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【发明公布】表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法及发光装置_电化株式会社_202080027647.7 

申请/专利权人:电化株式会社

申请日:2020-03-31

公开(公告)日:2021-11-19

公开(公告)号:CN113677775A

主分类号:C09K11/08(20060101)

分类号:C09K11/08(20060101);C09K11/64(20060101);H01L33/50(20060101)

优先权:["20190409 JP 2019-074460"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要:本发明的表面被覆荧光体粒子包含:含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部,上述荧光体具有由通式M1aM2bM3cAl3N4-dOd其中,M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素,M2是选自Li和Na中的1种以上的元素,M3是选自Eu和Ce中的1种以上的元素所示的组成,上述a、b、c和d满足下述各式:0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤da+d<0.30,相对于表面被覆荧光体粒子整体,氟元素的含有率为15质量%~30质量%,在规定的条件下测定得到的质量增加率为15%以下。

主权项:1.一种表面被覆荧光体粒子,包含:含有荧光体的粒子和被覆所述粒子的表面的被覆部,所述荧光体具有由通式M1aM2bM3cAl3N4-dOd所示的组成,其中,M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素,M2是选自Li和Na中的1种以上的元素,M3是选自Eu和Ce中的1种以上的元素,所述a、b、c和d满足下述各式:0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤da+d<0.30,相对于所述表面被覆荧光体粒子整体,氟元素的含有率为15质量%~30质量%,在以下的条件下测定得到的质量增加率为15%以下,质量增加率测定条件:将由所述表面被覆荧光体粒子构成的粉体的初始质量设为W1,将在温度60℃、湿度90%RH的条件下经过50小时后的该粉体的质量设为W2,以W2-W1W1×100%的形式算出质量增加率。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电化株式会社 表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法及发光装置

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