申请/专利权人：成都蓉矽半导体有限公司

申请日：2020-04-01

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497113A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.02.13#发明专利申请公布后的驳回;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明为一种具有超低导通电压的新型绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一导电类型的衬底；具有第二导电类型的漂移区，设置于衬底上；半导体堆垒结构设置于漂移区上，堆垒结构由下至上依序包含具有第一导电类型的第一阱区、具有第二导电类型的第二阱区以及具有第一导电类型基区；具有第一导电类型的第一接触源极区与具有第二导电类型的第二接触源极区设置于第一导电类型基区且两者相邻但相隔开；发射极电极接触第一接触源极区与第二接触源极区；第一栅极，设置于衬底上方相应的第一沟槽中；第二栅极，设置于衬底上方相应的第二沟槽中，沟槽侧壁形成一栅极绝缘层，并以多晶硅填充；及第一与第二沟槽分别由第二与第一接触源极区垂直延伸至漂移区。

主权项：1.一种新型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：具有第一导电类型的衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移层，设置于该衬底上；一半导体堆垒结构设置于该漂移层上，堆垒结构由下至上依序包含具有第一导电类型的第一阱区、具有第二导电类型的第二阱区、以及具有第一导电类型基区；具有第一导电类型的第一接触源极区与具有第二导电类型的第二接触源极区设置于该第一导电类型基区且两者相邻但相隔开；发射极电极接触该第一接触源极区与该第二接触源极区；第一栅极，设置于该衬底上方相应的第一沟槽中；第二栅极，设置于该衬底上方相应的第二沟槽中，该第一与第二沟槽分别在沟槽侧壁形成一栅极绝缘层，并以多晶硅填充；所述的第一与第二沟槽是分别由形成于该第一导电类型基区的该第二接触源极区与第一接触源极区垂直延伸至该漂移层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都蓉矽半导体有限公司 具有超低导通电压的新型绝缘栅双极晶体管

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