同的电位移近到堆叠14处。[0038]为了避免在通过这两个接触引脚26施加的不同的电位之间的电弧，通常将绝缘层30施加到侧面20上，其中外部电极22施加到所述侧面上。在图2中以图1的沿着堆叠14的纵轴32的纵截面示图示出堆叠14,所述堆叠在至少两个侧面20上具有这样的绝缘层30,其中所述至少两个侧面与堆叠14的纵轴32平行地延伸。[0039]图3示出图2中的堆叠14的在具有到压电陶瓷层16之一上的绝缘层30的侧面20的区域中的片段，其中可以看出，绝缘层30沿纵轴32的层厚度D局部显著波动。[0040]为了能够从外部接触电极层1S，必要的是，在部分区域中移除绝缘层30,所述部分区域即在以下地方:在那里应分别接触的电极层18突出到侧面20上。[0041]为了在所提及的部分区域、即局部受限的绝缘层区域34中去除绝缘层30,因此有利地使用激光器36、尤其皮秒激光器，所述激光器发送激光辐射40到绝缘层30上并且因此去除所述绝缘层，从而使位于所述绝缘层之下的电极层18暴露。[0042]有利地，通过扫描方法借助扫描装置40在绝缘层30上引导激光辐射38,从而局部地去除绝缘层。[0043]为了确保通过激光器36仅仅去除存在于局部受限的绝缘层区域34的绝缘层30的层厚度D，在去除绝缘层30之前首先通过传感器装置42测量在应去除的绝缘层区域34中的局部的层厚度D。传感器装置42优选是具有自聚焦系统的光学传感器装置42,所述传感器装置发送电磁辐射EM，所述电磁辐射与激光辐射38同样通过扫描装置40逐步地在侧面20上的绝缘层30上引导。[0044]在图4中示出图2中的堆叠14连同激光器36和传感器装置42,所述激光器和传感器装置相互分离地构造，然而，它们的电磁辐射EM通过共同的扫描装置40在堆叠14的侧面20之一上的绝缘层30上引导。在图5中，示出一种替代的实施方式，其中，激光器36同时构成传感器装置42以及用于去除绝缘层区域34的去除装置44。[0045]绝缘层30的层厚度D的检测有利地无破坏地执行。这例如当使用光学透明的材料、例如聚酰亚胺48作为绝缘层材料46的时候是可能的。如果接着相应地选择激光辐射38的波长，则激光辐射38可以穿透完整的绝缘层30,并且因此也可以照射压电陶瓷层16的或电极层18的表面。由此可以检测在绝缘层材料46中激光辐射38的光学路径长度，并且通过已知的折射指数然后可以反过来计算层厚度D。[0046]具有以下两种可能性:执行层厚度D的检测和绝缘层区域34的去除。一方面可能的是，在时间上相互分离地执行这两个工作步骤，如例如在图6中和参考图7中的流程图示出的那样。在此，图6a示出激光辐射38，所述激光辐射通过扫描装置40引导地首先完全对绝缘层表面50采样，从而整个局部受限的绝缘层区域34的层厚度D完全己知。在随后的工作步骤中在图6b中示出，才借助扫描装置40在绝缘层表面50上逐步地引导激光辐射38,并且在绝缘层区域34的相应位置处局部地调制所述激光辐射，以便因此去除绝缘层30的在那存在的层厚度D。在此，局部的调制通过扫描速度来实现，激光辐射38以扫描速度在绝缘层表面50上引导。可替代地或附加地也可能的是，通过在所涉及的位置上的不同数目的越过来实现调制。[0047]图7示出相应的流程图，该流程图示出用于根据在图6中示出的操作方法将待暴露的电极层18暴露的各个步骤。首先在此提供堆叠14并且在接着的步骤中将绝缘层30施加到堆叠14的至少一个侧面20上。随后，在n个步骤中借助传感器装置42完全地扫描绝缘层表面50,以便因此检测绝缘层30的整个层厚度D。在扫描整个绝缘层表面50之后，才在n个步骤中在绝缘层表面50上引导激光辐射38,其中，在每第n个步骤中设定激光辐射38的去除率、即脉冲数目，并且此后才去除绝缘层30。在此如此长时间地重复用于每第n个步骤的最后两个步骤设定和去除，直至完全扫描绝缘层表面50。[0048]在图8中示出一种可替代的操作方法，其中，同时执行在各个绝缘层区域34处的层厚度D的检测以及在绝缘层区域34处绝缘层30的去除。在此情况下，在每个扫描步骤中首先测量层厚度D并且然后通过激光辐射38直接执行去除，然后才将激光器36的或传感器装置42的电磁辐射EM引导到下一个位置处，在那里同样首先进行测量并且然后直接进行去除。[0049]图9示出相应的流程图，该流程图示意性地示出这样的操作方法的步骤。[0050]在第一步骤中，在此提供堆叠14并且接着在另一步骤中将绝缘层30施加到堆叠14的至少一个侧面20上。然后借助传感器装置42在使用扫描装置40的情况下进行第一步骤，以便根据局部受限的绝缘层区域34的层厚度D测量局部受限的绝缘层区域。直接接着，针对所测量的层厚度D设定激光器36的去除率，并且接着立即去除刚刚测量的绝缘层区域34。如此长时间地执行最后三个步骤:检测局部受限的区域、根据所检测的值设定去除率和立即去除，直至扫描整个绝缘层表面50。[0051]图10示出图2中的堆叠14在局部受限的绝缘层区域34中在如上所述那样去除绝缘层30之后的片段。通过去除和因此通过暴露布置在局部的绝缘层区域34之下的电极层18形成沟槽52,所述沟槽完全通过绝缘层30地延伸。沟槽52继续非常轻微地延伸到沿着纵轴32与电极层18相邻的压电陶瓷层16中，更确切地说，如此延伸，使得电极层18突出到沟槽中。沟槽52的沟槽壁54垂直于堆叠14的纵轴32地倾斜地布置，从而沟槽52从绝缘层表面50出发朝堆叠中56缩细。沟槽52具有多个沟槽区域，即绝缘层30中的第一沟槽区域、分别在与电极层18相邻的压电陶瓷层16中的第二或第三沟槽区域。各个沟槽区域的所有沟槽壁54垂直于纵轴82倾斜地布置。因此，例如用于接触的导电胶可以良好地流入到整个沟槽中，并且因此可以实现暴露的电极层18的良好的接触。[0052]总体上，沟槽52具有相应于W的形状。该W形状可以通过以下方式来产生，即如此选择性地例如在其能量方面设定在绝缘层区域34中去除绝缘层30的激光辐射38,使得在那里完全地去除绝缘层30并且非常轻微地去除压电陶瓷层16。由此可以实现电极层18的突出，由此不仅可以实现电极层18的不仅在侧面20处而且在电极层18的端面58处的接触，所述端面通常由相邻的压电陶瓷层16覆盖。[0053]通过借助超短脉冲激光36去除绝缘层30以及选择适当的激光参数或扫描参数，可以精确地并且快速地设定去除率。如果聚酰亚胺48的局部的层厚度D己知，则可以通过激光参数的或扫描参数的相应地快速的调制来相应地适配局部的去除率并且实现自适应的去除。

权利要求：1.一种用于制造电子机械执行器10的制造方法，所述制造方法具有以下步骤：a提供构造为堆叠（14的电构件（12，所述电构件由多个压电陶瓷层（16和由多个电极层（18构成，所述压电陶瓷层和电极层沿所述堆叠（14的纵轴32交替地相叠地堆叠；b将绝缘层30施加到所述堆叠（14的平行于所述纵轴（32地布置的至少一个侧面20上，使得在所述侧面（20处，所述电极层（18和所述压电陶瓷层（16由所述绝缘层30覆盖；c通过局部地去除与待暴露的电极层（18相邻的、局部受限的绝缘层区域34之一来在所述堆叠14的所述侧面20上暴露所述电极层18中的至少一个电极层，其中，垂直于所述纵轴（32地检测待去除的、局部受限的绝缘层区域（34的层厚度D，并且其中，局部受限地设定用于去除所述待去除的绝缘层区域34的所检测的层厚度D的绝缘层区域34的去除率。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，逐步单个地检测在所述侧面20上的多个局部受限的绝缘层区域34的所述层厚度D，并且逐步单个地去除所述多个绝缘层区域32，其中，直接彼此相继地执行各个层厚度①的逐步检测和逐步去除。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，借助等离子体光谱学检测所述层厚度①）。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，逐步检测在所述堆叠（14的侧面20上的多个局部受限的绝缘层区域（34的层厚度（D并且逐步去除所述多个绝缘层区域34，其中，首先在没有在此之间的去除步骤的情况下逐步地检测所述多个绝缘层区域34的所有层厚度D，并且然后在没有在此之间的检测步骤的情况下逐步地执行所述多个绝缘层区域34的去除。5.根据权利要求1或2或4所述的制造方法，其特征在于，无破坏地检测所述待去除的绝缘层区域34的所述层厚度D，其中，尤其以光学方式求取所述层厚度①），其中，优选使用具有自聚焦系统的光学传感器装置42。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，使用在预先确定的波长范围中光学透明的材料、尤其聚酰亚胺48作为绝缘层材料46，其中，为了检测所述待去除的绝缘层区域34的所述层厚度①），求取具有在预先确定的波长范围中的波长的电磁辐射EM的光学路径长度。7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造方法，其特征在于，使用激光器36、尤其超短脉冲激光器、优选地皮秒激光器或者光学掩膜作为用于去除所述待去除的绝缘层区域34的去除装置44。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，为了去除所述绝缘层区域34，使用扫描装置40用于在绝缘层表面50上逐步地引导所述激光器36的激光辐射38，其中，尤其使用所述扫描装置（40用于在所述绝缘层表面（50上逐步地引导传感器装置42，用于检测所述待去除的绝缘层区域34的所述层厚度D。9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，通过改变单位面积所述激光器36的激光脉冲数目来设定用于去除所述绝缘层区域34的去除率，其中，尤其通过所述扫描装置40的扫描速度和或通过所述激光辐射（38的越过所述待去除的绝缘层区域34的绝缘层表面50的越过数目来设定单位面积所述激光脉冲数目。10.—种电子机械执行器（10，所述电子机械执行器尤其借助于根据权利要求1至9中任一项所述的制造方法制造，所述电子机械执行器具有构造为堆叠（14的电构件（12，所述电构件由多个压电陶瓷层16和由多个电极层（18构成，所述压电陶瓷层和电极层沿所述堆叠（14的纵轴32交替地相叠地堆叠，其中，所述堆叠（14在至少一个侧面20处具有绝缘层30，其中，为了暴露所述堆叠（14的侧面20上的至少一个电极层（18，与所述堆叠（14的纵轴32垂直地构造有沟槽52，所述沟槽完全通过在与所述电极层（18相邻的绝缘层区域34之一的绝缘层30地并且在与所述电极层（18相邻的压电陶瓷层（16中延伸，使得所述电极层（18突出到所述沟槽52中。11.根据权利要求1〇所述的电子机械执行器1〇，其特征在于，所述沟槽52具有垂直于所述堆叠（14的纵轴（32地倾斜地布置的沟槽壁54，其中，所述沟槽52从所述绝缘层表面50朝堆叠中心56方向缩细地构造，其中，所述沟槽52在所述堆叠（14的沿着所述纵轴32的纵截面中具有W形状。

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