申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-11-01

公开（公告）日：2022-02-25

公开（公告）号：CN114093949A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.03.15#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要：公开了一种能够抑制栅致漏极泄漏GIDL的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET及其制造方法及包括这种MOSFET的电子设备。根据实施例，MOSFET可以包括：衬底上的竖直沟道部；相对于衬底分别处于沟道部的上下两端的源漏部；以及与沟道部相对的栅堆叠。沟道部具有掺杂浓度分布，使得在MOSFET为n型MOSFETnMOSFET时，沟道部中靠近源漏部之一的第一部分的阈值电压低于与第一部分相邻的第二部分的阈值电压；或在MOSFET为p型MOSFETpMOSFET时，沟道部中靠近源漏部之一的第一部分的阈值电压高于与第一部分相邻的第二部分的阈值电压。

主权项：1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管即MOSFET，包括：衬底上的竖直沟道部；相对于所述衬底分别处于所述沟道部的上下两端的源漏部；以及与所述沟道部相对的栅堆叠，其中，所述沟道部具有掺杂浓度分布，使得在所述MOSFET为n型MOSFET即nMOSFET时，所述沟道部中靠近所述源漏部之一的第一部分的阈值电压低于与所述第一部分相邻的第二部分的阈值电压；或在所述MOSFET为p型MOSFET即pMOSFET时，所述沟道部中靠近所述源漏部之一的第一部分的阈值电压高于与所述第一部分相邻的第二部分的阈值电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 抑制GIDL的MOSFET及其制造方法及包括MOSFET的电子设备

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