申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2021-08-27

公开（公告）日：2022-08-16

公开（公告）号：CN113735573B

主分类号：C04B35/26

分类号：C04B35/26;C04B35/622;C04B35/63

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.16#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开

摘要：本发明公开了一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法和应用，本发明NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，包括主成分和辅助成分，其中，以重量百分比计，主成分包括：Fe2O3:64.14wt％～65wt％，ZnO:14.22wt％～24.5wt％，NiO:7.64％～17.34wt％，余量为CuO；辅助成分包括V2O5和Co2O3，以重量百分比计，V2O5的含量为主成分的0.4wt％，Co2O3的含量为主成分的0.4wt％～0.8wt％。本发明的材料能在工作频率下稳定工作，其磁导率实部μ′为60～150同时虚部μ″小于3，满足NFC的使用要求。

主权项：1.一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，其特征在于，包括主成分和辅助成分，其中，以重量百分比计，主成分包括：Fe2O3:63wt%～65wt%，ZnO:13wt%～25wt%，NiO:7%～18wt%，余量为CuO；所述辅助成分包括V2O5和Co2O3，以重量百分比计，V2O5的含量为主成分的0.2wt%～0.4wt%，Co2O3的含量为主成分的0.4wt%～0.8wt%；在NFC的应用频率下，所述NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料磁导率的实部为60～150、虚部小于3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法和应用

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