申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2019-01-29

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675081A

主分类号：H01L21/311(20060101)

分类号：H01L21/311(20060101)

优先权：["20180130 US 62/624,066","20180410 US 62/655,678"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：氧化锡膜在半导体器件制造中用作心轴。在一个实现方式中，该处理开始于提供一种衬底，该衬底具有存在于暴露的蚀刻停止层上的多个突起的氧化锡特征心轴。接下来，在心轴的水平表面和侧壁上都形成保形的间隔材料层。然后从水平表面去除间隔材料，从而暴露出心轴的氧化锡材料，而没有完全去除存在于心轴侧壁上的间隔材料例如，留下初始在侧壁上的高度的至少50％，例如至少90％。接下来，选择性地去除心轴例如，使用基于氢的蚀刻化学物质，同时保留存在于心轴侧壁上的间隔材料。所得的间隔件可用于图案化蚀刻停止层和下伏层。

主权项：1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括a提供半导体衬底，所述半导体衬底具有覆盖在氧化锡层上的图案化光致抗蚀剂层；b使用所述图案化光致抗蚀剂层作为掩模在所述氧化锡层中蚀刻多个开口，其中蚀刻所述多个开口包括使用基于氢的蚀刻化学物质和基于氯的蚀刻化学物质中的至少一种来蚀刻所述氧化锡层；c使用基于氧的蚀刻化学物质至少部分地去除所述光致抗蚀剂层，并形成多个氧化锡心轴；d在所述氧化锡心轴上沉积间隔材料层，使得所述间隔材料涂覆所述氧化锡心轴的侧壁和所述氧化锡心轴的水平部分；e从所述氧化锡心轴的所述水平部分去除所述间隔材料，以及f去除所述氧化锡心轴，以在所述半导体衬底上形成多个间隔件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 在图案化中的氧化锡心轴

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