申请/专利权人：湖北科技学院

申请日：2022-07-05

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115112608A

主分类号：G01N21/41

分类号：G01N21/41

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：本发明涉及一种基于角度古斯‑汉森位移的电介质折射率传感器，其结构可表示为DBANBBABN，其中N为光子晶体的周期数，A、B分别为折射率不同的电介质薄片，D为半球形电介质光波导，且B为待测折射率的电介质薄片；在结构中心两层BB的分界面处，存在拓扑边界态。本发明还提供了上述电介质折射率传感器的制备方法。本发明利用光子晶体的拓扑边界态附近的角度古斯‑汉森位移，实现对电介质折射率的精确测量，即角度古斯‑汉森位移是入射角和折射率函数，固定光波的入射角，通过测量反射光的角度古斯汉森‑位移大小，对比出电介质的折射率。

主权项：1.一种基于角度古斯-汉森位移的电介质折射率传感器，其特征在于，所述电介质折射率传感器的结构可表示为DBANBBABN，其中N为光子晶体的周期数，A、B分别为折射率不同的电介质薄片，D为半球形电介质光波导，且B为待测折射率的电介质薄片；即除去入射波导D，整个结构的主体由两个光子多层结构BANB和BABN组成，两个光子多层结构关于中心点对称分布并复合成结构BANBBABN，在其中心两层BB的分界面处，存在拓扑边界态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北科技学院 一种基于角度古斯-汉森位移的电介质折射率传感器及其制备方法

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