申请/专利权人：郑州大学

申请日：2021-06-03

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN113416916A

主分类号：C23C8/36(20060101)

分类号：C23C8/36(20060101);C23C8/02(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要：本发明涉及一种基于离子氮化技术在铝基体上原位生成氮化铝层的方法，属于金属表面改性技术领域。先对铝基体表面依次进行打磨、抛光以及清洗预处理，然后在氩气和氢气气氛下以及钛存在的条件下对预处理后的铝基体表面进行离子轰击，再在氮气气氛下对离子轰击后的铝基体表面进行离子氮化，在铝基体表面形成氮化铝层。本发明创新性地提出了一种在离子氮化炉内前期离子轰击和后期离子氮化相结合的方法，有效除去了铝基体表面的氧化膜，并在铝基体表面制备出了厚度较大的氮化铝层，有利于改善铝基体表面的硬度、耐蚀性以及耐磨性等性能，从而使铝基体的应用范围更加广泛。

主权项：1.一种基于离子氮化技术在铝基体上原位生成氮化铝层的方法，其特征在于：所述方法步骤如下，1对铝基体表面依次进行打磨、抛光以及清洗预处理，获得表面平整、光滑、洁净的铝基体；2将预处理后的铝基体放入离子氮化炉的阴极盘上，同时在阴极盘上放入金属单质钛，然后将炉内压力抽至30Pa以下；3向炉内充入氩气使炉内压力稳定至60Pa～80Pa，并开启离子氮化炉的电压，电压设置为600V～800V以及占空比设置为15％～80％，待铝基体加热至400℃～500℃后，再向炉内充入氢气使炉内压力稳定至120Pa～150Pa，电压维持在600V～800V范围内且占空比调至60％～80％，在氩气和氢气气氛下对铝基体表面进行离子轰击处理；4离子轰击处理10min～100min后，停止向炉内充入氩气和氢气，此时向炉内充入氮气并使炉内压力稳定至200Pa～300Pa，电压和占空比分别维持在600V～800V、60％～80％的范围内，在氮气气氛下对铝基体表面进行离子氮化处理，在铝基体表面形成氮化铝层；其中，铝基体包含金属单质铝基体和铝合金基体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 郑州大学 一种基于离子氮化技术在铝基体上原位生成氮化铝层的方法

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