申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2020-03-25
公开(公告)日:2021-07-16
公开(公告)号:CN111508820B
主分类号:H01L21/02(20060101)
分类号:H01L21/02(20060101);H01L21/8239(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.07.16#授权;2020.09.01#实质审查的生效;2020.08.07#公开
摘要:本申请公开了一种清洗方法,该清洗方法用于去除晶圆表面的部分介质层,清洗方法包括:对介质层的指定部分进行加热,以使指定部分的温度高于介质层中未被指定的部分的温度,指定部分覆盖晶圆的边缘区域;以及采用清洗剂对指定部分进行刻蚀,其中,清洗剂对介质层的刻蚀速率与介质层的温度正相关,以便于刻蚀停止在指定部分与未被指定的部分之间的分界面附近。该清洗方法不仅去除了位于晶圆边缘介质层的指定部分,而且保证了在去除指定部分时,不损伤介质层未被指定的部分。
主权项:1.一种清洗方法,用于去除晶圆表面的部分介质层,所述清洗方法包括:对所述介质层的指定部分进行加热,以使所述指定部分的温度高于所述介质层中未被指定的部分的温度,所述指定部分覆盖所述晶圆的边缘区域;以及采用清洗剂对所述指定部分进行刻蚀,其中,所述清洗剂对所述介质层的刻蚀速率与所述介质层的温度正相关,以便于所述刻蚀停止在所述指定部分与所述未被指定的部分之间的分界面附近,其中,采用加热器对所述指定部分进行加热,所述加热器包括激光加热器,所述激光加热器的出光方向是从所述未被指定的部分上方朝向所述指定部分,并且所述出光方向与所述分界面平行,所述分界面为斜面,所述清洗剂自所述未被指定的部分上方向所述指定部分斜向输出。
全文数据:
权利要求:
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