申请/专利权人：苏州迈志微半导体有限公司

申请日：2022-07-20

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084239A

主分类号：H01L29/10

分类号：H01L29/10;H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明涉及一种功率晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一外延层，设置于所述衬底之上；第二外延层，设置于所述第一外延层之上；多个第一体区，设置于所述第二外延层内，从自上而下的俯视图方向来看，所述多个第一体区中的一部分第一体区平行于横向方向设置，所述多个第一体区中的另一部分体区平行于纵向方向设置，其中，所述纵向方向与所述横向方向相互垂直；多个第二体区，设置于所述多个第一体区中的所述一部分第一体区上方，并且所述多个第二体区的上表面与所述第二外延层的上表面齐平；其中，所述多个第一体区中的所述另一部分第一体区在所述功率晶体管应用时处于浮置状态，形成为至少一个浮置第一体区。

主权项：1.一种功率晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一外延层，设置于所述衬底之上；第二外延层，设置于所述第一外延层之上；多个第一体区，设置于所述第二外延层内，从自上而下的俯视图方向来看，所述多个第一体区中的一部分第一体区平行于横向方向设置，所述多个第一体区中的另一部分体区平行于纵向方向设置，其中，所述纵向方向与所述横向方向相互垂直；多个第二体区，设置于所述多个第一体区中的所述一部分第一体区上方，并且所述多个第二体区的上表面与所述第二外延层的上表面齐平；其中，所述多个第一体区中的所述另一部分第一体区在所述功率晶体管应用时处于浮置状态，形成为至少一个浮置第一体区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州迈志微半导体有限公司 功率晶体管

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