申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2022-06-08

公开（公告）日：2022-09-06

公开（公告）号：CN115020336A

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L27/12;G03F7/16;G03F7/30;G03F7/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开

摘要：一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，包括：依序在玻璃基板上形成金属栅极、栅极绝缘层；栅极绝缘层上沉积有源层；在有源层上表面涂布一层第一正型光阻，进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；Pattern出有源层SE；继续涂布一层第二正型光阻，进行DC制程曝光显影；显影掉被ES光罩光照到的第二正型光阻；采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔；进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，有源层未被蚀刻；Pattern出源漏极；沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。本发明解决了现有的ESL转BCE架构遇到的有源层背沟道damage的制程问题。

主权项：1.一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：依序在玻璃基板上Pattern形成金属栅极、栅极绝缘层；第二步：在所述栅极绝缘层上采用物理气相沉积法沉积有源层；第三步：在所述有源层上表面涂布一层第一正型光阻，该第一正型光阻遇光溶于显影液；第四步：进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的所述第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；第五步：Pattern出有源层；此处不进行薄膜制程，即不去除所述第一正型光阻；第六步：随后继续涂布一层第二正型光阻，以原有的ES光罩进行DC制程曝光显影；第七步：显影掉被ES光罩光照到的所述第二正型光阻；第八步：采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔，而原有的ES孔位置因为有所述第一正型光阻的保护，所述有源层SE未被蚀刻到；第九步：进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，所述有源层SE未被蚀刻；第十步：Pattern出源漏极；第十一步：随后采用化学气相沉积法沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。

全文数据：

权利要求：

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