申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-08-13

公开（公告）日：2021-11-16

公开（公告）号：CN113658881A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2021.11.16#公开

摘要：本申请实施例公开了一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法，该方法只需根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线即可提取到TFT的沟道缺陷态密度，其中，TFT的沟道缺陷态密度包括TFT的沟道界面缺陷态密度，与现有技术通常根据TFT的C‑V特性曲线来提取TFT的沟道缺陷态密度的方法相比，该方法更加简单快速，且该方法可以根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线直接提取到TFT的沟道界面缺陷态密度，以便于后续区分TFT的沟道界面缺陷态密度和沟道内部缺陷态密度，从而定位TFT的沟道缺陷分布，进而分析沟道材料、工艺等对TFT性能的影响，这对TFT在实际生产过程中工艺的改进以及产品性能的检测指导性更强。

主权项：1.一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法，其特征在于，TFT沟道缺陷态密度包括TFT沟道界面缺陷态密度，该方法包括：S1：获取TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线；S2：根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线，确定TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围；S3：根据TFT各转移特性曲线在TFT工作在亚阈值区对应的栅源电压取值范围内的漏源电流值、漏源电压值和栅源电压值，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容；S4：根据TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷电容，得到TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷态密度；S5：根据TFT在不同栅源电压下的沟道界面缺陷态密度，以及预先获取的TFT栅源电压和表面势之间的对应关系，得到TFT在不同表面势下的沟道界面缺陷态密度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法

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