申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2020-04-08

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497043A

主分类号：H01L27/112(20060101)

分类号：H01L27/112(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.12#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明涉及一种反熔丝单元，包括：反熔丝器件；晶体管，位于反熔丝器件一侧，与反熔丝器件电连接，形成从反熔丝器件到晶体管的一电流路径；第一电阻结构和第二电阻结构，均位于电流路径中。第一栅极介质层被击穿后，电流通过反熔丝离子注入区、第一电阻结构与第二电阻结构、有源区，继而到达晶体管的漏极，第一电阻结构与第二电阻结构并联在第一栅电极于晶体管的漏极之间，使得从第一栅电极到晶体管漏极之间的电流路径的电阻变小，实现了较大的击穿电流，提升了反熔丝单元的性能。

主权项：1.一种反熔丝单元，其特征在于，包括：反熔丝器件；晶体管，位于所述反熔丝器件一侧，与所述反熔丝器件电连接，形成从所述反熔丝器件到所述晶体管的一电流路径；第一电阻结构和第二电阻结构，均位于所述电流路径中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝单元

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