申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2012-12-19

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN113421928A

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/04(20060101)

优先权：["20111223 JP 2011-282509"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。

主权项：1.一种半导体装置，包括：氧化膜上的第一氧化物半导体膜；所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；所述第二氧化物半导体膜上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的栅电极，具有与所述第二氧化物半导体膜重叠的区域；第二绝缘膜，具有与所述栅电极的顶面接触的区域；所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及电连接到所述第二氧化物半导体膜的第一导电膜；其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜是至少包含铟、镓和锌的氧化物膜，所述第一氧化物半导体膜中的铟的比率小于所述第二氧化物半导体膜中的铟的比率，所述第一氧化物半导体膜中的镓的比率大于所述第二氧化物半导体膜中的镓的比率，所述第一氧化物半导体膜中的镓的比率大于所述第一氧化物半导体膜中的铟的比率，所述第二氧化物半导体膜中的铟的比率大于所述第二氧化物半导体膜中的稼的比率，所述第二氧化物半导体膜包含结晶部，所述第二绝缘膜包含氧化铝，所述第一导电膜是包含选自铝、铬、铜、钽、钛、钼和钨中的元素的金属膜或金属氮化物膜，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜包含开口，并且，所述第一导电膜设置在所述开口中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置

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