申请/专利权人：深圳芯源新材料有限公司

申请日：2022-06-21

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101231A

主分类号：H01B1/02

分类号：H01B1/02;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明提供了一种用于低温电子装联的电极制备方法，包括以下步骤：S1:在洁净的金属片材上使用冷喷涂的方式进行增材制造，形成金属过渡层；S2:在所述金属过渡层上制备纳米金属焊接层，获得电极。本发明还提供了一种电极。本发明的有益效果是：制备得到的电极适用于低温电子装联，可以满足低温加工、高可靠性的需求。

主权项：1.一种用于低温电子装联的电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1:在洁净的金属片材上使用冷喷涂的方式进行增材制造，形成金属过渡层；S2:在所述金属过渡层上制备纳米金属焊接层，获得电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳芯源新材料有限公司 一种用于低温电子装联的电极制备方法与电极

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